半导体学术论文

半导体学术论文

1952年2月邹元爔到工学实验馆工作时，正是周仁等深入研究球墨铸铁之时，他们探索了加镁方法，研究合金元素和热处理对球墨铸铁金相结构和机械性能的影响，以及在铸件上的应用。此项成果获1956年国家自然科学三等奖。1953年我国急需开发内蒙古白云鄂博铁矿，建设包头钢铁公司。但该铁矿石中含有大量萤石和稀土元素，为世界所罕见。其高炉冶炼在世界炼铁史上也没有成熟的经验，是一项开拓性的工作。当时上海冶金陶瓷研究所所长周仁是中国科学院“两矿”（白云鄂博铁矿和大冶铁矿）领导小组组长，他知难而上，为冶金陶瓷研究所接下了白云鄂博铁矿石高炉冶炼的研究任务。他在所内进行了总动员，并迅速组织了会战组，同时任命邹元爔为研究该矿的技术总负责人。在周仁的组织引导和亲自参加下，邹元爔和徐元森等迅速建成了一座1立方米的试验小高炉，他们一方面进行实验室试验，同时也进行小高炉冶炼试验，系统地研究了氟在高炉冶炼中的行为，包括氟对高炉型炉渣的物理化学性能的影响和氟在高炉冶炼过程中的变化和分布规律。他们摸清了含氟炉渣对高炉冶炼的影响及其对不同耐火材料的侵蚀情况；阐明了氟从矿石和炉渣中挥发的机理及其对高炉钢结构的腐蚀情况；提出了白云鄂博矿的造渣制度和提高冶炼强度的方案；解决了氟对高炉钢结构和对高炉耐火砖衬的腐蚀问题。为苏联专家设计包钢炼铁高炉提供了可靠的关键技术资料和理论依据。特别是高炉耐火砖衬问题，苏联专家设计时原计划仅在高炉缸部分用炭砖，而周仁、邹元爔等的研究表明，高铝砖和铝镁砖等在高氟炉渣中都很快就被侵蚀，只有炭砖才能抗高氟炉渣的侵蚀，才改为从炉缸到炉身下部（风口带除外）全部改用炭砖，避免了一次可能发生的大事故。这项研究工作获得了1982年国家自然科学三等奖。为了从含4%～5%稀土氧化物的包钢高炉渣中提取宝贵的稀土元素，邹元爔提出用硅铁还原法还原渣中稀土元素，制造稀土硅铁合金成功。当时称这种合金为“包钢第一号合金”。此法具有原料低廉和设备简单等优点，为我国稀土资源综合利用作出了重要贡献。这种回收稀土金属的工艺在世界上没有先例，因此获得1965年国家创造发明二等奖，并多次受到国家领导人的表扬。1957年国家急于开发攀枝花钒钛磁铁矿，其高炉冶炼也是世界上的一大难题。徐元森和邹元爔等系统地研究了含钛高炉型炉渣的物理化学性质及矿物组成，探明了含钛炉渣在高炉冶炼条件下变稠的机理，在1立方米小型试验炉上进行试验时，根据徐元森的建议，创造性地采用了特种吹炼风口，解决了高钛渣堵塞炉缸的技术关键，为攀枝花钢铁公司高炉设计和冶炼方案的选择，提供了可靠的技术资料和理论依据。该项工作于1982年获国家自然科学四等奖。同一时期内，邹元爔还领导了湿法冶金和炼钢等研究，如钴的提取、氧化铝的浸出、氧化钛和锰的提取等，成果出色，为我国多种矿产的综合利用做出了重要贡献。冶金物理化学中的“活度”概念是研究高温熔体实际反应的有力工具，它可理解为“有效的浓度”。邹元爔在1947年向美国卡内基理工学院提交的博士论文《在液态铁和银之间某些元素的分配》中，利用液态铁和银互不相熔的特性，成功地测定和计算了铜、锰、硅和硫等元素在液态铁中的活度系数及其受铁中碳的影响，修正了炼钢过程中传统的脱硫机理，并为液态金属中元素活度的测定提供了新的途径。这一研究工作的成功，不仅使他雄踞全校毕业生之首，也为他以后的事业奠定了基础。1952年起，邹元爔创建并领导了上海冶金陶瓷研究所冶金物理化学研究工作，完成了《氟对高炉炉渣粘度、熔化性及脱硫力的影响》等30多篇系列性的学术论文，分别刊登在《中国科学》、《金属学报》和《科学通报》等学术刊物上。这些论文内容广泛，涉及熔渣和金属中组分的活度、渣和金属间的平衡、火法和湿法冶金过程的物理化学基本理论。所完成的大量二元系、三元系冶金体系中组分活度和金属间化合物生成自由能的研究，为冶金物理化学积累了宝贵的数据，其中不少内容已被收入大学教科书和大百科全书。此外，在活度测量中，邹元爔打破了黑色冶金工作者常用铁作金属相的传统做法，采用某些有色金属相，然后借助变通吉布斯—杜亥姆公式和两组元活度系数之和或商来分别求得各组分的活度，从而成功地解决了国际上长期存在的坩埚材料选择和化学反应设计以及微量元素活度测定等难题。在邹元爔的领导下，上海冶金陶瓷研究所50～60年代的冶金物理化学研究水平，不仅在国内领先，而且在国际上也较有声誉。60年代开始，根据世界科技发展趋势，邹元爔急国家之所急，不顾高龄，毅然转向纯金属和化合物半导体材料的研究领域。他将冶金原理应用到高纯元素的提纯和化合物半导体材料的制备。他巧妙地利用冶金熔体间反应，以及沉淀精炼、分级结晶、萃取、升华、精馏和真空蒸馏等多种方法以提纯单质元素。在他领导下，镓、磷、砷等高纯元素的制备工艺在国内有关工厂推广，并分别得到1964年国家计委、国家科委、国家经委工业新产品三等奖。为了实现砷化镓、锑化铟、砷化铟和铟锑铋等Ⅲ-Ⅴ族化合物晶体的高纯度生长，邹元爔从分析晶体中剩余施主和受主的本质出发，提出并完成了常用的石英容器进行高温特殊处理的方法，从而大幅度降低石英中杂质钠和一些重金属元素的含量。此方法在1983年获国家发明三等奖。此外，在邹元爔指导下完成了石英舟涂膜新工艺，常压液封原位凝固生长不掺杂的半绝缘砷化镓单晶新方法，以及倾侧法液相外延生长高质量砷化镓薄膜等研究。这些工作在1985年获国家科技进步二等奖。邹元爔发表的关于半导体物理化学方面的学术论文共70多篇。他的贡献不仅在于将冶金物理化学的原理延伸到半导体材料的研究中；更重要的是，他将固体半导体材料缺陷和冶金熔体这两个看来完全不同的学科领域统一于化学这门基础学科之中，为物理化学的应用、发展和开拓作出了重要贡献。70年代开始，邹元爔从冶金学的角度提出了有关砷化镓质量的三个关键问题，即未知受主、结构缺陷和“迁移率刽子手”。1972年他总结了国内外不同方法生长的N型砷化镓载流子浓度和迁移率的数以百计的数据，从中归纳出剩余受主与剩余施主浓度之间的一个相关函数关系。据此他大胆地预言砷化镓材料中存在着当时人们尚未认识到的受主缺陷种类，即所谓“未知受主”，它们影响着材料的补偿度。通过实验，他发现化学杂质钠就是常被忽视的未知受主之一。后来随着砷化镓纯度进一步提高，他又发现未知受主中除钠外，还存在着某些受主型结构缺陷（非杂质）。1974年，邹元爔根据砷化镓中一些缺陷间的反应，推测可能存在GaAsVGa和AsGaVGa两个能级位置不同的受主缺陷，它们相伴存在，并且浓度几乎相等。这个预言，在1975年被国外学者（朗）（Lang）和（劳根）（Logan）用当时新发明的深能级瞬态能谱仪的测试结果所证实。这两个受主缺陷命名为A和B陷阱。“迁移率刽子手”实质上是一种空间电荷散射中心，它对载流子的散射截面比普通电离杂质的几乎大2个数量级，严重影响了砷化镓材料的电学性能。在邹元爔领导下，对液相外延和气相外延砷化镓材料作了大量实验，揭示了它的微观结构是某种硅氧复合体。80年代初，随着人们对半导体材料中缺陷研究的不断深入和砷化镓器件的迅速发展，国际上不少理论学家和实验学家的注意力纷纷集中到砷化镓材料中所谓“EL2”的深施主能级的缺陷本性上。这种缺陷在不同方法生长的砷化镓材料中普遍存在，且具有许多异常性质，并对大规模集成电路等器件性能起着决定性的影响。70年代在结构缺陷研究的基础上，1981年邹元爔应用物理化学质量作用定律，在国际上首次提出EL2缺陷可能为AsGaVAsVGa三元络合物。其后，各国科学家根据各自的实验数据先后从不同侧面提出了EL2缺陷可能为孤立反位原子和其它二元、三元络合物等十多种看法。这些科学家大多采用物理学的研究方法。邹元爔等不仅认真研究了所有这些结果，而且分析了各种变化条件下某些缺陷的相互消长关系及其内在联系，从而较全面地总结出EL2缺陷的有力判别标准，即“指纹特征”。以后又根据量子化学计算和电子顺磁共震实验等结果，应用物理化学相律原理，进一步提出了晶体中EL2缺陷的生成机理，低温光照下EL2缺陷出现亚稳态的机理以及“EL2族”现象的实质等，从而构成了一个较完整的EL2缺陷模型。邹元爔去世后，这一模型被国际学术界称为“邹氏模型”，认为它能详尽地解释EL2的几乎所有的电学和光学性质，并称赞邹元爔等所用的物理化学方法是鉴别半导体材料中深能级点缺陷本性的十分有用手段。邹元爔的上述半导体物理化学方面的成果获1987年国家自然科学三等奖和1991年中国科学院自然科学一等奖。

学术论文指导的（三）摘要（Abstract）

论文一般应有摘要，有些为了国际交流，还有外文（多用英文）摘要。它是论文内容不加注释和评论的简短陈述。其他用是不阅读论文全文即能获得必要的信息。摘要应包含以下内容：①从事这一研究的目的和重要性；②研究的主要内容，指明完成了哪些工作；③获得的基本结论和研究成果，突出论文的新见解；④结论或结果的意义。论文摘要虽然要反映以上内容，但文字必须十分简炼，内容亦需充分概括，篇幅大小一般限制其字数不超过论文字数的5%。例如，对于6000字的一篇论文，其摘要一般不超出300字。论文摘要不要列举例证，不讲研究过程，不用图表，不给化学结构式，也不要作自我评价。[示例]论文题目：天体对地球重力加速度的影响论文摘要：地球重力加速度是一个极其重要的物理量，随着对重力加速度测量精度要求的日益提高，必须考虑天体对地球重力加速度的影响。本文介绍了天体（包含日、月及太阳系行星）对地球重力加速度影响的基本概念，推导了影响的计算公式，并经过误差分析，证明此公式的相对误差小于1×10-9，完全可满足现代精密重力加速度测量的要求。撰写论文摘要的常见毛病，一是照搬论文正文中的小标题（目录）或论文结论部分的文字；二是内容不浓缩、不概括，文字篇幅过长。[示例]论文题目：集成电路热模拟模型和算法论文提要：众所周知，半导体器件的各种特性参数都是温度的灵敏函数学[诸如ls(T),B(T),C1(T),Cp(T)……]。集成电路将大量元件集成在一块苡片上，电路工作时，元件功耗将产生热量，沿晶片向四周扩散。但是由于半导体片及基座材料具有热阻，因此芯片上各点温度不可能相同。特别对于功率集成电路，大功率元件区域将有较高温度所以在芯片上存在着不均匀的温度分布。但是为了简化计算，一般在分析集成电路性能时，常常忽略这种温度差别，假定所有元件者处于同一温度下。例如通用的电路模拟程序--SPICE就是这样处理的。显然这一假定对集成电路带来计算误差。对于功率集成电路误差将更大。因此，如何计算集成电路芯片上的温度分布，如何计算元件温度不同时的电路特性，以及如何考虑芯片上热、电相互作用，这就是本文的目的。本文介绍集成电路的热模拟模型，并将热路问题模拟成电路问题，然后用电路模拟程序求解芯片温度分由。这样做可以利用成熟的电路分析程序，使计算的速度和精度大为提高。作者根据这一模型和算法，编制了一个YM-LiN-3的FORTRAN程序，它可以确定芯片温度分布，也可发计算元件处于不同温度时的电路特性，该程序在微机IBM-PC上通过，得到满意结果。上述论文提要字数近600，显然过长，只要认真加以修改（例如：第一段可删掉，第二段只保留其中的最后几句话，加上第三段），便可以二三百个字编写论文摘要。

张建新的发表论文及获奖

发表论文：1. 张建新. Fe-Mn-Si合金热循环时g－e马氏体相变特征.河北工业大学学报，2000，29（4）70-722. 张建新，王瑞祥，谷南驹. 恒定外力对CuZnAl弹簧形状记忆性能和动作温度的影响.河北工业大学学报，2001，30（2）25-283. Gu Nanju，Zhang of Chracteristics of Cu-Zn-Al SMA Under Loaded Thermal-Recycleing and Design of Manual and Auto Temperature-Influencing，International Conference ’2000SMST(国际形状记忆材料和超弹性技术及在工程和生物医学应用讨论会，2000，5月，CA(USA)4. 张谨，谷南驹，张建新，王文水. 不同热处理对Cu-Al-Mn合金形状记忆效应和马氏体转变温度的影响.有色金属，2001，53（1）56-595. 张维连，李嘉席，陈洪建，孙军生，张建新，张恩怀. 掺锗CZSi原生晶体中氧的微沉淀，半导体学报，2002， 23（10）1073-10776. 王凯杰，张建新，薛俊明，管智贇，刘金彪，耿新华. VHF -PECVD法沉积大面积硅基薄膜的均匀性问题，半导体集成电路－硅材料学术会议论文集，2003，深圳，251-253成果获奖：谷南驹，林成新，张建新，等，马氏体相变及形状记忆合金研究. 河北省科技进步一等奖，2000年

半导体学报是sci几区

《半导体学报》是中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物。它报道半导体物理学、半导体科学技术和相关科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，内容包括半导体超晶格和微结构物理，半导体材料物理，包括量子点和量子线等材料在内的新型半导体材料的生长及性质测试，半导体器件物理，新型半导体器件，集成电路的CAD设计和研制，新工艺，半导体光电子器件和光电集成，与半导体器件相关的薄膜生长工艺，性质和应用等等。本刊与物理类期刊和电子类期刊不同，是以半导体和相关材料为中心的，从物理，材料，器件到应用的，从研究到技术开发的，跨越物理和信息两个学科的综合性学术刊物。《半导体学报》发表中、英文稿件。《半导体学报》被世界四大检索系统（美国工程索引(EI)，化学文摘(CA)，英国科学文摘(SA)，俄罗斯文摘杂志(РЖ)）收录。
《半导体学报》1980年创刊。现为月刊，每期190页左右，国内外公开发行。每期均有英文目次，每篇中文论文均有英文摘要。《半导体学报》主编为王守武院士。国内定价为35元。主要读者对象是从事半导体科学研究、技术开发、生产及相关学科的科技人员、管理人员和大专院校的师生。国内读者可直接到全国各地邮局订阅。