江南大学学报自然科学版

江南大学学报自然科学版

这个学报三个版本，但都不是核心，自然版相对影响力比较大，如果价格不高可以发。

江南大学学报的自然科学版

机械制造及自动化控制理论与控制工程计算机应用技术应用化学纺织工程建筑技术科学数理科学基础医学 ISSN：1671-7147CN：32-1666/N地址：无锡市蠡湖大道1800号江南大学31号邮政编码：214122

江南大学学报的介绍

本刊是由教育部主管的国家级的自然科学类学术期刊。刊物依托江南大学通信与控制工程、信息工程、机械工程、纺织工程等重点建设学科，以电子科技为核心，注重学科交叉，同时涵盖了化学工程、土木工程、数理科学及医疗卫生等学科。面向广大高校师生及相关领域的科研人员。刊登国家自然科学基金和省部级以上科研项目资助课题析出论文，同时发表与企业及生产实际密切相关的应用性科研论文。

江南大学简介

江南大学简介

江南大学座落于太湖之滨的江南名城无锡，是教育部直属的国家“211工程”重点建设高校。

享有“轻工高等教育明珠”美誉的江南大学，有着悠久的历史渊源和深厚的文化底蕴。从1902年创建的三江师范学堂到国立中央大学；从1952年全国高校院系调整时组建的南京工学院（现东南大学）食品工业系到1958年该系整建制东迁无锡，成立无锡轻工业学院，1995年更名为无锡轻工大学。2001年1月，经教育部批准，无锡轻工大学、江南学院、无锡教育学院合并组建江南大学。经过一个世纪的风雨和近50年的建设与发展，江南大学已成为一所规模结构较为合理，教学质量优异，办学效益显著，科研、教学、服务均得到社会公认，在国内外具有一定知名度的多科性大学。

学校学科涉及经济学、法学、教育学、文学、理学、工学、农学、医学、管理学等九大门类，18个院（系），共60个本科专业，现有在校博士、硕士研究生3100余人（含工程硕士生），全日制在校本科学生18900余人，来自世界各地的各类留学生340余名，继续教育（含特色自考）、网络教育学生15000余人。学校还设有国际教育学院、经教育部批准的中外合作办学的莱姆顿学院及与社会力量合作办学的江南大学太湖学院。学校是省文明学校、省文明单位。

学校设有轻工技术与工程、食品科学与工程等2个博士后流动站和2个一级学科博士授权点，21个博士专业点，59个硕士专业点，8个工程硕士点。全校18个院系中有15个院系具备了培养硕士研究生的资格。学校拥有4个国家级和部省级重点学科，建有教育部、国家计委批准的“国家生命科学与技术人才培养基地”，培养本硕连读、本硕博连读的高层次人才。学校建有科技部、国家计委等批准的“发酵技术国家工程研究中心”等11个国家级、省部级研究中心、实验室。食品科学、发酵工程等2个国家重点学科在国内同类学科中具有独特优势，实力雄厚，处于领先地位，在国际上有一定影响。

学校师资力量雄厚，现有专任教师1548名，其中中国工程院院士3名（2名为双聘院士），太湖学者7人，教授184名，副高以上专业技术职务教师490名。由350多名博士生导师、硕士生导师组成的学术带头群体，为科技创新、高层次人才培养奠定了厚实的基础。

学校是我国轻工、食品、生物技术高科技的摇篮与依托单位之一。“十五”期间，学校承担并完成了大批国家级、省部级的重大科技攻关项目和应用基础研究课题，其中包括国家“973”项目、国家重大专项项目、国家“十五”攻关项目、国家“863”项目、自然科学基金项目、科技部农业成果转化资金项目、江苏省“十五”攻关项目等，已有200多项研究成果经过鉴定或验收，其中有80多项成果填补了国内空白，达到了国际先进水平，70多项科研成果荣获国家和部、省级科技进步奖，在2003年、2005年分别获得的国家技术发明二等奖和科技进步二等奖。2001-2004年，学校共申请专利1056项，授权专利301项。2005年学校专利申请量位于全国高校第五位，江苏高校第一位。

学校重视面向经济建设主战场，加快科技创新，推进科技成果产业化。积极参与国家西部大开发和江苏省沿江经济建设，充分发挥学校在轻工、食品、纺织、环境、化工、生物医药等方面的科技优势，紧密结合社会需求，在科研开发、技术服务、人才培养等方面与企业开展全面合作，推动企业的技术改造和产品更新换代，为国民经济和社会发展作出贡献。与地方政府合资建立的省级大学科技园，已成为高科技研究项目的重要孵化基地。

学校成立了由海尔集团、茅台酒集团、青岛啤酒集团、北京燕京啤酒集团、绍兴黄酒集团、江苏小天鹅集团等100多家企事业单位加盟的董事会，注重学校与企业、社会之间的联系，促进了产学研的结合和为社会各方面的服务。各院（系）也建有400余家企事业单位参加的二级董事会。中国电信、丹尼克斯（中国）有限公司、嘉里粮油（深圳）商务拓展有限公司、东海粮油工业（张家港）有限公司、国民淀粉上海化学有限公司、希捷电子、三得利（中国）投资有限公司、青岛啤酒集团、重庆啤酒集团、杰能科生物工程有限公司、广州天赐高新材料科技有限公司、国际特品（ISP）（香港）有限公司、东洋之花化妆品有限公司等大型企业在学校设立各类奖学、奖教金，每年发放的奖学金总额达800多万元。

学校与国内外的教学科研交流合作频繁，是教育部批准的首批接受外国留学生和港澳台学生的高校。自六十年代开始，就接受和培养来自世界各国的留学生。学校现与20多个国家和地区的44所大学建立了紧密的校际交流关系，并与美国、加拿大、日本等近20个国家的高校、机构开展科研等方面的合作。学校聘请了50多位国外著名的学者和教授担任学校的名誉教授或客座教授，每年举办国际及双边学术交流会，已逐步成为轻纺、食品、艺术设计等领域的国际交流中心。

校训“笃学尚行，止于至善”是江南大学师生的行为准则和价值追求。她充分表明了学校既注重学生知识的传授，又注重学生实践能力的培养；既注重科学素养的形成，又注重人文素质的提高；既强调求真务实、锲而不舍的学风，又强调开拓创新、追求卓越的进取精神。学校的办学理念是：“彰显轻工特色；关注国计民生；拓展学科领域；促进文理交融。”经过多年努力，学校已形成了科学的人才培养体系和教学质量保障体系，注重培养基础扎实、知识面宽、实践能力强、综合素质高和经济社会急需的高素质创新型专门人才。

学校图书馆现有藏书170万册、电子图书8.56万册，中外文期刊3100余种，建有教育部科技查新工作站。学校编辑出版了《江南大学学报（自然科学版）》、《江南大学学报（人文社会科学版）》、《食品与生物技术》、《无锡教育学院学报》、《冷饮和速冻食品工业》、《电池工业》等杂志，向国内外公开发行。

在教育部和省、市政府的全力支持下，学校新校区已屹立在太湖之滨、山水之间。新校区占地3125亩，以“生态校园·曲水流觞”为设计理念，融青瓦白墙的江南建筑风格与小溪、树林、草坪的多层次园林空间为一体，展现绿色、水乡、文化韵味。设施先进、功能齐全、环境优美的现代化校园，为莘莘学子学习研究提供了良好的条件。

迈入新世纪，学校迎来了改革发展的良好机遇，国家“211工程”二期重点建设和发展了工业生物技术、食品科学工程和安全、工业设计创新系统、纤维制品现代加工技术、中小企业管理与发展、轻工过程信息化科学与工程等6个优势和特色明显的学科群，进一步提升了学校在轻纺、食品、艺术设计、管理等学科领域的优势地位，使学校的整体办学水平和人才培养质量得到全方位的提高。

积百载跬步，创世纪辉煌。“十一五”期间，学校将通过全面实施“质量兴校、人才强校、机制活校、服务名校”的发展方略，把江南大学建成培养造就高素质创新型人才的摇篮，进行知识创新的基地，推动成果转化的中心，开展社会服务的窗口，社会主义精神文明建设的阵地。一所特色鲜明的高水平大学将屹立在中国的江南！

江南大学党委书记： 校长：

校址：江苏省无锡市蠡湖大道1800号 邮编：214122

网址： 电话： 85910799（传真）

硅片高温吸杂温度

　第5卷第6期2006年12月　　　江南大学学报(自然科学版)Journal of Southern Yangtze U niversity(N atural Science Edition)

　　　Vol.5　No.6Dec.　2006　

文章编号:1671-7147(2006)06-0749-04　　收稿日期:2005-03-10;　修订日期:2005-04-04.　　作者简介：石湘波(1980-)，女，河南洛阳人，检测技术与自动化装置专业硕士研究生.

　　3通讯联系人：朱拓(1957-)，男，江苏苏州人，教授，硕士生导师.主要从事现代光学理论与成像技术的研究.

Email :tzhu @

施正荣(1963-)，男，江苏镇江人，高级工程师，工学博士，硕士生导师.主要从事太阳电池转化效

率等研究.Email :zrshi @ 铸造多晶硅的吸杂

石湘波1,　许志强1,　施正荣2,33,　朱　拓23,　汪义川3

(1.江南大学通信与控制工程学院，江苏无锡214122;2.江南大学理学院，江苏无锡214122;

3.无锡尚德太阳能电力有限公司，江苏无锡214028)

摘　要：吸杂是减少多晶硅中有害金属杂质的一种有效手段.比较了在800℃、900℃和1000℃条件下经2h 的磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂处理后的多晶硅少子寿命、电性能差异.实验结果表明，磷铝共吸杂少子寿命的增加比仅用磷、铝单独吸杂都明显，但3种吸杂方式对太阳电池电性能都没太大影响；同时发现退火到700℃的热处理并不能有效地改善磷吸杂效果.

关键词：磷吸杂；铝吸杂；磷铝共吸杂；太阳电池；多晶硅太阳电池；少子寿命

中图分类号:TM 914.41文献标识码:A

Study on C ast Multicrystalline Sijicon W afer by G ettering

SHI Xiang Οbo 1,　XU Zhi Οqiang 1,　SHI Zheng Οrong 2,3,　ZHU Tuo 33,　WAN G Y i Οchuan 2

( of Communication and Control Engineering ,Southen Yangtze University ,Wuxi 214122,China ; of Science ,Southen Yangtze University ,Wuxi 214122,China ; Suntech Power Co ,Ltd ,Wuxi 214028,China )Abstract :Gettering is an effective met hod to reduce t he deleterious metal imp urity from multicrystalline silicon (mc ΟSi ).The paper co mpares t he differences of lifetime ,elect rical performance of mc ΟSi after being t reated by p ho sp hor gettering ,aluminium gettering and Al/P Οcogettering under 800℃、900℃and 1000℃,2hours ’ experimental demonst rates t hat Al/P Οcogettering is much better t han aluminium and p hosp horus ,t here is some effect of t hree gettering met hods on t he elect rical performance of mc Ο hot t reat ment of annealing to 700

℃has some benefit on t he effect of p ho sp hor gettering.

K ey w ords :t ransition metal ;p hosp horus gettering ;aluminium gettering ;P/AL Οcogettering ;multicrystalline silicon (mc ΟSi )solar cell ;minority carrier lifetime

　　20世纪70年代铸造多晶硅的出现逐渐打破了

单晶硅材料长期垄断的地位，它以高性价比不断排

挤单晶硅市场.在20世纪80年代末，其市场占有率

仅为10%左右，而到了2003年，其占有率就高达

56.3%，成为最主要的光伏材料.但是多晶硅中铁、铜、镍等重金属杂质含量很高[1].这些杂质形成深能级，成为少数载流子的复合中心，影响了少子寿命和太阳电池的电性能.通常采用吸杂来提高硅片

的质量，国内外许多科研人员对多晶硅的吸杂进行了研究[2Ο5].

太阳电池制作中常用的吸杂方式为磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂.

磷吸杂是利用浓磷扩散形成重扩散层，它的吸杂原理包括驰豫吸杂和分凝吸杂，分凝吸杂部分是由于费米能级效应和离子成对效应而形成的在重扩散层的增强溶解；驰豫吸杂部分是由重扩散形成的位错网络，同时由于硅扩散时形成过量的自间隙原子而导致金属杂质从替位位置移动到间隙位置，导致了扩散速度的增加，从而加速磷吸杂的完成[1,6].由于POCl3能形成1021cm-3的浓磷吸杂层，所以文中使用POCl3为磷源进行磷吸杂.

铝吸杂是利用金属杂质在铝硅合金中的固溶度大于在硅中的固溶度(最少为103，而铁的分凝系数在750～950℃范围时为105～106[7])，并且金属杂质在硅中的扩散速度远大于磷硼等替位式元素.当存在铝吸杂层后，进行一段时间的高于磷铝共熔点(577℃)的热处理，金属杂质就被吸附到铝层，以此来改变硅片的性能[8].

磷吸杂要比铝吸杂快，而铝吸杂的吸杂稳定性又高于磷吸杂.磷铝共吸杂兼顾了两者的优点.通常磷铝共吸杂是在一侧为磷源另一侧为铝源的条件下进行吸杂的.

文中研究了不同温度下磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂对少子寿命、太阳电池电性能影响.同时分析了缓慢降温对磷吸杂的影响.

1　实　验

1.1　实验材料

实验过程中采用A公司的铸造多晶硅片，氧炭含量中等，面积为125mm×125mm，厚度为330μm左右，电阻率为0.5～2Ω・cm.

1.2　试验方案

吸杂通常包括金属杂质的释放、扩散和捕获3个步骤，吸杂的温度、冷却速度、吸杂的时间、金属杂质的类型是吸杂效率的重要影响因素[9]，文中按下列方案进行了磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂的研究:

1)在900℃条件下进行2h热处理和2h磷吸杂，分别采用急剧降温和缓慢降温，观察温度变化对磷吸杂的影响;

2)在800℃、900℃和1000℃条件下进行2h 的磷吸杂并在氮气中退火到700℃;

3)单面蒸镀2μm的铝，然后在800℃、900℃

和1000℃条件下进行2h的铝吸杂.

4)一面蒸镀2μm的铝，一面为预先淀积的磷源，在800℃、900℃和1000℃条件下进行2h的磷铝共吸杂处理，并在氮气中退火到700℃.

1.3　实验过程

样品全部为60片多晶姊妹片(由同一多晶硅砖切下的具有相似晶粒分布的硅片，有相同的晶体结构分布)，在m(HF)∶m(HNO3)∶m(C H3COO H)= 8∶1∶2的混合溶液中共去除了15～20μm的损伤层.清洗干燥后，其中15片硅片3片一组分为a,b, c,d,e5组.a组未进行任何热处理，直接测其少子寿命;b组在900℃的氮气中进行2h的热处理;c 组在900℃条件的氮气中进行2h的热处理后，并在氮气中退火到700℃(降温速度为5℃/min);d 组在900℃条件下进行了2h的磷吸杂;e组在900℃条件下进行了2h的磷吸杂后退火到700℃(降温速度为5℃/min).之后测定a,b,c,d,e5组的少子寿命.另外45片每15片一组共分为f,g,h3组,f组每5片一组在扩散炉中分别在800℃、900℃和1000℃的3种温度条件下进行2h的磷吸杂并在氮气中退火到700℃(降温速度为5℃/ min).由文献[10]知，蒸铝在硅片上铝的厚度为1.2μm时经烧结后铝层的覆盖率为100%，故文中在需蒸镀铝层的实验硅片上均蒸镀层.g组样品在550X 型的真空镀膜机中单面蒸镀2μm的铝，之后每5片一组在通氮气的石英管中将温度控制在800℃、900℃和1000℃条件下进行2h的铝吸杂.h组样品在850℃条件下在扩散炉中采用浓磷单面扩散扩散30min，表面的浓磷层作为磷源；然后在真空镀膜机中对未扩磷面蒸镀2μm的铝；接着5片一组在通氮气的石英管中将温度控制在800℃、900℃、1000℃的条件下进行2h的磷铝共吸杂，并在氮气中退火到700℃(降温速度为5℃/min).吸杂结束后,f组样品在80℃、质量浓度为200g/L 的NaO H溶液中腐蚀5min，确保磷吸杂层彻底去除.g,h两组样品先在体积分数为20%的HCl中腐蚀10min，然后用去离子水冲洗干净，接着在m(H F)∶m(HNO3)∶m(C H3COO H)=8∶1∶2的酸性溶液中腐蚀1min，此时硅片共被去除了20μm 的厚度，确保了吸杂层的完全去除.

f,g,h3组样品清洗干燥后，测其少子寿命，然后按下述工艺将f,g,h3组样品制成太阳电池：清洗干燥→扩散制结→刻蚀→去磷硅玻璃→清洗干燥→PECVD镀减反膜→丝网印刷电极→烧结.

057　　　江南大学学报(自然科学版)　　　　　　　　　　　第5卷　

2　结果和分析

采用暂稳态光电导少子寿命测试仪对热处理后和吸杂后试验硅片的少子寿命进行测试，分析热处理对硅片的影响以及吸杂效果.采用文献[11]的方法，首先在硅片上滴几滴浓度为0.08mol/L的碘酒，把硅片上的碘酒涂均，然后把待测硅片装入一透明的塑料袋中并密封好，确保硅片上没有气泡，用此方法来钝化表面，以确保测得的值完全反映体内少子寿命.在做成太阳电池后，用IΟV测试仪测其电性能，并比较其差异.

2.1　热处理方式对硅片的影响

比较原始硅片，通入氮气在900℃条件下进行2h热处理，通氮气在900℃条件下进行2h热处理后退火到700℃，在900℃条件下进行2h磷吸杂和在900℃的温度条件下进行2h磷吸杂并退火到700℃后硅片的少子寿命如图1所示.可以看出，硅片在经过900℃高温处理加热后，均会导致少子寿命降低.原始硅片在900℃进行2h热处理后，少子寿命降低到5μs以下.这是因为高温导致位错密度增加从而使间隙金属杂质增多，同时又容易造成金属杂质污染.缓慢降温并未使这一情况得到任何改善，反而因其在高温中时间长而导致少子寿命的进一步降低.为了给磷吸杂中的驰豫吸杂提供充足的沉积时间，故在900℃条件下完成2h磷吸杂后，即退火到700℃(降温速度为5℃/min).图2反映了不同温度条件下吸杂后的少子寿命，可见少子寿命并没有太大改善.这是因为高温过程会导致缺陷密度的增加，使金属在缺陷处被捕获几率增大，削减了由于缓慢降温使金属充分沉积到吸杂区域所形成的硅片少子寿命的增加，故在此缓慢降温并没使少子寿命升高(文中涉及到磷吸杂的均采用了5℃/min的缓慢降温).

图1　900℃下有无吸杂和退火对硅片少子寿命的影响Fig.1　Lifetime of w afers varies with gettering or annealing at900℃2.2　3种吸杂方式吸杂后少子寿命的比较

由图2可以看出,3种吸杂方式在800℃的温度条件下吸杂后，硅片的少子寿命均高于图1所示的初始值.比较3种不同的吸杂方式，发现磷铝共吸杂的效果比磷、铝单独吸杂的效果好，这是由于磷铝共吸杂结合了磷吸杂快速和铝吸杂稳定且吸杂能力强的优点.但是3种吸杂方式从800℃、900℃到1000℃，其少子寿命都明显降低.造成这种现象的原因是随着温度增高，金属杂质在硅中的固溶度增加，导致金属沉积裂解加剧，其中的金属杂质进入硅的间隙位，若此时被吸杂的金属杂质少于由于高温裂解而产生的金属杂质，就会导致整个间隙金属的增多，致使少子寿命的降低.所以文献[7]建议针对多晶硅吸杂，吸杂温度不要超过900℃，否则会导致硅片的退化

.

图2　不同温度条件下吸杂后的少子寿命Fig.2　Lifetime of gettered w afers vary with

temperatures and gettering methods

2.3　3种吸杂方式吸杂后电性能的比较

表1为不同吸杂方式与未吸杂电池电性能的比较.可以看出,1000℃高温的磷吸杂可能是被测硅片在高温过程中受到污染而在电性能方面表现异常外，其余硅片电性能和未吸杂对比片的电性能相比差异没有少子寿命明显.其原因可能是由于吸杂效果的不均匀性或者说是多晶硅片自身的不均匀性所致. Hugo等已研究了多晶硅片的不良区域中金属沉积物，并识别了铁在沉积中的化学状态，得出Fe在这些不良区域中以氧化物或硅酸盐复合物的形式存在.这些复合物非常稳定，去除这些复合物是去除Fe或FeSi x的108～1016倍.要依赖吸杂来改善整个硅片的性能已不可能.避免这些难以通过吸杂除去金属复合物的产生需要从多晶硅硅片生长过程中控制[12].同时 Hugo 又比较了故意被Fe污染过的半导体级单晶硅和带状多晶硅的磷吸杂效果，发现半导体级单晶硅少子寿命恢复到被污染前，而多晶硅只能得到小于初始值的少子寿命[13].由此可见吸杂是否能在多晶硅上充分发挥其作用取决于硅片的整个热历史、金属杂

157

　第6期石湘波等：铸造多晶硅的吸杂

质含量、易和金属杂质形成复合物的氧炭的含量以及易成为金属沉积中心的位错和缺陷的密度.

表1　各种吸杂方式和未吸杂电池电性能比较

T ab.1　Comp arison of solar cell perform ance with and without gettering

吸附方式I sc/A U oc/V FF/%EFF/%R s/ΩR sh/Ω800℃磷吸杂 4.93680.598976.8414.56390.008324.2136 900℃磷吸杂 4.91720.599676.5314.46230.008521.6585 1000℃磷吸杂 4.79660.588974.7413.53360.009819.6318 800℃铝吸杂 4.92100.596975.2914.10560.008712.7434 900℃铝吸杂 4.86480.597976.4014.31900.008418.1185 1000℃铝吸杂 4.94350.596776.3514.23000.008522.1357 800℃磷铝共吸杂 4.88100.598676.2414.27900.008726.0451 900℃磷铝共吸杂 4.82530.600776.8614.28090.008627.0731 1000℃磷铝共吸杂 4.85530.600476.8614.27690.008425.8745未吸杂对比片 4.98790.596574.6414.21560.009728.8899

3　结　论

通过比较在800℃、900℃和1000℃条件下经2h的磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂处理后的多晶硅少子寿命、电性能差异，以及退火到700℃对磷吸杂的影响，可以得出如下结论:

1)高温会造成多晶硅的退化，即使采用磷铝共吸杂，应尽量避免或缩短多晶硅的高温热处理.

2)在磷吸杂、铝吸杂、磷铝共吸杂3种吸杂方式中，磷铝共吸杂结合了磷吸杂和铝吸杂的优点，吸杂效果最好.

3)吸杂能有效地提高硅片的少子寿命，但对多晶硅电性能的改善却不明显.

参考文献:

[1]Périchaud tanding defects in semiconductors as key to advancing device technology[J].Physica B,2003,340:1Ο

14.

[2]Plekhanov P S,G afiteanu R,G;sele U M,et ng of gettering of precipitated impurities f rom Si for carrier lifetime

improvement in solar cell applications[J].Journal of Applied Physics,1999,86(5):2453Ο2458.

[3]Boudaden J,Monna R,Loghmarti M,et ison of phosphorus gettering for different multicrystalline silicon[J].

Solar Energy Materials&Solar Cells,2002,72:381Ο387.

[4]Myers S M,Seibt M,Schr isms of transitionΟmetal gettering in silicon[J].Journal of Applied Physics,2000,88

(7):3795Ο3819.

[5]王书荣，陈庭金，刘祖明，等.多晶硅太阳电池的吸杂实验研究[J].云南师范大学学报：自然科学版,2001,21(6):43Ο44.

[6]Périchaud I.G ettering of impurities in solar silicon[J].Solar Energy Materials&Solar Cells,2002,72:315Ο326.

[7]Hieslmair H,Mc Hugo S A,Weber E um backside segregation[C]//25th IEEE Photovoltaic Specialists

Conference,Washington DC:[s.n.],1996:441Ο444.

[8]Joshi S M,G sele U M,Tan T ement of minority carrier diff usion length in Si by Al gettering[J].J Appl Phys,

1995,77(8):3858Ο3863.

[9]阙端麟.硅材料科学与技术[M].杭州：浙江大学出版社,2000:466Ο467.

[10]Hartley O N,Russell R,Heasman K C,et igation of thin aluminium films on the rear of monocrystalline silicon

solar cells for back surface field formation[C]//Pre print of Oral paper103.0to be presented at the29th IEEE pvsc New Orleans20Ο Orleans:[s.n.],2002.

[11]Stephens A W,Green M iveness of0.08molar iodine in ethanol solution as a means of chemical surface

passivation for photoconductance decay measurements[J].Solar Energy Materials and Solar Cells,1997,45:255Ο265. [12]Mc Hugo S A,Thompson A C,Mohammed A,et terΟscale metal precipitates in multicrystalline silicon solar cells

[J].Journal of Applied Physics,2001,89(8):4282Ο4288.

[13]Mc Hugo S A,Hieslmair H,Weber E ing of metallic impurities in photovoltaic silicon[J].Appl Phys A,1997,64:

127Ο137.

(责任编辑：邢宝妹) 257　　　江南大学学报(自然科学版)　　　　　　　　　　　第5卷　

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铸造多晶硅的吸杂
　第5卷第6期2006年12月　　　江南大学学报(自然科学版)Journal of Southern Yangtze U niversity(N atural Science Edition)

　　　Vol.5　No.6Dec.　2006　

文章编号:1671-7147(2006)06-0749-04　　收稿日期:2005-03-10;　修订日期:2005-04-04.　　作者简介：石湘波(1980-)，女，河南洛阳人，检测技术与自动化装置专业硕士研究生.

　　3通讯联系人：朱拓(1957-)，男，江苏苏州人，教授，硕士生导师.主要从事现代光学理论与成像技术的研究.

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施正荣(1963-)，男，江苏镇江人，高级工程师，工学博士，硕士生导师.主要从事太阳电池转化效

率等研究.Email :zrshi @ 铸造多晶硅的吸杂

石湘波1,　许志强1,　施正荣2,33,　朱　拓23,　汪义川3

(1.江南大学通信与控制工程学院，江苏无锡214122;2.江南大学理学院，江苏无锡214122;

3.无锡尚德太阳能电力有限公司，江苏无锡214028)

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摘　要：吸杂是减少多晶硅中有害金属杂质的一种有效手段.比较了在800℃、900℃和1000℃条件下经2h 的磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂处理后的多晶硅少子寿命、电性能差异.实验结果表明，磷铝共吸杂少子寿命的增加比仅用磷、铝单独吸杂都明显，但3种吸杂方式对太阳电池电性能都没太大影响；同时发现退火到700℃的热处理并不能有效地改善磷吸杂效果.

关键词：磷吸杂；铝吸杂；磷铝共吸杂；太阳电池；多晶硅太阳电池；少子寿命

中图分类号:TM 914.41文献标识码:A

Study on C ast Multicrystalline Sijicon W afer by G ettering

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SHI Xiang Οbo 1,　XU Zhi Οqiang 1,　SHI Zheng Οrong 2,3,　ZHU Tuo 33,　WAN G Y i Οchuan 2

( of Communication and Control Engineering ,Southen Yangtze University ,Wuxi 214122,China ; of Science ,Southen Yangtze University ,Wuxi 214122,China ; Suntech Power Co ,Ltd ,Wuxi 214028,China )Abstract :Gettering is an effective met hod to reduce t he deleterious metal imp urity from multicrystalline silicon (mc ΟSi ).The paper co mpares t he differences of lifetime ,elect rical performance of mc ΟSi after being t reated by p ho sp hor gettering ,aluminium gettering and Al/P Οcogettering under 800℃、900℃and 1000℃,2hours ’ experimental demonst rates t hat Al/P Οcogettering is much better t han aluminium and p hosp horus ,t here is some effect of t hree gettering met hods on t he elect rical performance of mc Ο hot t reat ment of annealing to 700