职称论文答辩综合评语
预答辩通过后，申请人应按预答 论文定稿后印刷，指导教师须填写表格"指导教师对学位论文的学术评语"。 二、将以下武汉理工大学关于硕士学位论文答辩的有关规定1.论文评阅 硕士学位论文除由导师写出详细的评语外，还应在答辩前一个月将论文送出， 论文评阅人应是具有高级职称 研究生学位论文答辩申请书研究生学位论文答辩申请书 申请人_ 论文题目_ 指导教师 (第一导师) (第二导师)学 (自大学填起) 学习或工作单位 职务、职称 获学位情况 在学期间受过何种奖励或处分注 第一指导教师对学位论文的学术评语及对申请人的综合评价 1.对论文的学术评语(论文选中北大学研究生学位论文答辩管理办法(修订版)非学历硕士生的论文应有3位具有副高级及以上专业技术职称的专家评阅(其中1人为本校 如有2名评阅人评语为否定的，则本次申请无效，半年内不能组织答辩。 六、答辩审批手硕士学位(毕业)论文答辩申请流程图至少应有3位副高以上职称的人员参加(含指导教师)。预答辩通过后，申请人应按预答 论文定稿后印刷，
副高职称论文评语
一、毕业论文评阅成绩的标准
根据有关规定，毕业论文的评阅成绩一般可分为优秀、良好、及格、不及格四档。现将中央党校函授学院对毕业论文的具体标准抄录如下，供参考。
(一)优秀
1.能正确地体现党和国家的有关方针政策，能很好地综合运用所学的理论与本专业的有关知识。
2.能密切联系本系统、本部门、本单位的工作实际。分析问题正确、全面，具有一定深度或有所创见，对实际工作有一定的指导意义。
3.中心突出，论据较充足，结构严谨，层次分明，表达能力较强。
4.材料丰富，数据可靠，能运用科学方法进行加工整理。
(二)良好
1.能正确体现党和国家有关政策，能较好地运用所学理论与专业有关的`知识。
2.能较好地联系工作实际，分析问题比较正确、全面，对指导现实工作有一定的参考作用。
3.中心明确，论据较充足，层次较分明，文句通顺，有较好的表达能力。
4.材料比较丰富，数据基本可靠，能较好地进行加工整理。
(三)及格
1.能正确理解党和国家有关方针与政策，在理论上没有原则性的错误，能基本掌握和运用本专业已学的有关知识。
2.尚能联系工作实际，基本上能表达自己的观点，有一定的分析问题与解决问题能力。但分析问题较肤浅，或只能罗列现象，中心不够突出。
3.有一定的论据，主要数据基本可靠，文句尚通顺。
4.有一定的原始材料，进行了一定程度的加工整理。
(四)不及格
凡有以下条款之一者，应评为不及格。
1.违背党和国家的有关方针、政策，或在理论上有原则性错误，掌握已学有关专业知识很差。
2.文章无中心，层次不清，.逻辑混乱，文句不通。
3.材料零乱不全或主要数据失真，加工整理差。
4.主要内容基本抄袭他人成果。
(五)凡属抄袭他人成果或属他人代写的论文，一经发现查实，即取消评阅、答辩资格。
以上评阅标准，一要严格掌握，不可降低标准，拔高分数;二要因时因地制宜，但在同一时间、同一批学员中，应"一碗水端平"，不可对不同的人采用不同的标准。
二、评语的写法
毕业论文的评语有两种：一是指导导师意见，二是答辩委员会意见。
(一)指导导师意见的写法
指导导师意见，主要是从写作角度对全篇论文作出评价。评价要点是：
1.观点是否正确、鲜明;
2.论据是否充分;
3，分析是否全面;
4.结构是否合理;
5.语句是否通顺;
6.有无现实指导意义。
下面是《对制止中小学乱收费现象的几点思考》一文的评语：
本文能理论联系实际，对当前中小学乱收费现象的表现及其产生原因作了较全面的分析，并提出了制止措施，对实际工作有一定的参考作用。文章结构合理，条理分明，论据较充分，语句通顺。
(二)答辩委员会意见的写法
1.答辩态度如何;
2.思路是否清晰;
3.回答是否准确;
4.语言是否流畅;
5.对原文不足方面有无弥补。
（1）S3C2440 的地址线 ADDR1-19 与 Am29LV800D 的地址线 A0-18 依次武汉理工大学硕士学位论文10相连。由于 NOR Flash 选择的是 512K×16Bit 存储形式，即 NOR Flash 的最小存储单位为 2 字节，而 S3C2440 最小寻址单位为 1 字节，因此需要将地址线的第二位 ADDR1 与 A0 相连，而 ADDR0 不与 NOR Flash 芯片相连。（2）16位数据线依次相连。其中端口DQ15/A-1有两种用途，如果NOR Flash芯片选择的是 1024K×8Bit 存储方式，该端口将作为最低位的地址线，而本文选择的是 512K×16Bit 存储方式，因此该端口用作数据线的最高位 DQ15。（3）CE 是片选信号，由于 NOR Flash 连接到 BANK0，因此需要用到 BANK0的片选信号 nGCS0。读使能 OE，写使能 WE 与 S3C2440 对应引脚相连。（4）RY/BY 表示 NOR Flash 是就绪还是繁忙的状态信息，此处没有使用，所以悬空。RESET 低电平有效，与电路的复位模块相连。（5）BYTE 是 NOR Flash 芯片读写方式的选择，高电平对应 16bit 模式，低电平对应 8bit 模式。本文使用的是 16bit 模式，因此直接接 VDD。（6）OM0，OM1 是 S3C2440 启动方式的选择。当 OM0=1，OM1=0 芯片置为 16bit 方式，并且将 NOR Flash 芯片映射到 BANK0 地址 0x0 处。S3C2440 只有 16bit 和 32bir 两种使用 NOR Flash 启动的方式，因此前面的 Am29LV800D 只能使用 16bit 读写方式，而不能使用 8bit 模式。 NOR Flash 的读写方式基本与内存一样，可以直接在其地址范围内进行读写。因此将启动程序拷贝到 NOR Flash 里面，上电后便可以直接运行。但 NOR Flash价格昂贵，而且 1M 容量也显不足，因此本系统还加上了一块 NAND Flash 芯片作为补充。 NAND Flash 存储器电路设计相对于 NOR Flash 的昂贵，NAND Flash 则要便宜很多，因此更适合作为较大容量的存储介质使用。1989 年东芝公司发表了 NAND Flash 技术（后将该技术无偿转让给韩国三星公司），NAND Flash 技术强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NAND Flash 结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。其缺点在于需要特殊的系统接口，并且 CPU 需要驱动程序才能从 NAND Flash 中读取数据，使用时一般是将数据从 NAND Flash 中拷贝到 SDRAM 中，再供 CPU 顺序执行，这也是大多数嵌入式系统不能从 NAND Flash 中启动的原因。S3C2440 不仅支持从 NOR Flash 启动，而且支持从 NAND Flash 启动。这是武汉理工大学硕士学位论文11因为从 NAND Flash 启动的时候，Flash 中开始 4k 的数据会被 S3C2440 自动地复制到芯片内部一个叫“Steppingstone”的 RAM 中，并把 0x0 设置为内部 RAM的起始地址，然后 CPU 从内部 RAM 的 0x0 位置开始执行。这个过程不需要程序干涉。而程序则可使用这 4k 代码来把更多数据从 NAND Flash 中拷贝到SDRAM 中去，从而实现从 NAND Flash 启动。选择是从 NOR Flash 启动，还是 NAND Flash 启动，需要对 OM0 和 OM1引脚进行不同的设置，如果常常需要切换启动模式，可以将这两个引脚接到跳线柱上，通过跳线夹对其进行设置。本文选用的是三星公司出品的 K9F1208U0B NAND Flash 芯片，该芯片容量为 64M×8bit。由于 S3C2440 已经内置了 NAND Flash 控制器，因此电路设计十分简单，不需要再外加控制芯片。电路图如图 2－4 所示。图 2－4 NAND Flash 电路图电路图说明：（1）由于 NAND Flash 芯片是以字节为单位存储的，因此的数据线 I/O0-7直接与 S3C2440 的数据线 DATA0-7 相连，不需要像 NOR Flash 那样偏移一位进行相连。I/O0-7 是充当地址，命令，数据复用的端口。（2）ALE 地址锁存允许，CLE 命令锁存允许，CE 片选，WE 写使能，RE读使能依次与 S3C2440 的 NAND Flash 控制器的引脚 ALE，CLE，nFCE，nFWE，nFRE 相连。（3）WP 写保护，这里没有用到，直接接到高电平使其无效。VCC 与电源相连，VSS 与地相连。武汉理工大学硕士学位论文12（4）当 OM0，OM1 均接地为 0 时，S3C2440 将会从 NAND Flash 中启动，内部 RAM“Steppingstone”将会被映射到 0x0 位置，取代本来在这个位置的 NOR Flash。上电时 NAND Flash 中的前 4K 数据会被自动拷贝到“Steppingstone”中，从而实现从 NAND Flash 启动。（5）NCON、GPG15 接地；GPG13、14 接电源。这四个引脚用来对 NAND Flash 进行设置。以上设置表示使用的 Flash 是普通 NAND Flash，一页的大小为512 字 节 ， 需 要 进 行 4 个 周 期 的 地 址 传 输 完 成 一 次 寻 址 操 作 （ 这 是 因 为K9F1208U0B 片内采用 26 位寻址方式，从第 0 位开始分四次通过 I/O0－I/O7 进行传送），数据位宽为 8bit。不同的芯片有不同的设置方式，以上是 K9F1208U0B的设置方式，其它芯片的设置方法需要参考 S3C2440 和具体使用的 NAND Flash芯片的数据手册。NAND Flash 不对应任何 BANK，因此不能对 NAND Flash 进行总线操作，也就无法像 NOR Flash 和 SDRAM 一样通过地址直接进行访问。对 NAND Flash存储芯片进行操作，必须通过 NAND Flash 控制器的专用寄存器才能完成。NAND Flash 的写操作必须以块方式进行，读操作可以按字节读取。对 K9F1208U0B 的操作是通过向命令寄存器（对于 S3C2440 来说此寄存器为 NFCMMD，内存映射地址为 0x4e000004）发送命令队列实现的，命令队列一般是连续几条命令或是一条命令加几个参数，具体的命令可以参考 K9F1208U0B的数据手册。地址寄存器把一个完整的 NAND Flash 地址分解成 Column Address与 Page Address 进行寻址。Column Address 是列地址，用来指定 Page 上的具体某个字节。Page Address 是页地址，用来确定读写操作是在 Flash 上的哪个页进行的，由于页地址总是以 512 字节对齐的，所以它的低 9 位总是 0。一个 26 位地址中的 A0~A7 是它的列地址，A9~A25 是它的页地址。当发送完命令后（例如读命令 00h 或 01h），地址将分 4 个周期发送。第一个周期是发送列地址。之后 3 个周期则是指定页地址。当发送完地址后，就可以通过数据寄存器对 NAND Flash 进行数据的读写。以上只是 S3C2440 的 NAND Flash 控制器的大致操作流程，具体操作方式需要参考数据手册。 SDRAM 存储器电路设计从 Flash 中读取数据的速度相对较慢，而 S3C2440 运行的速度却很快，其执行指令的速度远高于从 Flash 中读取指令的速度。如果仅按照数据从 Flash 读取，武汉理工大学硕士学位论文13然后再到芯片处理的方式设计系统，那么即使芯片的运算能力再强，在没有指令执行的情况下，它也只能等待。因此系统中还需要加入 SDRAM。SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是同步动态随机存取存储器，同步是指工作时需要同步时钟，内部命令的发送与数据的传输都以它为基准，动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失，随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。SDRAM 是与系统时钟同步工作的动态存储器，它具有数据吞吐量大，速度快，价格便宜等特点。SDRAM 在系统中的主要作用是作为程序代码的运行空间。当系统启动时，CPU 首先从复位地址处读取启动代码，在完成系统的初始化后，将程序代码调入 SDRAM 中运行，以提高系统的运行速度。同时，系统和用户堆栈、操作数据也存放在 SDRAM 中。由于 SDRAM 自身结构的特点，它需要定时刷新，这就要求硬件电路要有定时刷新的功能，S3C2440 芯片在片内集成了独立的 SDRAM 控制电路，可以很方便的与 SDRAM 连接，使系统得以稳定的运行。本设计使用的 SDRAM 芯片型号是 HY57V561620，存储容量为 4Bank×4M×l6bit，每个 Bank 为 8M 字节，总共大小为 32M。本系统通过两片 HY57V561620构建了 64MB 的 SDRAM 存储器系统，能满足嵌入式操作系统及较复杂算法的运行要求。电路图如图 2－5 所示。图 2－5 SDRAM 电路图电路图说明：（1）本系统使用两块 HY57V561620 芯片组成容量 64M 的 SDRAM。两片SDRAM 都是以 2 字节为单位进行存储，因此一次存储的最小容量为 4 字节。将一块芯片的数据线 DQ0-DQ15 与 S3C2440 的数据线低位 DATA0-DATA15 相连，武汉理工大学硕士学位论文14而另一块则与数据线的高位 DATA16-DATA31 相连。（2）两块 SDRAM 芯片地址线均与 S3C2440 地址线 ADDR2-ADDR14 依次相连。SDRAM 的内部是一个存储阵列，阵列就如同表格一样，将数据“填”进去，和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。正因为如此 ， 地 址 是 通 过 将 存 储 单 元 的 列 地 址 和 行 地 址 分 开 进 行 传 送 的 ， 因 此HY57V561620 只用了 13 根地址线便完成了一个 BANK（8M 大小）的寻址。否则按照正常情况 8M 大小的地址空间，按照字节传输，需要用到 24 根地址线。由于本系统由两块 16bit 的芯片组成，一次最小的存储单位为 4 字节，也就是说寻址的间隔应该为 4（22）字节。ADDR0 的间隔对应为 1 字节，ADDR1 为 2 字节，ADDR2 为 4 字节。因此 HY57V561620 需要从 ADDR2 开始连接，从而达到一次寻址的间隔为 4 字节的目的。（3）HY57V561620由 4个BANK组成，每个BANK大小为8M（4M×16bit）。因此在不同的 BANK 之间也需要寻址。由于一个 BANK 的大小为 8M=223，因此对间隔为 8M 的 BANK 空间寻址，需要使用从 ADDR24 开始的两根地址线。所以 BA0，BA1 分别接到 ADDR24，ADDR25。（4）LDQM，UDQM 为数据输入输出屏蔽，由 S3C2440 的 SDRAM 控制器使用，这里连接到低位数据线的芯片连接到 DQM0，DQM1；而连接到高位数据线的芯片连接到 DQM2，DQM3。具体连接方法可以查看 S3C2440 的数据手册。（5）片选信号 CS 连接到 SDRAM 的片选信号 nSCS0，两块芯片对应同一片选信号。这是因为两块芯片是按照高位，低位的方式连接的，他们处于同一地址空间。（6）RAS 行地址选通信号，CAS 列地址选通信号，WE 写使能，分别与S3C2440 相应的控制引脚 nSRAS、nSCAS、nWE 相连。CLK 时钟信号，CKE时钟使能信号分别连接到 SCKE、SCLK。使用程序读写 SDRAM 前，需要初始化 SDRAM，对一些配置寄存器进行设置。这里只使用了 BANK6，并未用到 BANK7。初始化的代码大致如下： void memsetup(void) { rBWSCON = 0x22111110; 武汉理工大学硕士学位论文15 rBANKCON0 = 0x700; rBANKCON1 = 0x700; rBANKCON2 = 0x700; rBANKCON3 = 0x700; rBANKCON4 = 0x700; rBANKCON5 = 0x700; rBANKCON6 = 0x18005; rBANKCON7 = 0x18005; rREFRESH = 0x8e07a3; rBANKSIZE = 0xb2; rMRSRB6 = 0x30; rMRSRB7 = 0x30; } BWSCON 寄存器这里主要用来设置位宽，其中每 4 位描述一个 BANK，对于本系统，使用的是两片容量为 32Mbyte、位宽为 16 的 SDRAM，组成了容量为 64Mbyte、位宽为 32 的存储器，因此要将 BANK6 设置为 32 位。BANKCON0-5没有用到，使用默认值 0x700 即可。BANKCON6-7 是用来设置 SDRAM，设成0x18005 意味着外接的是 SDRAM，且列地址位数为 9。REFRESH 寄存器用于设置SDRAM的刷新周期，查阅HY57V561620数据手册即可知道刷新周期的取值。BANKSIZE 设置 BANK6 与 BANK7 的大小。BANK6、BANK7 对应的地址空间与 BANK0~5 不同。BANK0~5 的地址空间大小都是固定的 128M，BANK7 的起始地址是可变的，本系统仅使用 BANK6 的 64M 空间，因此可以令该寄存器的位[2:0]＝010（128M/128M）或 001（64M/64M），多出来的空间会被检测出来，不会发生使用不存在内存的情况，因为Bootloader和Linux内核都会作内存检测。 触摸屏电路设计使用触摸屏 TSP（Touch Screen Panel）进行输入，是指用手指或其它物体触摸安装在显示器前端的触摸屏，将所触摸的位置（以坐标形式）由触摸屏控制器检测，并通过接口送到 CPU，从而确定输入的相应信息。触摸屏通过一定的物理机制，使用户直接在加载触摸屏的显示器上，通过触摸控制方式而非传统的鼠标键盘控制方式向计算机输入信息[14]。武汉理工大学硕士学位论文16根据其技术原理，触摸屏可分为矢量压力传感式、电阻式、电容式、红外式和表面声波式等五类，当前电阻式触摸屏在嵌入式系统中用的较多。电阻触摸屏是一个多层的复合膜，由一层玻璃或有机玻璃作为基层，表面涂有一层透明的导电层，上面盖有一层塑料层，它的内表面也涂有一层透明的导电层，在两层导电层之间有许多细小的透明隔离点把它们隔开绝缘。工业中常用 ITO（Indium Tin Oxide 氧化锡）作为导电层。电阻式触摸屏根据信号线数又分为四线、五线、六线……等类型。信号线数量越多，技术越复杂，坐标定位也越精确。所有电阻式触摸屏的基本原理都是类似的，当触摸屏幕时，平常绝缘的两层导电层在触摸点位置就有了一个接触，控制器检测到这个接通后，由于其中一面导电层接通 Y 轴方向的 5V 均匀电压，另一导电层将接触点的电压引至控制电路进行 A/D 转换，得到电压值后与 5V 相比，即可得触摸点的 Y 轴坐标，同理得出 X 轴的坐标[15]。本文使用是四线电阻式触摸屏。S3C2440 提供 8 路 A/D 模拟输入，其中有 4 路是与触摸屏复用的，如果 XP、XM、YP、YM 这 4 根引脚不用做触摸屏输入的时候可以作为普通的 A/D 转换使用。S3C2440 的触摸屏接口有四种工作模式：（1）正常转换模式：此模式与通用的 A/D 转换模式相似。此模式可在ADCCON（ADC 控制寄存器）中设置，在 ADCDAT0（数据寄存器 0）中完成数据读写。（2）X/Y 坐标各自转换：触摸屏控制器支持两种转换模式，X/Y 坐标各自转换与 X/Y 坐标自动转换。各自转换是在 X 模式下，将 X 坐标写入 ADCDAT0然后产生中断；在 Y 模式下，将 Y 坐标写入 ADCDAT1 然后产生中断。（3）X/Y 坐标自动转换：在此模式下，触摸屏控制器先后转换触摸点的 X坐标与 Y 坐标。当 X 坐标与 Y 坐标都转换完成时，会向中断控制器产生中断。（4）等待中断模式：当触摸笔按下时，触摸屏产生中断（INT_TC）。等待中断模式必须将寄存器 rADCTSC 设置为 0xd3；在触摸屏控制器产生中断以后，必须将此模式清除。本设计采用的触摸屏是由广州友善之臂公司提供的，并且已经加在 LCD 屏AA084VC03 之上，与 LCD 一起提供了一个对外接口。AA084VC03 是日本三菱公司的 寸 TFT-LCD，分辨率为 640x480，262K 色。本款触摸屏为四线电阻式触摸屏，使用 S3C2440 的触摸屏控制单元可以大大简化电路设计。具体电路图见下一小节中的图 2－6。AM29LV800D 看看对你有没有用
，这也是很多的学者比较关心的问题，毕竟想要拿到证书，这也是不可或缺的一个部分啊，所以广大的学者一定要重视起来多多的了解有关写论文的知识。 1.专题型论文。这是分析前人研究成果的基础上，以直接论述的形式发表见解，从正面提出某学科中某一学术问题的一种论文。如本书第十二章例文中的《浅析领导者突出工作重点的方法与艺术》一文，从正面论述了突出重点的工作方法的意义、方法和原则，它表明了作者对突出工作重点方法的肯定和理解。 2.论辩型论文。这是针对他人在某学科中某一学术问题的见解，凭借充分的论据，着重揭露其不足或错误之处，通过论辩形式来发表见解的一种论文。如《家庭联产承包责任制改变了农村集体所有制性质吗?》一文，是针对“家庭联产承包责任制改变了农村集体所有制性质”的观点，进行了有理有据的驳斥和分析，以论辩的形式阐发了“家庭联产承包责任制并没有改变农村集体所有制”的观点。另外，针对几种不同意见或社会普遍流行的错误看法，以正面理由加以辩驳的论文，也属于论辩型论文。 3.，还有就是综述型论文。这是在归纳、总结前人或今人对某学科中某一学术问题已有研究成果的基础上，加以介绍或评论，从而发表自己见解的一种论文。 4.综合型论文。这是一种将综述型和论辩型两种形式有机结合起来写成的一种论文。如《关于中国民族关系史上的几个问题》一文既介绍了研究民族关系史的现状，又提出了几个值得研究的问题。因此，它是一篇综合型的论文。 通过以上对的相关介绍，相信广大的朋友也都有了一定的了解，广大学者只有熟悉了以上的流程才能很好的去完成论文的写作。
社会学属于综合性学科，研究方向多样，凡是与社会相关专题亦可作为课题研究方向：产业经济、宏观经济、城乡经济、国家政策影响、人力资源管理、社会心理、统计、社会保障、社会政策、国家与社会、公民权责、政治与经济、社会阶层、社区管理、传媒与社会、文化、企业社会学、管理社会学、法律、人类学等。“武汉大学同等学力人员博士学位的相关规定” 一、同等学力人员在我校申请博士学位，资格审查须具备下列条件：(一)拥护《中华人民共和国宪法》，遵守法律、法规，品行端正；(二)已获得硕士学位，并在获得硕士学位后工作5年以上；(三)申请人应在教学、科研、专门技术、管理等领域做出突出成绩，在所申请学位的学科领域独立发表过4篇以上高水平的学术论文，或者出版过高水平的专著。其学术论文，人文社科类必须有一篇发表在权威期刊上，理、工、医科类必须有一篇被SCI\EI\ISTP三大检索收录。其学术研究成果、专利和管理方面至少有一项获得省部级奖励。(四) 申请人应于每年4月或9月，向校学位办公室提出申请并提交下列材料（装订材料）：1、公开发表或出版的学术论文、专著或其他科研成果的原件、清单及其复印件2份，科研成果获奖证明材料的原件及其复印件2份；2、最后学历证明、硕士学位证书、攻读硕士学位期间学习成绩单的原件及其复印件2份；3、由申请人所在单位聘请的两位教授或相当专业技术职务专家(其中至少应有1名我校有关专业的博士生指导教师)出具的推荐信；4、居民身份证的原件及其复印件2份（五） 校学位办公室组织专家小组或学位评定分委员会对申请人进行资格审查； 一、 资格审查合格的申请人，必须自通过资格审查之日(以上述书面通知的日期为准)起1年内完成学校组织的全部博士学位课程考试（一年举行两次考试：6月和12月）。二、博士学位课程考试一般采取笔试与口试相结合的方式进行。 跨学科(人文社科跨门类、理工医科跨一级学科)申请博士学位者，须先通过申请学科专业硕士学位基础理论课和专业课的课程考试。考试成绩在75分以上为合格。四、 申请人如不能如期通过全部课程考试，本次申请无效。 一、博士学位论文答辩应在申请人通过全部课程考试后的1年内完成。申请学科专业所在学院应指定博士生指导教师对申请人的学位论文进行指导。二、申请人在指定的博士生指导教师的指导下，参加为期不少于3个月与论文有关的科学研究工作并作论文开题报告。三、学位论文的撰写格式、打印和装订，必须符合《武汉大学关于研究生学位论文印制规格的规定》的要求。 一、 由学校聘请不少于6名教授或相当专业技术职务的专家(其中该校和申请人所在单位以外的专家至少3名)进行评阅。申请人的导师、推荐人不得聘为论文评阅人。申请人的学位论文，应在论文答辩前3个月，由校学位办公室负责送交论文评阅人。二、由申请人所在单位聘请的两位教授或相当专业技术职务专家(其中至少应有1名我校有关专业的博士生指导教师)出具的推荐信；三、 博士论文答辩委员会由不少于7名具有高级专业技术职务的专家组成，其中应至少有4人是博士生导师、2人是该校和申请人所在单位以外的专家。申请人的导师、推荐人不得聘为论文答辩委员会成员。学位论文应在论文答辩前30天送至论文答辩委员会成员；论文答辩应公开举行，并有详细记录备查。论文答辩委员会的组成人选，由校学位评定委员会审批。三、申请人在通过资格审查后、博士学位论文答辩前，必须在核心期刊发表至少二篇以上的学术论文（作者单位署名“武汉大学”）四、申请人通过论文答辩，经申请学科专业所在学院学位评定分委员会评审通过、校学位评定委员会审核，作出授予博士学位的决定。五、申请人不得同时向两个及以上学位授予单位申请博士学位。六、如本次申请无效，申请人再次提出申请，必须在3年以后。
高会评职称的论文一般都是要发表的,所以具体的编排格式要按照期刊杂志的投稿要求,因为稍有区别的.一般格式: 论文写作格式 文稿请按以下顺序架构:①中文题目;②作者姓名;③作者单位名称及邮政编码;④中文文摘;⑤中文关键词;⑥中图分类号;⑦英文题目;⑧作者汉语拼音姓名;⑨作者单位英文名称;⑩英文摘要;⑾英文关键词;⑿正文;⒀参考文献;⒁作者简介(姓名、性别、出生年、职称或职务,发表论文或出版著作数量)。文后参考文献著录格式 凡文后有参考文献的论文,请在论文正文的相应位置,用角注形式标出参考文献的序号。 1.期刊论文著录格式:顺序号 作者.题目.刊物名称,出版年,卷(期):起止页码 例:1 陈乐喜.试论知识创新信息运动.自然辩论法研究,2001(1):37-42 例:2 Piterniek A and capabilities of online searching systems: a checklist. Online Review, 1989,13(6):466-4692.图书著录格式:顺序号 作者.书名.出版地:出版社,出版年:起迄页码 例:3 黄敏学.网络营销.武汉:武汉大学出版社,2000:36-48 3.报纸著录格式:顺序号 作者.题名.报纸名,年-月-日(版次) 例:4 国务院新闻办公室. 中国的粮食问题.人民日报,1996-10-25(2) 4.学位论文著录格式:顺序号 作者.题名.[学位论文].保存地:保存者,年份 例:5 李洁.促进我国国家创新系统中知识流动的政策分析.[学位论文].北京:中国科学院文献情报中心,20045.论文集著录格式:顺序号 作者.题名.见:编者.文集名.出版地:出版者,出版年:起止页码例:6 宋晓舒,程东明.传统图书馆和数字图书馆.见:图书情报工作杂志社编.图书馆学情报学研究论文选.北京:科学技术文献出版社,2002:1-26.网上文献著录格式:顺序号 作者.标题.[检索日期].网址;或:顺序号 作者.标题.网址(查询于年-月-日)。
硕士论文不上知网的原因是：高校没跟知网合作。
无论硕士还是博士，毕业论文里一般都会有一页授权书，要求论文作者授权高校使用论文。因此，如果知网没有从论文作者那里得到授权，而且高校本身和知网也没有合作，那么该校硕博学位论文就不会上传知网公开。
知网是一个企业，不是国家部门，不存在强制获得高校学位论文的可能。这个买卖必须得双方自愿，是否上传知网是高校的自主选择。有些高校有自己的学术论文数据库。比如万方数据库就是北京大学自己建的，那自然就很少上传论文到由清华控股的中国知网。
也有一些高校是因为知网收费太贵不愿意与知网合作。每逢毕业季，学生们就抱怨知网：黑心，查重贵，收费贵……知网收费贵已是学术界尽人皆知的事实。动辄几百的查重费用更是每年毕业季被热议的话题。然而，骂了这么多年，知网收费竟然越骂越贵，端的是：任你风起云涌，我自岿然不动。
没有收入来源的学生负担不起使用知网的费用，很多高校也负担不起，叫苦不迭。2016 年1月，武汉理工大学曾因知网涨价过高而暂停订购知网；同年3月，北京大学也因为知网过快的涨价行为而暂停订购知网。随手一搜，各大学和图书馆暂停知网访问的公告比比皆是。
武汉理工大学工学博士毕业条件（1）已获得硕士学位，并在获得硕士学位后工作5年以上；（2）在教学、科研、专门技术领域做出成绩，其科研成果获得省部级以上奖励（含副省级城市、部分社会力量设立的科技奖励），并持有获奖证书（原件）；（3）拟申请的学科一般应与所获硕士学位的学科相同或相近；（4）在本学科或相关学科的国内外学术期刊或国际学术会议上以第一作者或第二作者（导师为第一作者），且以武汉理工大学的名义公开发表属博士学位论文内容的学术论文4篇，其中至少有2篇发表在本学科四大检索系统（EI、SCI、ISTP、SSCI）收录的期刊，同时至少有1篇发表在外文学术刊物上（或外文出版的国际学术会议论文集）（5）在导师指导下完成博士学位论文，并按规定通过论文评审、答辩和校院两级学位委员会的审定；（6）学校规定的其它条件。
用知网查，在文天下论文检测可以查。具体包括以下数据库： 中国学术期刊网络出版总库 中国博士学位论文全文数据库/中国优秀硕士学位论文全文数据库 中国重要会议论文全文数据库 中国重要报纸全文数据库 中国专利全文数据库 互联网资源 英文数据。
职称论文答辩综合评语
预答辩通过后，申请人应按预答 论文定稿后印刷，指导教师须填写表格"指导教师对学位论文的学术评语"。 二、将以下武汉理工大学关于硕士学位论文答辩的有关规定1.论文评阅 硕士学位论文除由导师写出详细的评语外，还应在答辩前一个月将论文送出， 论文评阅人应是具有高级职称 研究生学位论文答辩申请书研究生学位论文答辩申请书 申请人_ 论文题目_ 指导教师 (第一导师) (第二导师)学 (自大学填起) 学习或工作单位 职务、职称 获学位情况 在学期间受过何种奖励或处分注 第一指导教师对学位论文的学术评语及对申请人的综合评价 1.对论文的学术评语(论文选中北大学研究生学位论文答辩管理办法(修订版)非学历硕士生的论文应有3位具有副高级及以上专业技术职称的专家评阅(其中1人为本校 如有2名评阅人评语为否定的，则本次申请无效，半年内不能组织答辩。 六、答辩审批手硕士学位(毕业)论文答辩申请流程图至少应有3位副高以上职称的人员参加(含指导教师)。预答辩通过后，申请人应按预答 论文定稿后印刷，
副高职称论文评语
一、毕业论文评阅成绩的标准
根据有关规定，毕业论文的评阅成绩一般可分为优秀、良好、及格、不及格四档。现将中央党校函授学院对毕业论文的具体标准抄录如下，供参考。
(一)优秀
1.能正确地体现党和国家的有关方针政策，能很好地综合运用所学的理论与本专业的有关知识。
2.能密切联系本系统、本部门、本单位的工作实际。分析问题正确、全面，具有一定深度或有所创见，对实际工作有一定的指导意义。
3.中心突出，论据较充足，结构严谨，层次分明，表达能力较强。
4.材料丰富，数据可靠，能运用科学方法进行加工整理。
(二)良好
1.能正确体现党和国家有关政策，能较好地运用所学理论与专业有关的`知识。
2.能较好地联系工作实际，分析问题比较正确、全面，对指导现实工作有一定的参考作用。
3.中心明确，论据较充足，层次较分明，文句通顺，有较好的表达能力。
4.材料比较丰富，数据基本可靠，能较好地进行加工整理。
(三)及格
1.能正确理解党和国家有关方针与政策，在理论上没有原则性的错误，能基本掌握和运用本专业已学的有关知识。
2.尚能联系工作实际，基本上能表达自己的观点，有一定的分析问题与解决问题能力。但分析问题较肤浅，或只能罗列现象，中心不够突出。
3.有一定的论据，主要数据基本可靠，文句尚通顺。
4.有一定的原始材料，进行了一定程度的加工整理。
(四)不及格
凡有以下条款之一者，应评为不及格。
1.违背党和国家的有关方针、政策，或在理论上有原则性错误，掌握已学有关专业知识很差。
2.文章无中心，层次不清，.逻辑混乱，文句不通。
3.材料零乱不全或主要数据失真，加工整理差。
4.主要内容基本抄袭他人成果。
(五)凡属抄袭他人成果或属他人代写的论文，一经发现查实，即取消评阅、答辩资格。
以上评阅标准，一要严格掌握，不可降低标准，拔高分数;二要因时因地制宜，但在同一时间、同一批学员中，应"一碗水端平"，不可对不同的人采用不同的标准。
二、评语的写法
毕业论文的评语有两种：一是指导导师意见，二是答辩委员会意见。
(一)指导导师意见的写法
指导导师意见，主要是从写作角度对全篇论文作出评价。评价要点是：
1.观点是否正确、鲜明;
2.论据是否充分;
3，分析是否全面;
4.结构是否合理;
5.语句是否通顺;
6.有无现实指导意义。
下面是《对制止中小学乱收费现象的几点思考》一文的评语：
本文能理论联系实际，对当前中小学乱收费现象的表现及其产生原因作了较全面的分析，并提出了制止措施，对实际工作有一定的参考作用。文章结构合理，条理分明，论据较充分，语句通顺。
(二)答辩委员会意见的写法
1.答辩态度如何;
2.思路是否清晰;
3.回答是否准确;
4.语言是否流畅;
5.对原文不足方面有无弥补。
（1）S3C2440 的地址线 ADDR1-19 与 Am29LV800D 的地址线 A0-18 依次武汉理工大学硕士学位论文10相连。由于 NOR Flash 选择的是 512K×16Bit 存储形式，即 NOR Flash 的最小存储单位为 2 字节，而 S3C2440 最小寻址单位为 1 字节，因此需要将地址线的第二位 ADDR1 与 A0 相连，而 ADDR0 不与 NOR Flash 芯片相连。（2）16位数据线依次相连。其中端口DQ15/A-1有两种用途，如果NOR Flash芯片选择的是 1024K×8Bit 存储方式，该端口将作为最低位的地址线，而本文选择的是 512K×16Bit 存储方式，因此该端口用作数据线的最高位 DQ15。（3）CE 是片选信号，由于 NOR Flash 连接到 BANK0，因此需要用到 BANK0的片选信号 nGCS0。读使能 OE，写使能 WE 与 S3C2440 对应引脚相连。（4）RY/BY 表示 NOR Flash 是就绪还是繁忙的状态信息，此处没有使用，所以悬空。RESET 低电平有效，与电路的复位模块相连。（5）BYTE 是 NOR Flash 芯片读写方式的选择，高电平对应 16bit 模式，低电平对应 8bit 模式。本文使用的是 16bit 模式，因此直接接 VDD。（6）OM0，OM1 是 S3C2440 启动方式的选择。当 OM0=1，OM1=0 芯片置为 16bit 方式，并且将 NOR Flash 芯片映射到 BANK0 地址 0x0 处。S3C2440 只有 16bit 和 32bir 两种使用 NOR Flash 启动的方式，因此前面的 Am29LV800D 只能使用 16bit 读写方式，而不能使用 8bit 模式。 NOR Flash 的读写方式基本与内存一样，可以直接在其地址范围内进行读写。因此将启动程序拷贝到 NOR Flash 里面，上电后便可以直接运行。但 NOR Flash价格昂贵，而且 1M 容量也显不足，因此本系统还加上了一块 NAND Flash 芯片作为补充。 NAND Flash 存储器电路设计相对于 NOR Flash 的昂贵，NAND Flash 则要便宜很多，因此更适合作为较大容量的存储介质使用。1989 年东芝公司发表了 NAND Flash 技术（后将该技术无偿转让给韩国三星公司），NAND Flash 技术强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NAND Flash 结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。其缺点在于需要特殊的系统接口，并且 CPU 需要驱动程序才能从 NAND Flash 中读取数据，使用时一般是将数据从 NAND Flash 中拷贝到 SDRAM 中，再供 CPU 顺序执行，这也是大多数嵌入式系统不能从 NAND Flash 中启动的原因。S3C2440 不仅支持从 NOR Flash 启动，而且支持从 NAND Flash 启动。这是武汉理工大学硕士学位论文11因为从 NAND Flash 启动的时候，Flash 中开始 4k 的数据会被 S3C2440 自动地复制到芯片内部一个叫“Steppingstone”的 RAM 中，并把 0x0 设置为内部 RAM的起始地址，然后 CPU 从内部 RAM 的 0x0 位置开始执行。这个过程不需要程序干涉。而程序则可使用这 4k 代码来把更多数据从 NAND Flash 中拷贝到SDRAM 中去，从而实现从 NAND Flash 启动。选择是从 NOR Flash 启动，还是 NAND Flash 启动，需要对 OM0 和 OM1引脚进行不同的设置，如果常常需要切换启动模式，可以将这两个引脚接到跳线柱上，通过跳线夹对其进行设置。本文选用的是三星公司出品的 K9F1208U0B NAND Flash 芯片，该芯片容量为 64M×8bit。由于 S3C2440 已经内置了 NAND Flash 控制器，因此电路设计十分简单，不需要再外加控制芯片。电路图如图 2－4 所示。图 2－4 NAND Flash 电路图电路图说明：（1）由于 NAND Flash 芯片是以字节为单位存储的，因此的数据线 I/O0-7直接与 S3C2440 的数据线 DATA0-7 相连，不需要像 NOR Flash 那样偏移一位进行相连。I/O0-7 是充当地址，命令，数据复用的端口。（2）ALE 地址锁存允许，CLE 命令锁存允许，CE 片选，WE 写使能，RE读使能依次与 S3C2440 的 NAND Flash 控制器的引脚 ALE，CLE，nFCE，nFWE，nFRE 相连。（3）WP 写保护，这里没有用到，直接接到高电平使其无效。VCC 与电源相连，VSS 与地相连。武汉理工大学硕士学位论文12（4）当 OM0，OM1 均接地为 0 时，S3C2440 将会从 NAND Flash 中启动，内部 RAM“Steppingstone”将会被映射到 0x0 位置，取代本来在这个位置的 NOR Flash。上电时 NAND Flash 中的前 4K 数据会被自动拷贝到“Steppingstone”中，从而实现从 NAND Flash 启动。（5）NCON、GPG15 接地；GPG13、14 接电源。这四个引脚用来对 NAND Flash 进行设置。以上设置表示使用的 Flash 是普通 NAND Flash，一页的大小为512 字 节 ， 需 要 进 行 4 个 周 期 的 地 址 传 输 完 成 一 次 寻 址 操 作 （ 这 是 因 为K9F1208U0B 片内采用 26 位寻址方式，从第 0 位开始分四次通过 I/O0－I/O7 进行传送），数据位宽为 8bit。不同的芯片有不同的设置方式，以上是 K9F1208U0B的设置方式，其它芯片的设置方法需要参考 S3C2440 和具体使用的 NAND Flash芯片的数据手册。NAND Flash 不对应任何 BANK，因此不能对 NAND Flash 进行总线操作，也就无法像 NOR Flash 和 SDRAM 一样通过地址直接进行访问。对 NAND Flash存储芯片进行操作，必须通过 NAND Flash 控制器的专用寄存器才能完成。NAND Flash 的写操作必须以块方式进行，读操作可以按字节读取。对 K9F1208U0B 的操作是通过向命令寄存器（对于 S3C2440 来说此寄存器为 NFCMMD，内存映射地址为 0x4e000004）发送命令队列实现的，命令队列一般是连续几条命令或是一条命令加几个参数，具体的命令可以参考 K9F1208U0B的数据手册。地址寄存器把一个完整的 NAND Flash 地址分解成 Column Address与 Page Address 进行寻址。Column Address 是列地址，用来指定 Page 上的具体某个字节。Page Address 是页地址，用来确定读写操作是在 Flash 上的哪个页进行的，由于页地址总是以 512 字节对齐的，所以它的低 9 位总是 0。一个 26 位地址中的 A0~A7 是它的列地址，A9~A25 是它的页地址。当发送完命令后（例如读命令 00h 或 01h），地址将分 4 个周期发送。第一个周期是发送列地址。之后 3 个周期则是指定页地址。当发送完地址后，就可以通过数据寄存器对 NAND Flash 进行数据的读写。以上只是 S3C2440 的 NAND Flash 控制器的大致操作流程，具体操作方式需要参考数据手册。 SDRAM 存储器电路设计从 Flash 中读取数据的速度相对较慢，而 S3C2440 运行的速度却很快，其执行指令的速度远高于从 Flash 中读取指令的速度。如果仅按照数据从 Flash 读取，武汉理工大学硕士学位论文13然后再到芯片处理的方式设计系统，那么即使芯片的运算能力再强，在没有指令执行的情况下，它也只能等待。因此系统中还需要加入 SDRAM。SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是同步动态随机存取存储器，同步是指工作时需要同步时钟，内部命令的发送与数据的传输都以它为基准，动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失，随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。SDRAM 是与系统时钟同步工作的动态存储器，它具有数据吞吐量大，速度快，价格便宜等特点。SDRAM 在系统中的主要作用是作为程序代码的运行空间。当系统启动时，CPU 首先从复位地址处读取启动代码，在完成系统的初始化后，将程序代码调入 SDRAM 中运行，以提高系统的运行速度。同时，系统和用户堆栈、操作数据也存放在 SDRAM 中。由于 SDRAM 自身结构的特点，它需要定时刷新，这就要求硬件电路要有定时刷新的功能，S3C2440 芯片在片内集成了独立的 SDRAM 控制电路，可以很方便的与 SDRAM 连接，使系统得以稳定的运行。本设计使用的 SDRAM 芯片型号是 HY57V561620，存储容量为 4Bank×4M×l6bit，每个 Bank 为 8M 字节，总共大小为 32M。本系统通过两片 HY57V561620构建了 64MB 的 SDRAM 存储器系统，能满足嵌入式操作系统及较复杂算法的运行要求。电路图如图 2－5 所示。图 2－5 SDRAM 电路图电路图说明：（1）本系统使用两块 HY57V561620 芯片组成容量 64M 的 SDRAM。两片SDRAM 都是以 2 字节为单位进行存储，因此一次存储的最小容量为 4 字节。将一块芯片的数据线 DQ0-DQ15 与 S3C2440 的数据线低位 DATA0-DATA15 相连，武汉理工大学硕士学位论文14而另一块则与数据线的高位 DATA16-DATA31 相连。（2）两块 SDRAM 芯片地址线均与 S3C2440 地址线 ADDR2-ADDR14 依次相连。SDRAM 的内部是一个存储阵列，阵列就如同表格一样，将数据“填”进去，和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。正因为如此 ， 地 址 是 通 过 将 存 储 单 元 的 列 地 址 和 行 地 址 分 开 进 行 传 送 的 ， 因 此HY57V561620 只用了 13 根地址线便完成了一个 BANK（8M 大小）的寻址。否则按照正常情况 8M 大小的地址空间，按照字节传输，需要用到 24 根地址线。由于本系统由两块 16bit 的芯片组成，一次最小的存储单位为 4 字节，也就是说寻址的间隔应该为 4（22）字节。ADDR0 的间隔对应为 1 字节，ADDR1 为 2 字节，ADDR2 为 4 字节。因此 HY57V561620 需要从 ADDR2 开始连接，从而达到一次寻址的间隔为 4 字节的目的。（3）HY57V561620由 4个BANK组成，每个BANK大小为8M（4M×16bit）。因此在不同的 BANK 之间也需要寻址。由于一个 BANK 的大小为 8M=223，因此对间隔为 8M 的 BANK 空间寻址，需要使用从 ADDR24 开始的两根地址线。所以 BA0，BA1 分别接到 ADDR24，ADDR25。（4）LDQM，UDQM 为数据输入输出屏蔽，由 S3C2440 的 SDRAM 控制器使用，这里连接到低位数据线的芯片连接到 DQM0，DQM1；而连接到高位数据线的芯片连接到 DQM2，DQM3。具体连接方法可以查看 S3C2440 的数据手册。（5）片选信号 CS 连接到 SDRAM 的片选信号 nSCS0，两块芯片对应同一片选信号。这是因为两块芯片是按照高位，低位的方式连接的，他们处于同一地址空间。（6）RAS 行地址选通信号，CAS 列地址选通信号，WE 写使能，分别与S3C2440 相应的控制引脚 nSRAS、nSCAS、nWE 相连。CLK 时钟信号，CKE时钟使能信号分别连接到 SCKE、SCLK。使用程序读写 SDRAM 前，需要初始化 SDRAM，对一些配置寄存器进行设置。这里只使用了 BANK6，并未用到 BANK7。初始化的代码大致如下： void memsetup(void) { rBWSCON = 0x22111110; 武汉理工大学硕士学位论文15 rBANKCON0 = 0x700; rBANKCON1 = 0x700; rBANKCON2 = 0x700; rBANKCON3 = 0x700; rBANKCON4 = 0x700; rBANKCON5 = 0x700; rBANKCON6 = 0x18005; rBANKCON7 = 0x18005; rREFRESH = 0x8e07a3; rBANKSIZE = 0xb2; rMRSRB6 = 0x30; rMRSRB7 = 0x30; } BWSCON 寄存器这里主要用来设置位宽，其中每 4 位描述一个 BANK，对于本系统，使用的是两片容量为 32Mbyte、位宽为 16 的 SDRAM，组成了容量为 64Mbyte、位宽为 32 的存储器，因此要将 BANK6 设置为 32 位。BANKCON0-5没有用到，使用默认值 0x700 即可。BANKCON6-7 是用来设置 SDRAM，设成0x18005 意味着外接的是 SDRAM，且列地址位数为 9。REFRESH 寄存器用于设置SDRAM的刷新周期，查阅HY57V561620数据手册即可知道刷新周期的取值。BANKSIZE 设置 BANK6 与 BANK7 的大小。BANK6、BANK7 对应的地址空间与 BANK0~5 不同。BANK0~5 的地址空间大小都是固定的 128M，BANK7 的起始地址是可变的，本系统仅使用 BANK6 的 64M 空间，因此可以令该寄存器的位[2:0]＝010（128M/128M）或 001（64M/64M），多出来的空间会被检测出来，不会发生使用不存在内存的情况，因为Bootloader和Linux内核都会作内存检测。 触摸屏电路设计使用触摸屏 TSP（Touch Screen Panel）进行输入，是指用手指或其它物体触摸安装在显示器前端的触摸屏，将所触摸的位置（以坐标形式）由触摸屏控制器检测，并通过接口送到 CPU，从而确定输入的相应信息。触摸屏通过一定的物理机制，使用户直接在加载触摸屏的显示器上，通过触摸控制方式而非传统的鼠标键盘控制方式向计算机输入信息[14]。武汉理工大学硕士学位论文16根据其技术原理，触摸屏可分为矢量压力传感式、电阻式、电容式、红外式和表面声波式等五类，当前电阻式触摸屏在嵌入式系统中用的较多。电阻触摸屏是一个多层的复合膜，由一层玻璃或有机玻璃作为基层，表面涂有一层透明的导电层，上面盖有一层塑料层，它的内表面也涂有一层透明的导电层，在两层导电层之间有许多细小的透明隔离点把它们隔开绝缘。工业中常用 ITO（Indium Tin Oxide 氧化锡）作为导电层。电阻式触摸屏根据信号线数又分为四线、五线、六线……等类型。信号线数量越多，技术越复杂，坐标定位也越精确。所有电阻式触摸屏的基本原理都是类似的，当触摸屏幕时，平常绝缘的两层导电层在触摸点位置就有了一个接触，控制器检测到这个接通后，由于其中一面导电层接通 Y 轴方向的 5V 均匀电压，另一导电层将接触点的电压引至控制电路进行 A/D 转换，得到电压值后与 5V 相比，即可得触摸点的 Y 轴坐标，同理得出 X 轴的坐标[15]。本文使用是四线电阻式触摸屏。S3C2440 提供 8 路 A/D 模拟输入，其中有 4 路是与触摸屏复用的，如果 XP、XM、YP、YM 这 4 根引脚不用做触摸屏输入的时候可以作为普通的 A/D 转换使用。S3C2440 的触摸屏接口有四种工作模式：（1）正常转换模式：此模式与通用的 A/D 转换模式相似。此模式可在ADCCON（ADC 控制寄存器）中设置，在 ADCDAT0（数据寄存器 0）中完成数据读写。（2）X/Y 坐标各自转换：触摸屏控制器支持两种转换模式，X/Y 坐标各自转换与 X/Y 坐标自动转换。各自转换是在 X 模式下，将 X 坐标写入 ADCDAT0然后产生中断；在 Y 模式下，将 Y 坐标写入 ADCDAT1 然后产生中断。（3）X/Y 坐标自动转换：在此模式下，触摸屏控制器先后转换触摸点的 X坐标与 Y 坐标。当 X 坐标与 Y 坐标都转换完成时，会向中断控制器产生中断。（4）等待中断模式：当触摸笔按下时，触摸屏产生中断（INT_TC）。等待中断模式必须将寄存器 rADCTSC 设置为 0xd3；在触摸屏控制器产生中断以后，必须将此模式清除。本设计采用的触摸屏是由广州友善之臂公司提供的，并且已经加在 LCD 屏AA084VC03 之上，与 LCD 一起提供了一个对外接口。AA084VC03 是日本三菱公司的 寸 TFT-LCD，分辨率为 640x480，262K 色。本款触摸屏为四线电阻式触摸屏，使用 S3C2440 的触摸屏控制单元可以大大简化电路设计。具体电路图见下一小节中的图 2－6。AM29LV800D 看看对你有没有用
新能源汽车专业毕业论文参考文献
列出论文参考文献的目的是让读者了解论文研究命题的来龙去脉，便于查找，同时也是尊重前人劳动，对自己的工作有准确的定位。因此这里既有技术问题，也有科学道德问题。如下是我为大家收集的新能源汽车专业毕业论文参考文献，欢迎阅读！
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中国知网 你上去输入关键词“航海”，搜索一下就有了 1. 航海模拟器视景建模技术研究及应用 关克平 文献来自: 上海海运学院 2002年 硕士论文 CAJ下载 在线阅读 分章下载 分页下载 自20世纪70年代前后开始起步并用于航海教育的计算机仿真教学培训设备——航海模拟器,无论在种类、功能及技术性能方面目前都处于一个崭新的阶段。 视景系统是航海模拟器的重要组成部分,影响着航海仿真系统的整体逼真度和船舶操纵的训练效果,逼真的视景环境可以使操船者具有身临其境 ... 被引用次数: 3 文献引用-相似文献-同类文献 2. 我国航海教育质量标准体系研究 李波 文献来自: 武汉理工大学 2004年 硕士论文 CAJ下载 在线阅读 分章下载 分页下载 就航海教育而言,一方面海运业可以说是最早、最具国际化的产业之一,并且随着近几年的高速发展,我国已经成为世界范围内的航运大国。另一方面,作为高等教育重要组成部分而且具有传统特色的航海教育在我国有着悠久的发展史,而且 ... 被引用次数: 1 文献引用-相似文献-同类文献 3. 数字航海通告的生成与发布研究 王强 文献来自: 大连海事大学 2003年 硕士论文 CAJ下载 在线阅读 分章下载 分页下载 目录#Ⅰ 摘要#Ⅲ ABSTRACT#Ⅳ 引言#1 第1章@数字航海通告的概念和作用#2 电子海图显示与信息系统概述#2 电子海图改正#5 1 ... 4@数字航海通告的作用#9 建立中国海区数字航海通告的必要性#9 第2章@数字航海通告的生成#11 2 ... 被引用次数: 1 文献引用-相似文献-同类文献 4. 船舶航海信息采集系统的设计与实现 宿巧丽 文献来自: 上海海运学院 2003年 硕士论文 CAJ下载 在线阅读 分章下载 分页下载 本论文主要介绍船舶航海信息采集系统(Marine Information Gathering System简称MIGS)。船舶航海信息对于航运管理起着重要的作用。通过对船上子系统航海信息数据的收集,卫星通信的传输,岸上子系统的接收、分析,实现了船公司对在航船舶动态的监控和航运的管理,并可向造... 被引用次数: 1 文献引用-相似文献-同类文献 5. 论归责原则与航海过失免责 石圣科 文献来自: 上海海运学院 2001年 硕士论文 CAJ下载 在线阅读 分章下载 分页下载 利用航海的社会条件之今昔对比,论证取消航海过失免责的可能性; 现代科学技术的发展,使船公司控制在航船舶成为可能,推翻了《哈特法》 支持船东于船员的驾驶船舶、管理船舶的过失兔责的最大理由一船公 ... 被引用次数: 1 文献引用-相似文献-同类文献 6. MFC框架下基于Vega的航海仿真系统视景驱动程序的开发 杜健 文献来自: 大连海事大学 2005年 硕士论文 CAJ下载 在线阅读 分章下载 分页下载 分类号 U DC 密级 单位代码10151 M「C框架下基于Vega的航海仿真系统视景驱动 程序的开发 (中文题名和副题名) 杜健 (研究生姓名) 指导教师 金一垂 职称 职称 学位授予单位 大连 事大学 申请学位级别 研究方向 ... 被引用次数: 1 文献引用-相似文献-同类文献 7. 船舶耐波性评价及其在航海安全中的应用 熊文海 文献来自: 武汉理工大学 2004年 硕士论文 CAJ下载 在线阅读 分章下载 分页下载 3@船舶甲板上浪、螺旋桨飞车的计算#31 第4章@船舶耐波性评价及其在航海中的应用#33 船舶耐波性评价的现状#33 船舶耐波性综合安全评价方程的建立#35 4 ... 被引用次数: 1 文献引用-相似文献-同类文献 8. 航海气象信息数字化研究 王昀 文献来自: 大连海事大学 2004年 硕士论文 CAJ下载 在线阅读 分章下载 分页下载 分类号 U DC 学校代码 10151 学位论文 航海气象信息数字化研究 /(题目) 王的 (作者姓名) 导师、职称东防教授 工作单位大连海事大学 申请学位级别硕士专业名称载运工具运用工程 论文提交日期2004年2月论文答辩日期20 ... 被引用次数: 0 文献引用-相似文献-同类文献 9. 航海英语缩略语的定量定性分析 赵月 文献来自: 大连海事大学 2006年 硕士论文 CAJ下载 在线阅读 分章下载 分页下载 学位论文 航海英语缩略语的定量定性分析 (题目) 赵月 (作者姓名) 指导教师 谭万成教授 申请学位级别 文学硕士 专业名称 外国语言学及应用语言学 学位授予单位 大连海事大学 ... 被引用次数: 0 文献引用-相似文献-同类文献 10. 航海英语中的模糊词 张光波 文献来自: 大连海事大学 2001年 硕士论文 CAJ下载 在线阅读 分章下载 分页下载 比较了航海英语库中的模糊词和其它语体中模糊词的分布特点。同时对航海英语库中出现的模糊词,进行了研究。在模糊词的应用方面,得出以下结论:航海英语是介于新闻英语和科技英语及法律英语之间的一种语体。 关键词: ... 被引用次数: 0 文献引用-相似文献-同类文献
答：论文答辩流程一：在职研究生学员必须在论文答辩会举行之前，将经过在职研究生指导老师审定并签署过意见的毕业论文一式五份连同提纲，草稿等交给在职研究生的指导教师，并拟出需要在职研究生论文答辩时提问的问题及答案。武汉理工大学在职研究生论文答辩流程二：在答辩会上，先让学员用15-20分钟左右的时间概述论文的标题以及选择该论题的原因，较详细地介绍在职研究生论文的主要论点，论据和写作体会。武汉理工大学在职研究生论文答辩流程三：主答辩老师提问。主答辩老师一般提三个问题，老师提问完后，可以让学生独立准备15-20分钟后，再来当场回答，根据学员回答的具体情况，主答辩老师和其他答辩老师随时可以有适当的插问；还有一种是即问即答的方式，不同专业的老师在答辩时会有不同的要求，会实现通过网络告知同学做好相关准备。武汉理工大学在职研究生论文答辩流程四，学员逐一回答完所有问题后，答辩委员会会做出简短的评价，之后会让考生在等候室休息或留在答辩的现场，之后会根据论文质量和答辩情况，集体商定通过还是不通过，并拟定成绩和评语。武汉理工大学在职研究生论文答辩流程五，主答辩老师当面向学员就论文和答辩过程中的情况加以小结，肯定其优点和长处，指出其错误或不足之处，并加以必要的补充和指点，同时当面向学员宣布通过或不通过。以上是武汉理工大学在职研究生论文答辩有哪些流程?相关信息，想了解更多在职研究生问题，可咨询我们的在线老师。考研政策不清晰？在职申硕有困惑？院校专业不好选？点击底部官网，有专业老师为你答疑解惑，211/985名校研究生硕士开放网申报名中。
学硕发一篇中文核心期刊，专硕没有此要求，通过硕士论文答辩
（1）S3C2440 的地址线 ADDR1-19 与 Am29LV800D 的地址线 A0-18 依次武汉理工大学硕士学位论文10相连。由于 NOR Flash 选择的是 512K×16Bit 存储形式，即 NOR Flash 的最小存储单位为 2 字节，而 S3C2440 最小寻址单位为 1 字节，因此需要将地址线的第二位 ADDR1 与 A0 相连，而 ADDR0 不与 NOR Flash 芯片相连。（2）16位数据线依次相连。其中端口DQ15/A-1有两种用途，如果NOR Flash芯片选择的是 1024K×8Bit 存储方式，该端口将作为最低位的地址线，而本文选择的是 512K×16Bit 存储方式，因此该端口用作数据线的最高位 DQ15。（3）CE 是片选信号，由于 NOR Flash 连接到 BANK0，因此需要用到 BANK0的片选信号 nGCS0。读使能 OE，写使能 WE 与 S3C2440 对应引脚相连。（4）RY/BY 表示 NOR Flash 是就绪还是繁忙的状态信息，此处没有使用，所以悬空。RESET 低电平有效，与电路的复位模块相连。（5）BYTE 是 NOR Flash 芯片读写方式的选择，高电平对应 16bit 模式，低电平对应 8bit 模式。本文使用的是 16bit 模式，因此直接接 VDD。（6）OM0，OM1 是 S3C2440 启动方式的选择。当 OM0=1，OM1=0 芯片置为 16bit 方式，并且将 NOR Flash 芯片映射到 BANK0 地址 0x0 处。S3C2440 只有 16bit 和 32bir 两种使用 NOR Flash 启动的方式，因此前面的 Am29LV800D 只能使用 16bit 读写方式，而不能使用 8bit 模式。 NOR Flash 的读写方式基本与内存一样，可以直接在其地址范围内进行读写。因此将启动程序拷贝到 NOR Flash 里面，上电后便可以直接运行。但 NOR Flash价格昂贵，而且 1M 容量也显不足，因此本系统还加上了一块 NAND Flash 芯片作为补充。 NAND Flash 存储器电路设计相对于 NOR Flash 的昂贵，NAND Flash 则要便宜很多，因此更适合作为较大容量的存储介质使用。1989 年东芝公司发表了 NAND Flash 技术（后将该技术无偿转让给韩国三星公司），NAND Flash 技术强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NAND Flash 结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。其缺点在于需要特殊的系统接口，并且 CPU 需要驱动程序才能从 NAND Flash 中读取数据，使用时一般是将数据从 NAND Flash 中拷贝到 SDRAM 中，再供 CPU 顺序执行，这也是大多数嵌入式系统不能从 NAND Flash 中启动的原因。S3C2440 不仅支持从 NOR Flash 启动，而且支持从 NAND Flash 启动。这是武汉理工大学硕士学位论文11因为从 NAND Flash 启动的时候，Flash 中开始 4k 的数据会被 S3C2440 自动地复制到芯片内部一个叫“Steppingstone”的 RAM 中，并把 0x0 设置为内部 RAM的起始地址，然后 CPU 从内部 RAM 的 0x0 位置开始执行。这个过程不需要程序干涉。而程序则可使用这 4k 代码来把更多数据从 NAND Flash 中拷贝到SDRAM 中去，从而实现从 NAND Flash 启动。选择是从 NOR Flash 启动，还是 NAND Flash 启动，需要对 OM0 和 OM1引脚进行不同的设置，如果常常需要切换启动模式，可以将这两个引脚接到跳线柱上，通过跳线夹对其进行设置。本文选用的是三星公司出品的 K9F1208U0B NAND Flash 芯片，该芯片容量为 64M×8bit。由于 S3C2440 已经内置了 NAND Flash 控制器，因此电路设计十分简单，不需要再外加控制芯片。电路图如图 2－4 所示。图 2－4 NAND Flash 电路图电路图说明：（1）由于 NAND Flash 芯片是以字节为单位存储的，因此的数据线 I/O0-7直接与 S3C2440 的数据线 DATA0-7 相连，不需要像 NOR Flash 那样偏移一位进行相连。I/O0-7 是充当地址，命令，数据复用的端口。（2）ALE 地址锁存允许，CLE 命令锁存允许，CE 片选，WE 写使能，RE读使能依次与 S3C2440 的 NAND Flash 控制器的引脚 ALE，CLE，nFCE，nFWE，nFRE 相连。（3）WP 写保护，这里没有用到，直接接到高电平使其无效。VCC 与电源相连，VSS 与地相连。武汉理工大学硕士学位论文12（4）当 OM0，OM1 均接地为 0 时，S3C2440 将会从 NAND Flash 中启动，内部 RAM“Steppingstone”将会被映射到 0x0 位置，取代本来在这个位置的 NOR Flash。上电时 NAND Flash 中的前 4K 数据会被自动拷贝到“Steppingstone”中，从而实现从 NAND Flash 启动。（5）NCON、GPG15 接地；GPG13、14 接电源。这四个引脚用来对 NAND Flash 进行设置。以上设置表示使用的 Flash 是普通 NAND Flash，一页的大小为512 字 节 ， 需 要 进 行 4 个 周 期 的 地 址 传 输 完 成 一 次 寻 址 操 作 （ 这 是 因 为K9F1208U0B 片内采用 26 位寻址方式，从第 0 位开始分四次通过 I/O0－I/O7 进行传送），数据位宽为 8bit。不同的芯片有不同的设置方式，以上是 K9F1208U0B的设置方式，其它芯片的设置方法需要参考 S3C2440 和具体使用的 NAND Flash芯片的数据手册。NAND Flash 不对应任何 BANK，因此不能对 NAND Flash 进行总线操作，也就无法像 NOR Flash 和 SDRAM 一样通过地址直接进行访问。对 NAND Flash存储芯片进行操作，必须通过 NAND Flash 控制器的专用寄存器才能完成。NAND Flash 的写操作必须以块方式进行，读操作可以按字节读取。对 K9F1208U0B 的操作是通过向命令寄存器（对于 S3C2440 来说此寄存器为 NFCMMD，内存映射地址为 0x4e000004）发送命令队列实现的，命令队列一般是连续几条命令或是一条命令加几个参数，具体的命令可以参考 K9F1208U0B的数据手册。地址寄存器把一个完整的 NAND Flash 地址分解成 Column Address与 Page Address 进行寻址。Column Address 是列地址，用来指定 Page 上的具体某个字节。Page Address 是页地址，用来确定读写操作是在 Flash 上的哪个页进行的，由于页地址总是以 512 字节对齐的，所以它的低 9 位总是 0。一个 26 位地址中的 A0~A7 是它的列地址，A9~A25 是它的页地址。当发送完命令后（例如读命令 00h 或 01h），地址将分 4 个周期发送。第一个周期是发送列地址。之后 3 个周期则是指定页地址。当发送完地址后，就可以通过数据寄存器对 NAND Flash 进行数据的读写。以上只是 S3C2440 的 NAND Flash 控制器的大致操作流程，具体操作方式需要参考数据手册。 SDRAM 存储器电路设计从 Flash 中读取数据的速度相对较慢，而 S3C2440 运行的速度却很快，其执行指令的速度远高于从 Flash 中读取指令的速度。如果仅按照数据从 Flash 读取，武汉理工大学硕士学位论文13然后再到芯片处理的方式设计系统，那么即使芯片的运算能力再强，在没有指令执行的情况下，它也只能等待。因此系统中还需要加入 SDRAM。SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是同步动态随机存取存储器，同步是指工作时需要同步时钟，内部命令的发送与数据的传输都以它为基准，动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失，随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。SDRAM 是与系统时钟同步工作的动态存储器，它具有数据吞吐量大，速度快，价格便宜等特点。SDRAM 在系统中的主要作用是作为程序代码的运行空间。当系统启动时，CPU 首先从复位地址处读取启动代码，在完成系统的初始化后，将程序代码调入 SDRAM 中运行，以提高系统的运行速度。同时，系统和用户堆栈、操作数据也存放在 SDRAM 中。由于 SDRAM 自身结构的特点，它需要定时刷新，这就要求硬件电路要有定时刷新的功能，S3C2440 芯片在片内集成了独立的 SDRAM 控制电路，可以很方便的与 SDRAM 连接，使系统得以稳定的运行。本设计使用的 SDRAM 芯片型号是 HY57V561620，存储容量为 4Bank×4M×l6bit，每个 Bank 为 8M 字节，总共大小为 32M。本系统通过两片 HY57V561620构建了 64MB 的 SDRAM 存储器系统，能满足嵌入式操作系统及较复杂算法的运行要求。电路图如图 2－5 所示。图 2－5 SDRAM 电路图电路图说明：（1）本系统使用两块 HY57V561620 芯片组成容量 64M 的 SDRAM。两片SDRAM 都是以 2 字节为单位进行存储，因此一次存储的最小容量为 4 字节。将一块芯片的数据线 DQ0-DQ15 与 S3C2440 的数据线低位 DATA0-DATA15 相连，武汉理工大学硕士学位论文14而另一块则与数据线的高位 DATA16-DATA31 相连。（2）两块 SDRAM 芯片地址线均与 S3C2440 地址线 ADDR2-ADDR14 依次相连。SDRAM 的内部是一个存储阵列，阵列就如同表格一样，将数据“填”进去，和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。正因为如此 ， 地 址 是 通 过 将 存 储 单 元 的 列 地 址 和 行 地 址 分 开 进 行 传 送 的 ， 因 此HY57V561620 只用了 13 根地址线便完成了一个 BANK（8M 大小）的寻址。否则按照正常情况 8M 大小的地址空间，按照字节传输，需要用到 24 根地址线。由于本系统由两块 16bit 的芯片组成，一次最小的存储单位为 4 字节，也就是说寻址的间隔应该为 4（22）字节。ADDR0 的间隔对应为 1 字节，ADDR1 为 2 字节，ADDR2 为 4 字节。因此 HY57V561620 需要从 ADDR2 开始连接，从而达到一次寻址的间隔为 4 字节的目的。（3）HY57V561620由 4个BANK组成，每个BANK大小为8M（4M×16bit）。因此在不同的 BANK 之间也需要寻址。由于一个 BANK 的大小为 8M=223，因此对间隔为 8M 的 BANK 空间寻址，需要使用从 ADDR24 开始的两根地址线。所以 BA0，BA1 分别接到 ADDR24，ADDR25。（4）LDQM，UDQM 为数据输入输出屏蔽，由 S3C2440 的 SDRAM 控制器使用，这里连接到低位数据线的芯片连接到 DQM0，DQM1；而连接到高位数据线的芯片连接到 DQM2，DQM3。具体连接方法可以查看 S3C2440 的数据手册。（5）片选信号 CS 连接到 SDRAM 的片选信号 nSCS0，两块芯片对应同一片选信号。这是因为两块芯片是按照高位，低位的方式连接的，他们处于同一地址空间。（6）RAS 行地址选通信号，CAS 列地址选通信号，WE 写使能，分别与S3C2440 相应的控制引脚 nSRAS、nSCAS、nWE 相连。CLK 时钟信号，CKE时钟使能信号分别连接到 SCKE、SCLK。使用程序读写 SDRAM 前，需要初始化 SDRAM，对一些配置寄存器进行设置。这里只使用了 BANK6，并未用到 BANK7。初始化的代码大致如下： void memsetup(void) { rBWSCON = 0x22111110; 武汉理工大学硕士学位论文15 rBANKCON0 = 0x700; rBANKCON1 = 0x700; rBANKCON2 = 0x700; rBANKCON3 = 0x700; rBANKCON4 = 0x700; rBANKCON5 = 0x700; rBANKCON6 = 0x18005; rBANKCON7 = 0x18005; rREFRESH = 0x8e07a3; rBANKSIZE = 0xb2; rMRSRB6 = 0x30; rMRSRB7 = 0x30; } BWSCON 寄存器这里主要用来设置位宽，其中每 4 位描述一个 BANK，对于本系统，使用的是两片容量为 32Mbyte、位宽为 16 的 SDRAM，组成了容量为 64Mbyte、位宽为 32 的存储器，因此要将 BANK6 设置为 32 位。BANKCON0-5没有用到，使用默认值 0x700 即可。BANKCON6-7 是用来设置 SDRAM，设成0x18005 意味着外接的是 SDRAM，且列地址位数为 9。REFRESH 寄存器用于设置SDRAM的刷新周期，查阅HY57V561620数据手册即可知道刷新周期的取值。BANKSIZE 设置 BANK6 与 BANK7 的大小。BANK6、BANK7 对应的地址空间与 BANK0~5 不同。BANK0~5 的地址空间大小都是固定的 128M，BANK7 的起始地址是可变的，本系统仅使用 BANK6 的 64M 空间，因此可以令该寄存器的位[2:0]＝010（128M/128M）或 001（64M/64M），多出来的空间会被检测出来，不会发生使用不存在内存的情况，因为Bootloader和Linux内核都会作内存检测。 触摸屏电路设计使用触摸屏 TSP（Touch Screen Panel）进行输入，是指用手指或其它物体触摸安装在显示器前端的触摸屏，将所触摸的位置（以坐标形式）由触摸屏控制器检测，并通过接口送到 CPU，从而确定输入的相应信息。触摸屏通过一定的物理机制，使用户直接在加载触摸屏的显示器上，通过触摸控制方式而非传统的鼠标键盘控制方式向计算机输入信息[14]。武汉理工大学硕士学位论文16根据其技术原理，触摸屏可分为矢量压力传感式、电阻式、电容式、红外式和表面声波式等五类，当前电阻式触摸屏在嵌入式系统中用的较多。电阻触摸屏是一个多层的复合膜，由一层玻璃或有机玻璃作为基层，表面涂有一层透明的导电层，上面盖有一层塑料层，它的内表面也涂有一层透明的导电层，在两层导电层之间有许多细小的透明隔离点把它们隔开绝缘。工业中常用 ITO（Indium Tin Oxide 氧化锡）作为导电层。电阻式触摸屏根据信号线数又分为四线、五线、六线……等类型。信号线数量越多，技术越复杂，坐标定位也越精确。所有电阻式触摸屏的基本原理都是类似的，当触摸屏幕时，平常绝缘的两层导电层在触摸点位置就有了一个接触，控制器检测到这个接通后，由于其中一面导电层接通 Y 轴方向的 5V 均匀电压，另一导电层将接触点的电压引至控制电路进行 A/D 转换，得到电压值后与 5V 相比，即可得触摸点的 Y 轴坐标，同理得出 X 轴的坐标[15]。本文使用是四线电阻式触摸屏。S3C2440 提供 8 路 A/D 模拟输入，其中有 4 路是与触摸屏复用的，如果 XP、XM、YP、YM 这 4 根引脚不用做触摸屏输入的时候可以作为普通的 A/D 转换使用。S3C2440 的触摸屏接口有四种工作模式：（1）正常转换模式：此模式与通用的 A/D 转换模式相似。此模式可在ADCCON（ADC 控制寄存器）中设置，在 ADCDAT0（数据寄存器 0）中完成数据读写。（2）X/Y 坐标各自转换：触摸屏控制器支持两种转换模式，X/Y 坐标各自转换与 X/Y 坐标自动转换。各自转换是在 X 模式下，将 X 坐标写入 ADCDAT0然后产生中断；在 Y 模式下，将 Y 坐标写入 ADCDAT1 然后产生中断。（3）X/Y 坐标自动转换：在此模式下，触摸屏控制器先后转换触摸点的 X坐标与 Y 坐标。当 X 坐标与 Y 坐标都转换完成时，会向中断控制器产生中断。（4）等待中断模式：当触摸笔按下时，触摸屏产生中断（INT_TC）。等待中断模式必须将寄存器 rADCTSC 设置为 0xd3；在触摸屏控制器产生中断以后，必须将此模式清除。本设计采用的触摸屏是由广州友善之臂公司提供的，并且已经加在 LCD 屏AA084VC03 之上，与 LCD 一起提供了一个对外接口。AA084VC03 是日本三菱公司的 寸 TFT-LCD，分辨率为 640x480，262K 色。本款触摸屏为四线电阻式触摸屏，使用 S3C2440 的触摸屏控制单元可以大大简化电路设计。具体电路图见下一小节中的图 2－6。AM29LV800D 看看对你有没有用