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苏步春教授发表论文

发布时间：2023-12-08 20:10:51

苏步春教授发表论文

本论文得到了以下主要结果: 1)利用择优腐蚀技术对Epi-SOI硅片外延层中缺陷的显示结果表明,外延层中的缺陷为位错,它们的形态为单根穿通位错(punch through dislocations)和位

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