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晶体加工毕业论文

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如何增强珠宝鉴定证书对实物的确认性摘要:珠宝鉴定证书是珠宝首饰在销售过程中提供质量保证的关键。但是目前国内外不少检验机构所出具的珠宝鉴定证书对相应实物缺乏确认性。因此需要在实践中寻找和选择珠宝玉石的个性确认特征,并取一两处在证书上标注。其选择原则可以考虑三个方面,标注方法可采用放大照片或素描图。此项工作不仅具有商业意义和质量监督意叉,同时具有重要的法律意义。关键词:珠宝;证书;实物;确认性珠宝玉石鉴定证书(包括检验报告)是对珠宝玉石及其饰品进行科学鉴定和质量检验的凭证。在珠宝销售中提供必要的质量检验证书,是贯彻执行国家有关产品质量法律法规,杜绝以假乱真、以次充好,保护消费者和经营者合法权益,促进珠宝业健康有序发展的重要手段。要使鉴定证书真正起到上述重要作用,除了对实物鉴定检测所标注内容的真实性和准确性之外,证书与实物相符合的确认性是至关重要的。鉴定证书是相应珠宝实物的“身份证”,只有对实物具备了确认功能,才能起到证实珠宝玉石“身份”的作用。我国实行改革开放以后,在珠宝业复苏和发展的初期,一些单位出具的宝石鉴定证书上没有实物的照片,仅仅标注了被鉴定物品的尺寸和质量。这样的证书对所鉴定的实物是不具备确认性的,因而排除不了实物被人替换的可能性。随着珠宝业质量技术监督工作的健全和完善,今天的珠宝玉石质量检验机构所出具的鉴定证书,都已经附上了饰品的彩色图片。只要所用的照片图像清晰、色彩准确,能将珠宝具有个性特征的天然花纹形态、结构、构造特征清晰地显示出来,人们就可以根据这些自然个性特征一目了然地确认证书是否与实物相符合。一目前不少珠宝玉石鉴定证书缺乏对实物的确认性据笔者了解,目前国内外不少珠宝鉴定证书对相应实物缺乏确认性。究其原因,主要是这类证书上所附照片,显示不了相应实物的个性特征,这种情况尤其存在于钻石首饰的鉴定证书上。钻石由于体积小,磨工形态较为规整,特别是1克拉以下的戒面几乎都是圆钻式样。钻石折射反射强,净度达到宝石级的.一般照片上难以看出具有确认意义的个性特征,净度差异也分不清,甚至与同形态的合成立方氧化锆等仿冒品难以分辨。外行人往往只要照片上实物的款式相同就认可了。但金属架一般是用模具制作的,同一模具款式相同,因此它对于珠宝玉石鉴定证书与实物对照是不具确认性的。其它各类珠宝玉石戒面,体积往往也不大,当净度好、颜色均匀时,再加上表面反光,照片上也难以显示出个性确认特征。对于上述这类鉴定证书,如果相应珠宝玉石被用颜色、质感和形状、大小相似的仿冒品更换了,在照片上是难以看出来的。尽管这些证书都标注有饰品的总质量,其上所镶珠宝玉石与替换品如果密度不同,会使总质量发生改变,但造假者完全可以通过从饰品托架背面增补金属来调整总质量,以达到仿冒的目的。手镯和大的雕件,所用照片上物体尺寸一般比实物要小,如果石料颜色单一,又不具有个性特征的花纹,其照片往往也具备不了对实物的确认性。虽然照片能显示饰品工艺形态和工艺纹理特征,但使用电脑模拟雕刻技术,造假者完全可以用其它材料制作出同形的赝品。例如净度较好的水晶与玻璃制品、羊脂玉和玉髓、琥珀和松香等等,在一般照片上是难以区别开的。因此。属于上述情况的珠宝玉石鉴定证书不具备对实物的确认性,也就失去了仿伪能力。二寻找和选择珠宝玉石的个性确认特征笔者以前在珠宝玉石鉴定和出具证书工作中,就注意并设法解决了证书与实物间的确认问题。例如笔者曾出具了一份钻石为克拉的钻戒鉴定报告,因物主有急是去外地,连照片都来不及照。鉴定之后,我只好在鉴定报告上画了钻石素描图,并在旁边画了戒面显微包体素描图。其中一个包裹体形态很特殊,像一只猫,然后请物主在镜下校对图形是否准确,并在报告上作了校对签字。两年以后,钻石的主人想将此物出售给他人,但是买主不放心,同货主一起来找我,要求确认鉴定报告与实物是否相符。我将戒指放在镜下对准包裹体位置调整好焦距,找到了那只“猫”,请买主自己核对。他一眼就确认出来,说:“太高明了!这天然石头里长的东西,再有本事的人也伪造不出来!”当然,这个形态像猫的包裹体在世界上是独一无二的,但要在其它钻石中找到具有个性特征的包裹体也不难,其它珠宝玉石的情况也是如此。宝石内部的个性确认特征,最好是找晶体内部的包裹体,如固态包体、液态包体、气态包体或二相、三相包体等等。每个包体往往都具有自己独特的形态,它们问的组合方式(相互间的位置、距离等)常常也具有独到的个性特征。特别是那些具有鉴定意义的包体,既可作为确认特征,又是鉴定检测的重要凭证,具有双重意义。如果包体不显著,还可以选择宝石的一些特殊结构构造作为确认特征,如生长纹、色带、孔隙、裂纹,甚至表面或边缘的破损形态。只要这种形态特征人为不能复制,天然的有不易重现,都可以考虑作为个性确认特征。对玉石而言,明显的色彩形态、结构形态和大的裂绺,在一般清晰的照片上,都能显示出确认特征。但对那些色彩、结构、质地均一而无纹饰的玉石,只好寻找一些内部独特形态的显微特征在作为依据。如在显微镜下能找到一些色丝色点、棉点棉团、微细结构形态、细小裂绺等等。甚至外表加工所留下的砂眼、坑洞,只要其形态独特。不易出现相同的,人工也难以复制,也可以考虑作为个性确认特征。以上珠宝玉石的个性确认特征,在鉴定证书上,每件只需选择一至二处,其选择原则有三点:一是要特征独特而鲜明,人工难以模仿伪造,二是在珠宝饰品位置上要便于观察,如刻面宝石最好是选在从冠部就能看到的地方,未镶嵌戒面,透明度差的最好不要选在底面;三是个性确认特征最好是用十倍放大镜就能看清楚,以方便核对。但对于那些净度较高的珠宝玉石如钻石等,只好在显微镜下寻找那些细微的个性确认特征。三、确认特征在证书上的标注方法为了便于证书与实物间的确认,对于钻石和其它高档宝石,如果戒面较小,拍摄照片时最好将戒面加以放大。如果在一张垒貌照片上显示不出确认性,则需要加上一至两张具有个性确认特征的显微照片,将其组合成一个规整的方块,既便干标注照片间相互关系,又可以保持证书构图上的美感。照片贴好后要用细线条标注显微照片上个性确认特征在全貌照片上的位置和放大倍率。拍摄照片,要注意选择光源和调整照明方式,同时要控制好图像所需尺寸大小。如果不能拍摄显微照片,也可以参照国家标准GB/T16554-2002钻石分级证书净度素描图标注法,描绘个性确认特征。但描绘不能用符号描绘,要用写实的手法描绘出准确的图形,图形绘在贴显微照片的地方,用细线条引注在全貌照片上相应位置。个性确认特征是珠宝玉石中的天然密码,在珠宝鉴定证书上配合实物全貌照片进行标注,增强了证书与实物相符的确认性和仿伪功能,同时对鉴定检验机构和鉴定人的技术责任也起到确认作用。这对于那些利用证书缺乏确认性的弱点,把实物调换,将责任嫁祸于鉴定机构和鉴定人的不良动机,是一种有效的制约。因此,增强珠宝鉴定证书对实物的确认性,不仅有商业意义和质量监督意义,同时具有重要的法律意义。在珠宝玉石评估工作中出具评估报告和其它有关珠宝玉石事务的凭证中也可以参照使用。

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.不会写,复制的,参考吧。1 电子技术的发展 随着科学技术的发展和人类的进步,电子技术已经成了各种工程技术的核心,特别是进入信息时代以来,电子技术更是成了基本技术,其具体应用领域涵盖了通信领域、控制系统、测试系统、计算机等等各行各业。 电子技术的出现和应用,使人类进入了高新技术时代,电子技术诞生的历史虽短,但深入的领域却是最广最深,而且成为人类探索宇宙宏光世界和微观世界的物质技术和基础。电子科学技术是人类在生产斗争和科学实验中发展起来的。1883年美国发明家爱迪生发现了热电子效应,随后在1904年弗莱明利用这个效应制成了电子二极管,并证实了电子管具有“阀门”作用,它首先被用于无线电检波。1906年美国的德福雷斯在弗莱明的二极管中放进了第三电极—栅极而发明了电子三极管,从而建树了早期电子技术上最重要的里程碑。半个多世纪以来,电子管在电子技术中立下了很大功劳;但是电子管毕竟成本高,制造繁,体积大,耗电多,从1948年美国贝尔实验室的几位研究人员发明晶体管以来,在大多数领域中已逐渐用晶体管来取代电子管。但是,我们不能否定电子管的独特优点,在有些装置中,不论从稳定性、经济性或功率上考虑,还需要采用电子管。 集成电路的第一个样品是在1958年见诸于世的。集成电路的出现和应用,标志着电子技术发展到了一个新的阶段。它实现了材料、元件、电路三者之间的统一;同传统的电子元件的设计与生产方式、电路的结构形式有着本质的不同。随着集成电路制造工艺的进步,集成度越来越高,出现了在规模和超大规模集成电路(例如可在一块6平方毫米的硅片上制成一个完整的计算机),进一步显示出集成电路的优越性。按元器件集成度(芯片上所集成的元件数量)分为小规模集成电路(100个元件以上)SSI、中规模集成电路(100—1000个元件)MSI,大规模集成电路(1000—100000个元件)LSI,超大规模集成电路(100000个以上元件)VLSI等四种,现在集成度已达到数千亿。 随着半导体技术的发展和科学研究、生产、管理和生活等方面的要求,电子计算机应时而兴起,并且日益完善。从1946年诞生第一台电子计算机以来,已经经历了电子管、晶体管、集成电路及大规模集成电路、超大规模集成电路,每秒运算速度已达百亿次。现在正在研究开发第五代计算机(人工智能计算机),他们不依靠程序工作,而是依靠人工智能工作。特别是从70年代微型计算机以来,由于价廉、方便、可靠、小巧,大大加快了电子计算机的普及速度。例如个人计算机,它从诞生至今不过经历十多年时间,但是它的发展却跨越了多个阶段,走进了千家万户。集计算机、电视、电话、传真机、音响等于一体的多媒体计算机也纷纷问世。以多媒体计算机、光纤电缆和互联网络为基础的信息高速公路已成为计算机诞生以来的又一次信息变革。未来的人工智能更将给人们的生活与工作方式带来前所未有的变化,随身携带微型计算机已成为一种时尚。 数字控制和数字测量也在不断发展和得到日益广泛的应用。数字控制机床1952年研制出来以后,发展更快。“加工中心”多工序数字控制机床和“自适应” 数字控制机床相继出现。目前利用电子计算机对几十台乃至上百台数字控制机床进行集中控制也已经实现。由于大功率半导体器件的制造工艺日益完善,电力电子技术已是当今一门发展迅速、方兴未艾的科学技术,应用于中频电源、变频调速、直流输电、不间断电源等诸多方面,使半导体进入了强电领域。 电子水准是现代化的一个重要标志,由于工业是实现现代化的重要物质基础。电子工业的发展速度和技术水平,特别是电子计算机的高度发展及其在生产领域的广泛应用,直接影响到工业、农业、科学技术和国防建设,关系着社会主义建设的发展速度和国家的安危;也直接影响到亿万人民的物质、文化生活,关系着广大群众的切身利益。 为了进一步减小器件体积、提高器件性能,人们不断寻找先进电子材料。现在已经发现的先进的电子材料有:仿生智能材料、纳米材料、先进复合材料、低维材料(量子点、量子线巴基球和巴基管)、高温超导材料和生物电子材料等,先进电子材料正应用于新型电子器件的制造之中。新型电子材料的问世,将使电子技术向更高层次发展,这些材料将使今后的电子器件具有功能化、智能化、结构功能一体化,使电子器件尺寸进一步缩小,功能更全,运算速度更快,为分子器件、单电子器件、分子计算机和生物计算机打下了基础。 几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。 二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。

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《人工晶体学报》现为中文核心期刊、EI核心期刊,2011年中国期刊引证报告(核心版)发布的影响因子为,清华知网发布的影响因子为.

化学:1、高等学校化学学报2、分析化学3、化学学报4、催化学报5、无机化学学报6、物理化学学报7、有机化学8、分析试验室9、色谱10、分析测试学报11、化学通报12、分子科学学报13、分析科学学报14、中国科学。B辑,化学15、化学进展16、理化检验。化学分册17、分子催化18、化学研究与应用19、化学试剂20、功能高分子学报21、光谱实验室22、合成化学23、人工晶体学报24、感光科学与光化学(改名为:影像科学与光化学)25、计算机与应用化学26、核化学与放射化学化工:1、高分子材料科学与工程2、化工学报3、高分子学报4、化工进展5、精细化工6、现代化工7、高校化学工程学报8、膜科学与技术9、化工新型材料10、应用化学11、化学工程12、化学反应工程与工艺13、化学世界14、高分子通报15、过程工程学报16、精细石油化工17、天然气化工。C1,化学与化工18、离子交换与吸附具体排名要看每个杂志的期刊影响引子。

人工晶体的合成论文

第一作者发表文章30余篇,部分文章分列如下:1. Sun, X.; Wang, M.; Shi, W.; Fang, C. Study on the growth and Properties of Guanidine doped Triglycine sulfate Crystal Crystal Research and Technology, 1999, 34, 1251-12542. Sun, X.; Wang, M.; Shi, W.; Fang, C. Study on the growth and . properties of Urea doped TGS crystal Function materials, 2000, 31, 63-653. Sun, X.; Xu, X.; Fu, Y.; Wang, S.; Zeng, H.; Li, Y.; Effect of EDTA on the light scatter in KDP crystal J. Crystal Growth, 2000, 217, 404-4094. Sun, X.; Xu, X.; Fu, Y.; Wang, S.; Zeng, H.; Li, Y.; Effect of pyrophospahte on the light scatter in KDP crystal Chinese Science Bulletin, 2000, 455. Sun, X.; Xu, X.; Gao, Z.; Pyrophospahte on the light scatter in KDP crystal Piezoelectrics& Acoustooptics 2000, 22, 3826. Fu, Y.; Gao, Z.; Sun, X.; Wang, S.; Li, Y.; Zeng, H.; Luo, J.; Duan, A.; Wang, J.; Effects of Anions on Rapid Growth and Growth Habit of KDP Crystals Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials, 20007. Sun, X.; Xu, X.; Gao, Z.;Study on the light scatter in EDTA doped KDP crystal J. Optpelectronics&Laser, 2001, 12,8. Sun, X.; Xu, X.; Gao, Z.; Effect of EDTA on the optical properties of KDP crystals J. Optpelectronics&Laser 2001, 12,9. Sun, X.; Xu, X.; Gao, Z.; Fu, Y.; Wang, S.; Zeng, H.; Li, Yi.; Effect of pyrophospahte on the light scatter in KDP crystal Chinese Science Bulletin, 2001, 46,10. Sun, X.;Fu, Y.; Gao, Z.; Effects of impurities on growth habits of KDP crystal Chinese Science Bulletin,2001 13, 25211. Sun, X.;Fu, Y.; Gao, Z.; Effects of impurities on growth habits of KDP crystal Chinese Science Bulletin 2001, 14612. Sun, X.; Xu, X.; Gao, Z.; Effect of Boric Acid on Light Scatter in KDP crystal J. Shandong University, 2001, 26,, X.; Xu, X.; Gao, Z.; Fu, Y.; Wang, S.; Zeng, H.; Li, Yi.; J. Crystal Growth, 2001, 226, 52915. Sun, X.; Xu, X.; Gao, Z.; Fu, Y.; Wang, S.; Zeng, H.; Li, Yi.; Relation between phosphate caused light scatter in KDP crystal and its elimination Crystal Research and Technology, 2001, 36, 46516. Sun, X.; Xu, X.; Gao, et al., Effect of Thermal annealing on Scatter Centers in KDP crystals, J. Optpelectronics&Laser,200217. Sun, X.; Xu, X.; Gao, et al., Effect of Growth Condition on Scatter Centers in KDP Crystals, Piezoelectrics& Acoustooptics , , 2002,. Sun, X.; Xu, X.; Gao, et al., Inclusion in DKDP crystals, Chinese Science, Vol46, . Sun, X.; Xu, X.; Gao, et al., Study on Light scattering in KDP crystals, J. Inorganic Materials, , , 2002, 40-4420. Sunxun,Gao zhang-shou, Xu Xin-guang, et al., Inclusions in DKDP crystal, Chinese Science Bulletin, , , 2002, 173-17621. Sunxun, Xu Xin-guang, Sun Daliang, et al., Formation of Liquid Inclusion induced Scatter Centers in KDP(DKDP) crystals, Chinese Science, , 2002,447-45122. Sunxun, Xu Xin-guang, Wang Zhengping, et al., Study on Optical Properties of Rapidly Grown KDP crystal, 人工晶体学报,, ,Gao zhang-shou, Xu Xin-guang, et al., Scatter centers in Rapidly Grown KDP crystals, Crystal Research and Technology, 37 (2002) 120824. Xun Sun, Chang-shui Fang, Qing-tian Gu, Sheng-Lai Wang, et al., Formation of scatter particles in KDP (DKDP) crystals, In Press, Corrected Proof, Available online 22 January 2003

人工晶体的制备就是把组成晶体的基元(原子、分子或离子)解离后又重新使它们组合的过程。按照晶体组分解离手段的不同,人工晶体的制备主要有三大类:熔体法溶液法气相法

人工晶体的制备就是把组成晶体的基元(原子、分子或离子)解离后又重新使它们组合的过程。按照晶体组分解离手段的不同,人工晶体的制备主要有三大类:熔体法、溶液法和气相法。 一种晶体选择何种技术生长,取决于晶体的物理、化学性质和应用要求。选择的一般原则是:♣有利于快速生长出具有较高实用价值、符合一定技术要求的晶体;♣有利于提高晶体的完整性,严格控制晶体中的杂质和缺陷;♣有利于提高晶体的利用率、降低成本。生长大尺寸的晶体始终是晶体生长工作者追求的 重要目标;♣有利于晶体的后加工和器件化;♣有利于晶体生长的重复性和产业化;⒈溶液法生长溶液法的基本原理是将原料(溶质)溶解在溶剂(如水)中,采取适当的措施造成溶液的过饱和状态,使晶体在其中生长。具体地包含有水溶液法、水热法与助熔剂法等。⑴降温法基本原理:利用物质大的溶解度和较大的正溶解度温度系数,在晶体生长过程中逐渐降低温度,使析出的溶质不断在晶体上生长。关键:晶体生长过程中掌握适合的降温速度,使溶液始终处在亚稳态区内并维持适宜的过饱和度。要求:物质溶解度温度系数不低于℃。⑵恒温蒸发法基本原理:将溶剂不断蒸发,使溶液保持在过饱和状态,从而使晶体不断生长。特点:比较适合于溶解度较大而溶解度温度系数很小或者是具有负温度系数的物质。与流动法一样也是在恒温条件下进行的。(3)温差水热法基本原理:使用特殊设计的装置,人为地创造一个高温高压环境,由于高温高压下水的解离常数增大、黏度大大降低、水分子和离子的活动性增加,可使那些在通常条件下不溶或难溶于水的物质溶解度、水解程度极大提高,从而快速反应合成新的产物。

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