年终 工作 总结 的写作过程，既是对自身 社会实践 活动的回顾过程，下面就让我带你去看看维修电工技术工作总结 报告 范文 5篇，希望能帮助到大家!维修电工技术 总结报告 120____年，也是本人在____物业有限公司工程部工作的第二年，在这一年的时间里，本人能够遵纪守法，认真学习，努力钻研，扎实工作，以勤勤恳恳，兢兢业业的态度对待本职工作，在运维岗位上发挥了应有的作用，作出了贡献，总结主要如下几方面：一、 爱岗敬业 ，扎实工作，协助领导完成接收工作今年，根据公司工作的按排，本人在____月份由____调至____新闻中心运维组，从事电工维修。在岗位变动过程中，本人能够顾全大局，服从领导按排;接收期间，执行领导的指示，对所负责的交接项目进行认真检查，对异常，损坏，故障等有问题的设备第一时间上报，要求原单位物业及时处理，协助领导做好接收工作。二、熟悉地理位置以及各区域机房，电房设备初来新闻中心，对这里的环境，设备都是完全不熟悉，而原百花物业也不配合，所以很多东西都是靠自己以往的 经验 通过摸索，思考和总结，再加上____主管、____主管的亲自讲解，培训以及按排一些有非常丰富经验的师傅前来讲解，现在对这里的地理位置、中央空调系统、高低压电路系统、消防系统、生活用水和园林绿化系统、电梯系统等都相当熟悉，可以独立上岗。三、做好中央空调和高低压电路系统的运行和保养工作中央空调方面，根据客户的需求，季节、天气情况，合理控制中央空调，并做好运行记录工作，对各项参数认真看，发现异常认真分析原因并上报，通知保养单位迅速前来处理。保养方面，因原物业公司对以前的中央空调系统完全没有做保养工作，致使冷却系统内壁生锈，损坏，根据领导的按排，严格执行领导的要求，加强外单位的保养监督工作，按排班员专人监督跟进，要求做到每星期定期清洗，每月定期加药水，有保养不到位的地方要求其立刻处理，防止外单位保养人员，马虎了事，致使冷却系统进一步损坏，保证空调主机正常运行。而另一方面，在____主管的制定下，每月按排班员对机房地面、空调主机，冷却泵，冷冻泵的表面进行了清洁，并定期对冷却泵，冷冻泵轴承进行加雪油等保养工作。高低压系统方面，加强了高压保养单位的保养工作，要求每星期进行检查俩次，发现问题及时前来处理，低压方面刚接手时，公用电房2号电容补偿柜接触器曾出现线路松脱，致使相线触碰电柜外壳对地烧毁接触器现象，根据领导的按排，严格执行领导要求，对所有电房的电容补偿柜内所有的触点进行了全面加固处理，对有问题的电容进行更换，对公用电房(没有空调)的电容柜作开门并用风扇散热。以及对各楼层的电井进行清洁，触点加固，更换损坏的指示灯等全面排查，还对所有电房的地面卫生定期清洁，保证设备在良好的环境下运行。四、对运维组人员进行中央空调培训在领导的按排和支持下，本人对运维组人员进行了简单的中央空调讲解，一些对空调不熟或者部分完全没有接触过空调的员工都收到了少少效果，而自己在表达能力，自信心等方面都得到了较大的提升，也对自己的空调知识进一步加固，在此多谢____主管、____主管等领导对本人的信任和支持。五、做好班员的管理工作、做好上级按排的任务和新闻单位的来电报修工作本人以身作则，要求班员遵纪守法，遵纪公司的 规章制度 ，做到不迟到，不早退，加强班员的责任心培训，认真做好设备的检查工作和运行记录工作。对上级按排的工作，合理按排，调动班员，迅速处理。对新闻中心的来电报修，认真听讲，记录来电的单位，报修内容以及故障的位置等，迅速调动班员迅速处理，对较大的故障或不能处理的问题认真向客户解释并上报处理。以上主要是这一年来的主要工作情况，有可喜的也有需要提高的，喜的是在这里做了班组的负责人，得到了少少的管理经验，而且在这个接收过程中也学会了很多知识，技能也得到了进一步的提升，而需要提高的是管理的水平，人际关系处理以及技术技能也需要进一步提高，所以我一定会更加努力，争取明年更上一层楼。维修电工技术总结报告2维修电工工作总结本人自年月参加工作，经厂三级 教育 后分到电器车间维修班，从事电器维修工作，工作中严格要求自己，虚心向师傅、同事请教，并能通过理论结合实践，使自己的业务水平不断提高，曾多次参加或独立承接电器设备的安装改造项目，并连续多年被单位授予先进工作者、 安全生产 者等荣誉。1992年因生产需要厂内新上两台氮氢压缩机，电器部分是1250kw/6kv同步电机，我很荣幸地参加了工程安装的全过程，从线槽的定位、铁件的制作到高低电缆的布线，从电机的检测、接线，到高压开关柜的安装调试，以及现场控制柜的机械调试，辅助开关的调整以及高压电缆头的制作，首次接触到kglf-11型励磁柜的安装调试，并从中学到了一些同步电机安装的技术要点，使自己有了新的提高。在工作中不墨守成规，敢于创新是一个优秀维修工必须具备的优点，我所在的合成维修班所负责的电器设备的供电负荷大约占全厂总负荷量的60%左右，光是6kv的高压同步电机620kw至3100kw大小不等的电机就有15台，再加上为之匹配的各种异步电动机等200多台，这对于只有六、七个人的维修班来说，每天的工作量可想而知，特别是到夏天因环境温度升高而造成的同步励磁柜故障，经常困扰着我们，在繁琐重复的工作中，我注意到同步机励磁柜中的变压器运行时，散发出的高温是使励磁控制电路电子元件参数发生变化的主要原因，从而导致系统失控，引起设备故障，因此我向车间领导提出了改造励磁柜的想法，经领导反复论证后进行了整改，把原有励磁柜中的变压器从柜子中分离出来，放置在一个专门的变压器室内进行统一散热，控制回路中用38w的轴流风机取代原来800w的风机进行降温，这样既降低了噪音，又优化了操作环境，这样困扰我们多年的难题迎刃而解了，到现在为止，我们已经完成了用智能模块控制器取代原有的电子插件模拟控制，彻底解决了设备运行中存在的问题，稳定了生产。业务水平的不断提高，来源于实际工作中经验积累的过程。____年至____年企业因扩大生产，我先后参加了75吨锅炉电器高压部分的安装、4.4米变换项目、1200kwa变压器及低压配电室的安装项目、1.6米合成1300kw电炉的安装项目等，在安装合成塔电炉的项目中我经反复试验，摸索出组装合成塔小盖电极杆的一套成功经验，用我们预先制造好的模具放入装有云母管的电极杆小盖，绕上细石棉绳抹上硅胶(耐高温)在模具与电极杆之间用5吨千斤顶一次压制成型，而后烘干，这样用顶压法取代螺母拧压法。保证了电极杆组装过程中的稳定性，从而在使用中既经受的起320公斤高压其他的冲击，又能耐受490°高温的考验，我们厂也从此结束了聘请外来技术人员解决难题的历史。____年9月因工作表现突出，我被调到尿素维修班担任班长，这期间，我先后组织安装了6kv/850kv高压电机项目，____年我们班先后承接了厂里新上变压吸附配电室，包括1600kva变压器在内的全套工程项目以及新上620kv/6kv变脱泵电机的安装调试，空压站90kw空压机plc的安装与调试等，由于尿素工序环境腐蚀性强、电气设备散乱，____年我组织人员对一、二尿配电室内所有变频器进行了整改，分别组建了专门的变频器室，净化了环境，也减少故障，并实现了总控室操作人员的屏面检测与集中控制，使原有的操作简单易行，一目了然，还方便了维修人员的检修、维护。企业生产，安全第一。这特别对我们从事危险行业的工作人员来说，意义更为重大。运用所掌握的技术来解决生产中存在的问题，是一个技术人员义不容辞的责任。____年夏天，我在尿素包装工段巡检时发现操作工脚下的缝包机控制开关是380v的电源电压，于是我萌发了把原来380v控制回路改成36v安全电压的控制，改造后解决了潜在的安全隐患，达到了安全生产的目的。二十多年的工作经验告诉我，做一个优秀的技术人员，不仅要有吃苦耐劳、精益求精、不断进取的精神，还必须具备胆大心细、灵活多变、敢于创新的性格，我为自己成为一名优秀的技术工人而深感自豪。维修电工技术总结报告3维修电工技术总结转眼件，____年已经过去，回想来敬业工作中的这段时间，使我认识到了供电车的重要性和自己业务技能欠缺的主观事实，让我从心里认识到了自己只有学好专业技能才能保证生产的正常用电、安全用电。记得出徒考试那天，敬业站4#变突然停电，造成了南区班组管辖范围内的：65㎡带烧1段、7#8#炉2段及新1#炉配电室的1段2段母线全部停电。这次停电事故不紧影响了大面积正常生产，最严中的是因为停电在新1#炉发生了安全事故，这次事故充分证明了供电的重要性，所以作为供电的维修工的自己，要有高度的责任心，来保证供电系统的正常运行。在每次设备检修时，看到每位师傅胸有成竹的样子，使自己感觉到自己知识浅薄，为不能做好师傅的帮手感到内疚。所以，我因该加强学习，争取在短时间内赶上去，在工作中做上级领导和师傅的好帮手。这几个月的工作中，其实还发现自己还有很多问题，如：做事标准底、责任心欠缺、做事懒散等能直接影响工作的问题，所以，在以后的工作和生活中要加劲努力，改掉自己不足，让自己的工作上个新台阶。维修电工技术总结报告4一、目的和意义通过实训，为学生今后的专业实验、 毕业 设计准备必要的工艺知识和操作技能，同时培养学生严谨的工作作风和良好的工作习惯。既是基本技能和工艺知识的入门向导，又是创新实践的开始和创新精神的启蒙。二、实训内容实训项目一：安全用电(一)必须认识到安全用电的重要性安全用电知识是关于如何预防用电事故及保障人身、设备安全的知识。在电子装焊调试中，要使用各种工具、电子仪器等设备，同时还要接触危险的高电压，如果不掌握必要的 安全知识 ，操作中缺乏足够的警惕，就可能发生人身、设备事故。所以必须在了解触电对人体的危害和造成触电原因的基础上，掌握一些安全用电知识，做到防患未然。(二)触电及相关防护策施1.触电的种类：(1)电伤，电伤通常有灼伤、电烙伤、皮肤金属化三种。电伤对人体造成的危害一般是非致命的。(2)电击，是指电流流过人体，严重影响人体呼吸、心脏和神经系统，造成肌肉痉挛、神经紊乱，导致呼吸停止，严重危害生命的触电事故。触电死亡大部分是电击造成的。决定电击强度的是流经人体的电流，而非电压。2.影响触电造成人体伤害程度的因素：电流的大小、电流种类、电流作用时间、电流途径、人体电阻。人体电阻会随着人体皮肤的干燥程度和人的年龄而变化。干燥时可呈现100 000欧姆以上，二潮湿时，电阻可降到1000欧姆以下，并且随着人的年龄的增加而变大。3.触电原因：直接触电、间接触电、静电触电、跨步电压引起的触电。4.防止触电的技术 措施 ：(1)保护接地和保护接零(2)触电保护装置还有一点比较重要就是若真的看到别人发生触电，该采取些什么样的措施。先保证把电源断开或用绝缘体把电线从触电者身上移开，若触电者呼吸停止但有心跳，应对其进行人工呼吸或胸外心脏挤压。实训项目二：常用工具的使用(一)、照明电路的组装常用工具(一)的实训内容：熟悉和掌握常用电工电子工具的结构、性能、使用 方法 和操作规范。有螺丝刀、钳子、电工刀等。照明电路的组装的实训内容：(一)一灯一开关控制的白炽灯照明电路组装。线路上依次火线接开关，白炽灯、之后接零线，便构成回路。(二)日光灯照明电路的组装：其主要由开关、启辉器、镇流器和日光灯等部分组成。(三)双控照明电路的组装：两个开关中的任何一个无论处于什么状态，另一个开关都能独立地控制电灯的开、关。实训项目三：常用电子仪器的使用1.实训项初步掌握SS4323直流稳压电源的使用方法 2.初步掌握UT58D数字万用表的使用方法 3.初步掌握AS101E函数信号发生器的使用方法 4.初步掌握SS-7802A模拟示波器和TDS1012数字存储示波器的使用方法。实训项目四：常用电子元器件的认识与检测(一)通过静态和动态的方法，初步认识电阻及掌握其检测方法(二)通过静态和动态的方法，初步认识电位器及掌握其检测方法(三)通过静态和动态的方法，初步认识电容及掌握其检测方法(四)通过静态和动态的方法，初步认识电感及掌握其检测方法(五)通过静态和动态的方法，初步认识二极管及掌握其检测方法(六)通过静态和动态的方法，初步认识三极管及掌握其检测方法。实训项目五：常用工具的使用(二)、焊锡训练常用工具的使用(二)的实训内容：继续来熟悉和掌握常用电工电子工具的结构、性能、使用方法和操作规范：电烙铁。焊锡训练的实训内容：印制电路板的焊接练习。其内容：在万用板上焊接一个如书上的图的无稳态多谢振荡电路并通电测试，若两个发光二极管能轮流发光，则表明电路焊接正确。实训项目六：印刷电路板(PCB)的制作与电路调试，制作一个555振荡电路。三、实训总结或体会第一周的时候我进行了电子电工的实训，师傅给我们讲了安全用电的有关知识，这个跟我们的日常生活都有关，而且让我们对如何安全用电等的知识在原有的基础有了进一步的了解，通过师傅的讲解，我学习到了安全用电的基本知识，懂得安全用电的重要意义，并且这为电工电子实训和以后的学习、工作、生活中安全用电奠定基础。为期一周的电子电工实训，师傅也大致的向我们叙述了一下今后的实训计划并且说明了一些要求和注意事项，这也让我对往后的实训充满期待和好奇。第二周我们进行了照明电路的组装，在听师傅介绍我们这节课的内容后，我们开始动手。我们是两个人一组，自己动手把线路连接好，然后接通电路，让电灯亮。看到自己组装的灯亮了，很开心，师傅过来签名时也许也觉得我们像个小孩，分享着我们的喜悦，微笑着帮我们签了名。这次我们组进行的很顺利，虽然过程中也有遇到一些些小难题，但在师傅的耐心并且细心的讲解下我们及时改正也是不成阻碍，师傅总是能一针见血的指出我们的问题所在，并且给与我们正确的引导，并且同时教会了我们如何去找出出错的地方。在这次实操过程中让我初步亲身体验到电子电工是怎样的。通过这次的组装让我们了解到了什么是白炽灯、日光灯以及白炽灯、日光灯照明电路的基本组成。第三周我们进行常用电子仪器的使用这个项目。我们在师傅的讲解下了解了直流稳压电源、万用表、信号发生器、示波器等常用电子仪器的功能后开始操作。我在使用示波器提进行校准信号方波的测量得到以下数据：峰值为0.44V，周期为10.4mA，频率为0.096Hz;测得1.5KHz、10dB的正弦波的峰峰值为5.5V，则峰值为2.75V，周期为17mA，则由周期计算出频率，与显示的频率比较相差较小。通过这节课我掌握了直流稳压电源、万用表、信号发生器、示波器的基本使用方法，这也为我后续的实训打下了基础。f为2.75Hz实训的第四周我们进行的是常用电子元器件的认识与检测。在一开始通过师傅的讲解我们简单的了解了电阻、电位器、电容、电感二极管、三极管、集成电路路芯片等元器件的功能以及与它们相关的一些 其它 知识。在实训的过程中我通过实物认识各种常用的电子元器件并且掌握了常用电子元器件参数的识读方法以及使用万用表测量常用电子元器件参数的方法。在色环阻值识读中我识读了一个其色环为橙黑红银的四环电阻的阻值为30__100±5%并且用万用表测得其阻值为2.9千欧姆，则可以比较得出相差不多，也就证明前面的读数是正确的;然后用万用表测得电位器的最大阻值为0.01毫欧姆;用万用表和多用转接插头座测得电容得电容量为0.01毫欧姆，并且 我在这节课学会了二极管与三极管管脚的判别。做完上述步骤后，我们又制备了一个二极管的实验线路，我连接好线路，接通电源，二极管就亮了，所以电路的连接是成功的。通过这个简单的实验，让我了解了常用电子元器件的功能并且加深了对线路连接的认识。第二大节课我们在第一大节课的基础上开始我们的焊接工艺与焊接训练。同样在师傅的详细认真的讲解下。我们熟悉了电子装焊工艺的基础知识和要求后开始动手操作。我们要进行的是印制电路板的焊接练习。我们在万用电路板上按照电路图进行元器件的焊接，我刚开始焊接第一个元器件是二极管，手拿着那个电烙铁和锡一直不受控制的抖动，我一直对自己说要稳，可还是手很抖，也许是第一次接触紧张在所难免。我的第一次焊接尝试就在我手不停的抖动下结束了。但是也许是真正了解到焊接是怎么一回事了，知道了心里有底了，第二次焊我就焊得好多有了，手也不多抖了，并且越焊越熟手。有经验后，之后的我都焊接的很好。上午时间到时，同事们都还没有焊完，我也一样，师傅说先回去，下午来再继续。第五周我们继续焊接工艺与焊接训练，同时老师也讲了AS-06FM收音机的制作，做完上一个项目的同事就可以接着去做这个项目。下午我们都提早到了，一到就坐下来继续进行上午的焊接，没有了上午的害怕和紧张，这次我一拿起电烙铁就上手了，别说还真的`是还有模有样的，这时的我们经过这些天的实训都有电工的架势了，我们来到时看到还有比我们早到的同事在焊接时都觉得仿佛进了电工厂了，这跟刚开始的感觉是不一样的。课上了不太久，我还在努力认真的焊接着，就有同事成功了。虽然我比其它同事慢了点，但我还是很稳的，我想不能在最后的时候没弄好才来出差错啊，所以我不紧不慢的一点点的认真的焊着。经过差不多一下午的努力我终于焊接好了无稳态多谐振荡电路的焊接，这时候最关键的时刻到来了，因为然后就是要用先前学习使用过的直流稳压电源进行通电测试，我带着紧张和期待的心情接通连接电路，按下output键，这时我看到两个发光二极管在轮流放光，一闪一闪的，我觉得真是很好看啊，我这时的心情真的可以用心花怒放来形容。那种认真努力得到收获的感觉那种成就感真的都很好。这个实训内容较之前面的内容花费的时间较多收获也较多。我觉得经过这次焊接以后叫我焊什么我都不怕了。并且呢我对电子装焊工艺及常用焊接、装配工具有了一个初步的认识，掌握了焊接工具及常用工具的正确使用以及手工电子焊接技术，为以后的制备收音机的实训产品安装打下了基础。电子电工实训第六周也是实训的最后一周。今天我们实训的内容是印刷电路板(PCB)的制作与电路调试，在师傅的讲解下我们了解了制作PCB板电路图的基本流程，按照师傅所说的流程，我们顺利而且成功的完成了任务，让那我熟悉了制作PCB板的基本操作，掌握了使用热转印来制作PCB板的操作。最后在我怀着留恋的情绪下这次的就这样结束了。在师傅的精心指导和同事们的积极帮助和我的认真努力下，实训圆满结束。接得进入工作岗位!
电子电工能从事各类电子设备维护、制造和应用，电力生产和电气制造、维修的复合型技术人才的学科。下面是我为大家整理的电子电工技术论文例文，希望你们喜欢。
浅谈电子设备的维护
摘要: 本文作者介绍了电子仪器设备的日常维护方法和要求，以及在使用中的注意事项、安全用电等问题。
关键词：电子设备;维护
中图分类号: V443文献标识码：A 文章编号：
电子设备在长期的使用过程中，需要维护。认真做好电子仪器的维护，对延长设备寿命、减小设备故障，确保安全运行以及保证仪器设备精度等方面具有十分重要的作用。仪器保管的环境条件一般为:环境温度: 0～40 ℃;相对湿度: 50%～80%(温度 20 ℃±5 ℃);室内清洁无尘，无腐蚀性气体。电子设备的维护措施大致可归纳为下列几项。
1 防热与排热
因为绝缘材料的介电性能、抗电强度会随温度的升高而下降，而电路元器件的参数也会受温度的影响(例如，碳质电阻和电解电容器等往往由于过热而变质、损坏)，特别是半导体器件的特性，受温度的影响比较明显。例如，晶体管的电流放大系数和集电极穿透电流，都会随着温度的上升而增大。这些情况将导致电子仪器工作的不稳定，甚至发生各种故障。因此，对于电子仪器的“温升”都有一定的限制，通常规定不得超过 40 ℃;而仪器的最高工作温度不应超过 65 ℃，即以不烫手为限。通常室内温度以保持在 20～25 ℃最为合适。电子仪器设备说明书中会对使用环境温度作出规定。如果室温超过 35 ℃，应采取通风排热等人工降温措施，也可以缩短仪器连续工作的时间，必要时，应取下机壳盖板，以利散热。但应特别指出: 要禁止在存放电子仪器的室内，用洒水或放置冰块来降温，以免水气侵蚀仪器而受潮。对于内部装有小型排气风扇的仪器设备，应注意其运转情况，必要时应予以定期维护、加油、擦洗等。要防止电子仪器设备受阳光暴晒，以免影响仪器设备寿命。
许多电子仪器，特别是消耗电功率较大的仪器设备，大多在内部装置有小型的排气电风扇，以辅助通风冷却。对于这类仪器，应定期检查电风扇的运转情况。如果运转缓慢或干涩停转，将会导致仪器温升过高而损坏。此外，还要防止电子仪器长时间受阳光暴晒，以免使仪器机壳的漆层受热变黄、开裂甚至翘起，特别是仪器的度盘或指示电表，往往因久晒受热，而导致刻度漆面开裂或翘起，造成显示不准确甚至无法使用。所以，放置或使用电子仪器的场所如有东、西向的窗户，应装置窗帘，特别是在炎热的季节，应注意挂窗帘。
2 防振与防松
小型电子仪器设备的机壳底板上，一般装有防振用弹性垫脚，如果发现这些垫脚变形或脱落，应及时更新。对于大型电子设备，在安装时应采取防振措施。因长期使用运行或环境条件变化引起振动时，应及时报告有关部门，并会同有关部门采取防振措施，予以消除。在搬运或移动仪器时应轻拿轻放，严禁剧烈振动或者碰撞，以免损坏仪器的插件和表头等元件。
对于仪器设备内部接插式器件和印制电路板，通常都装有弹簧压片、电子管屏蔽罩、弹簧垫圈等紧固用的零件，在检修仪器设备时切不可漏装。在搬运笨重电子仪器设备之前，应检查把手是否牢靠，对于塑料或人造革的把手，应防止手柄断裂而摔坏仪器设备，最好用手托住底部搬运。
3 防腐蚀
电子仪器应避免靠近酸性或碱性气体(诸如蓄电池、石灰桶等)。仪器内部如装有电池，应定期检查以免发生漏液或腐烂。如果长期不用，应取出电池另行存放。对于附有标准电池的电子仪器(如数字式直流电压表、补偿式电压表等) ，在搬运时应防止倒置，装箱搬运时，应取出电池另行运送，以免标准电池失效。电子仪器如果需要较长时间的包装存放，应使用凡士林或黄油涂擦仪器面板的镀层部件(如钮子开关、面板螺钉、把手、插口、接线柱等) 和金属的附配件等，并用油纸或蜡纸包封，以免受到腐蚀，使用时，可用干布把涂料抹擦干净。在沿海地区，要经常注意盐雾气体对仪器设备的侵蚀。
4 防尘与防灰
要保证电子仪器处于良好的备用状态，首先应保证其外表的整洁。因此，防尘与防灰是一项最基本的维护措施。
由于灰尘有吸湿性，故当电子仪器设备内部有尘埃时，会使设备的绝缘性能变坏，活动部件和接插部件磨损增加，导致电击穿等，以致仪器设备不能正常工作。大部分的电子仪器都备有专用的防尘罩，仪器使用完毕后应注意加罩，无罩设备应自制防尘罩。防尘罩最好采用质地细密的编织物，它既可防尘又有一定的透气性。塑料罩具有良好的防尘作用，在使用塑料罩的情况下，最好要等待温度下降后再加罩，以免水汽不易散发出去，从而使仪器设备内部金属元件锈蚀，绝缘程度降低。若没有专门的仪器罩，应设法盖好，或将仪器放进柜厨内。玻璃纤维的罩布，对使用者健康有危害，玻璃纤维进入仪器内也不易清除，甚至会引起元器件的接触不良和干涩等问题，因此严禁使用。
5 防潮与驱潮
湿度如同温度一样，对元器件的性能将产生影响，湿度越大对绝缘性能和介电参数影响越大。防潮措施可采取密封、涂覆或浸渍防潮涂料、灌封等，使零部件与潮湿环境隔离，起到防潮作用。电子设备内部的电源变压器和其他线绕元件(如线绕电阻器、电位器、电感线圈、表头动圈等) 的绝缘强度，经常会由于受潮而下降，从而发生漏电、击穿、霉烂、断线等问题，使电子设备出现故障。因此，对于电子仪器，必须采取有效地防潮与驱潮措施。首先，电子设备的存放地点，最好选择比较干燥的房间，室内门窗应利于阳光照射、通风良好。在仪器内部，或者存放仪器的柜厨里，应放置“硅胶袋”以吸收空气中的水分。应定期检查硅胶是否干燥(正常应呈白色半透明颗粒状) ，如果发现硅胶结块变黄，表明它的吸水功能已经下降，应调换新的硅胶袋，或者把结块的硅胶加热烘干，使它恢复颗粒状继续使用。在新购仪器的木箱内，经常附有存放硅胶的塑料袋应扯开取出改装布袋后使用。
6 防漏电
由于电子仪器大都使用市交流电来供电，因此，防止漏电是一项关系到使用安全的重要维护措施，特别是对于采用双芯电源插头，而仪器的机壳又没有接地的情况。如果仪器内部电源变压器的一次绕组对机壳之间严重漏电，则仪器机壳与地面之间就可能有相当大的交流电压(100 ～ 200 V)，这样，人手碰触仪器外壳时，就会感到麻电，甚至发生触电事故。所以，对于各种电子仪器必须定期检查其漏电程度，即在仪器不插市交流电源的情况下，把仪器的电源开关扳置于“通”的部位，然后用绝缘电阻表(习惯上称兆欧表) 检查仪器电源插头对机壳之间的绝缘是否符合要求。
7 定性测试
电子仪器使用之前，应进行定性测试，即粗略地检查仪器设备的工作情况是否正常，以便及时发现问题进行检查或校正。定性测试的项目不要过多，测试方法也应简便可靠，只要能确定仪器设备的主要功能以及各种开关、旋钮、度盘、表头、示波器等表面元器件的作用情况是否正常即可。例如，对于电子电压表的定性测试，要求各电压档级的“零位”调节正常和电压“校正”准确即可;如果无“校正”电压装置，可将量程开关扳置在“3 V”档级，并用手指碰触电子电压表的输入端，如果表头有指示，即表明仪器仪表电压功能正常;又如，对电子示波器的定性测试，要求示波管的“辉度”、“聚焦”、“位移”等调节正常，以及利用本机的“试验电压”或“比较信号”能观测相应的波形即可;再如，对信号发生器，要求各波段均有输出指示即可。
8 结束语
综上所述，在电子设备实际使用过程中，应根据设备的具体情况，正确、合理地选择相关的维护措施，使电子设备能够正常的工作。
参考文献:
[1]毛端海，戚堂有，李忠义. 常用电子仪器维修[M]. 北京: 机械工业出版社，2008.
[2]陈梓诚. 电子设备维修技术[M]. 北京: 机械工业出版社，2007.
点击下页还有更多>>>电子电工技术论文例文
二重极限是指一个点(X,Y)从任意方向趋向于指定点(X',Y')的过程,累次极限则是指只能从X轴方向和Y轴方向趋向于(X',Y')
二元函数的二重极限与累次极限的存在没有必然关系，那么什么时候存在二重极限而二重极限是指一个点(x,y)从任意方向趋向于指定点(x
命题正确。二重极限存在是指动点沿着任何路径趋向于定点的时候极限都存在，并且相等。而两个累次极限（就是你说的二次极限）只是众多路径当中两个特殊的路径，所以有一个不存在，二重极限一定不存在。即使是两个累次极限存在也保证不了二重极限存在。
解答： 1、极限的英文是limit，平时我们过多地理解了它的局限性，好像“极限”的意思， 就是“限制”，就是不可能达到的，只是无止境地“趋近”，我们的汉译，明显 地忽视了limit的“tendency”的特性。 2、二重极限、二次极限、累次极限，是我们的创作，英文中并没有明显的区分。 我们的二重极限，是指有两个变量的情况下的极限。 例如：从点 A( x₁，y₁) → 点 B ( x₂, y₂) 的函数取值 f (x，y)，是二重极限。 如果是三元函数，就是三重极限；四元函数，四重极限；其余类推。 3、对于一元函数，只有左右之别，而对于多元函数，取极限可以从不同的方向取 过去，可以同时取极限，可以按不同的方向先后取极限，这就是二次极限、多次 极限、累次极限的概念。 4、按照不同的方向取极限，就导致了进一步的偏导数、方向导数的概念，也就出现 了可偏与可微的概念。其实这些概念，都是汉译后的夸张语言，真正英文中并没有 像我们汉语中渲染得那么匪夷所思。 5、下面略举几个汉译后夸张的实例：A、elelment就是Element，我们汉译分成了两种：元素、单质；B、differentiable是可导，汉译中分出了可导、可微的两种意思；C、limit with several variables我们汉译分出了二重、三重、四重、、、二次、三次、 四次、、、、累次、累计、累积、、、、等等名目繁多的术语，搞得初学的学生 眼花缭乱，目不暇接。 这样的例子举不胜举，当然也有很多英文词汇，迄今汉语毫无能力准确翻译。 这些翻译，有些非常英明，非常正确，将科技词语推陈出新。 只是可惜都没有跨出国门。 不过，也有很多翻译是无聊至极，纯粹是玩弄文字游戏而已。
三极管的工作状态与应用论文【1】
摘 要：半导体三极管是电子电路的重要元件，它在不同的外部条件下表现出不同的工作状态，从而具有多种不同的功能，因此得到了广泛的应用。
本文主要阐述了三极管的工作状态及其在不同状态下的应用。
关键词：三极管 工作状态 应用
半导体三极管是电子电路的重要元件，它在不同的外部条件下表现出不同的工作状态，从而具有多种不同的功能，因此得到了广泛的应用。
1 三极管的工作状态
三极管在电路中一般表现出三种工作状态：截止状态、放大状态和饱和状态。
1.1 截止状态
当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压时，基极电流为零，三极管处于截止状态。
实际上为了使三极管可靠地截止，常使UBE≤0，此时发射结和集电结均处于反向偏置状态，[1]集电极和发射极之间相当于开关的断开状态。
1.2 放大状态
当三极管的发射结正向偏置，且加在发射结的电压大于PN结的导通电压，集电结反向偏置时，三极管处于放大状态。
这时基极电流的微小变化，会引起集电极电流的较大变化，三极管具有电流放大作用。
1.3 饱和状态
当三极管的发射结正向偏置，且加在发射结的电压大于PN结的导通电压，集电结也正向偏置时，三极管处于饱和状态。
这时基极电流较大，集电极电流也较大，但集电极电流不再随着基极电流的变化而变化，三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，相当于开关的导通状态。
2 三极管不同状态下的应用
2.1 三极管放大状态下的应用
三极管处于放大状态时具有电流放大作用，利用这一特点，三极管常用在模拟放大电路中。
三极管对小信号实现放大作用时，基本放大电路有三种不同的连接方式：共发射极接法、共基极接法和共集电极接法。
在共发射极接法中，常用的放大电路有固定式偏置电路、分压式偏置电路和带有射极电阻的固定式偏置电路。
固定式偏置电路静态工作点不太稳定，受温度的影响，输出信号容易产生失真，故在实际中常采用分压式偏置电路以稳定静态工作点。
电路如图1所示。
共发射极接法放大电路因其电压放大倍数比较高，而得到广泛的应用，在多级放大电路中，多用作中间级。
在共集电极接法中，负载接在发射极，输出电压从发射极输出，因此，叫射极输出器。
因输出电压与输入电压同相，输出信号跟随输入信号的变化而变化，因此，射极输出器又称为射极跟随器或电压跟随器。
射极跟随器的电压放大倍数略小于1，没有电压放大作用，但有一定的电流放大作用和功率放大作用。
在多级放大电路中，射极输出器作为输入级可减轻信号源的负担，作为输出级可提高放大电路的带负载能力，作为中间级起阻抗变换作用，使前后级共发射极放大电路阻抗匹配，实现信号的最大功率传输。[2]
在共基极接法中，交流信号从发射极输入，从集电极输出。
该电路没有电流放大作用，但具有电压放大作用，而且其频率特性比较好，一般多用于高频或宽频带放大电路及恒流源电路。
2.2 三极管截止和饱和状态下的应用
三极管处于截止状态时相当于开关的断开状态，处于饱和状态时相当于开关的导通状态，利用这种开关特性，三极管常用在数字电路中。
在稳定状态下，三极管只能工作在饱和区或截止区，它的输出端要么处于高电位，要么处于低电位，即要么有信号输出，要么无信号输出。
实际应用时，由于三极管需要频繁地在断开和闭合状态之间进行切换，因此为了提高开关速度，常使三极管工作在浅饱和区状态。
三极管的开关特性常见的具体应用有：用于彩色电视机、通信设备的开关电源;用于驱动电路，驱动发光二极管、蜂鸣器、继电器等器件;用于彩色电视机行输出管;用于开关电路、高频振荡电路、模数转换电路、脉冲电路、低频功率放大电路、电流调整等;在冶金、机械、纺织等工业自动控制系统中，光电开关可作指示信号，指示加工工件是否存在或存在的位置。[3]
开关三极管因其寿命长、安全可靠、没有机械磨损、开关速度快、体积小等特点，得到越来越广泛的应用。
掌握了三极管的各种工作状态，了解了三极管的基本应用，在分析和设计更复杂电路时，就能灵活运用。
参考文献
[1] 袁明文，谢广坤.电子技术[M].哈尔滨：哈尔滨工业大学出版社，2013：11.
[2] 李仁华，冯�.电子技术[M].北京：北京理工大学出版社，2010：44.
[3] 于敏，李闽.三极管开关特性探讨[J].硅谷，2012(1)：24.
晶体三极管在不同工作状态下的应用【2】
【摘 要】本文提出了晶体三极管的在不同工作状态下的分类和特性，并指出如何根据晶体三极管的不同工作状态时的作用进行实际应用，从而增强学生对晶体三极管的工作状态的了解，提高学生分析和解决问题的能力。
【关键词】非线性器件;导通角;正向偏置;反向偏置
1.引言
晶体三极管是电子电路中非常重要的元器件，每一种电子电路几乎都离不开它。
它是一种非线性器件，在不同的外部条件下会呈现出不同的工作状态。
在实际应用时，可根据它的不同工作状态应用到不同的电子电路中，从而有效地发挥它的作用。
为了更好地在电路中发挥晶体三极管的作用就要掌握不同工作状态下它的分类和特性，这样不但有利于很好地应用晶体三极管，而且有利于学习和掌握电路的基本知识，这样在分析和设计电路时就会得心应手，避免出现错误。
2.晶体三极管在不同工作状态下的分类
晶体三极管是有源器件，它在电路中工作时，要在它发射结和集电结施加不同的偏置电压。
而根据它的基极和集电极偏置电压的不同，晶体三极管呈现不同的工作状态。
此时可把晶体三极管的工作状态划分成不同的区域。
即如果发射结正向偏置、集电结反向偏置，晶体三极管工作在放大区;如果发射结正向偏置、集电结正向偏置，晶体三极管工作在饱和区，如果发射结反向偏置或零偏、集电结反向偏置，晶体三极管工作在截止区。
晶体三极管工作在饱和区和放大区时都说明它是导通的，放大器在信号的一个周期内的导通情况可用导通角来衡量。
放大器的导通角用θ来表示，定义为晶体三极管一个信号周期内导通时间乘以角频率ω的一半。
根据放大器导通角的不同可晶体三极管放大器分为甲类、乙类、丙类、丁类等放大器。
3.各类放大器的特性和应用
3.1 甲类放大器
当晶体三极管放大器的静态工作点设置在放大区时，即发射结正向偏置、集电结反向偏置时，放大器工作在放大状态。
此时，在输入信号的整个周期内，晶体三极管都是导通的`，导通角θ为1800，此时晶体三极管放大器称为甲类放大器。
其工作波形如图a所示。
它的工作特性是：静态工作点电流比较大，非线性失真小、管耗大、效率低、输出功率小。
甲类放大器有电压放大的作用，可应用到电压放大和小功率放大电路中。
另外由于它的失真小，所以在宽带功率放大器中，晶体三极管也工作在甲类状态，但由于它的效率低、输出功率小，不能满足功率放大器对输出功率的要求，所以常采用功率合成技术，实现多个功率放大器的联合工作，获得大功率的输出。
3.2 乙类放大器
当晶体三极管放大器的静态工作点设置在截止区时，如果信号为正时三极管导通，信号为负时三极管截止。
即三极管在信号的半个周期导通，导通角θ为900，此时放大器为乙类放大器，它放大的信号缺少半个周期，是失真的。
但是在乙类互补推挽放大电路中，用两个互补的三极管轮流推挽导通就可以弥补这种失真的不足，从而输出完整的信号波形，电路如图b所示。
乙类放大器由于管耗小，效率大大提高。
3.3 甲乙类放大器
在实际功率放大电路中，由于晶体三级管发射结存在导通压降，所以在乙类互补功率放大器中，由于V1、V2管没有基极偏流，静态时两个管的发射结偏置电压为零。
当输入信号小于晶体管的死区电压时，管子仍处于截止状态。
因此，在输入信号的一个周期内，两个晶体三极管轮流导通时形成的基极电流波形在过零点附近一个区域内出现失真。
即在两管输出波形的交接处存在失真，这种失真称为“交越”失真。
这时需要在两个晶体三极管的基极加上等于发射结导通压降的电压，使两个晶体三极管均处在微导通状态，两管轮流导通时，交替得比较平滑，这样就消除了交越失真。
电路如图c所示。
3.4 丙类放大器
当导通角θ小于900时，晶体三极管放大器称为丙类放大器。
丙类放大器又因工作状态的不同可分为欠压、临界和饱和三种工作状态。
当放大器工作在放大区和截止区时为欠压状态，如果晶体三极管工作刚好不进入饱和区时，则称为临界工作状态。
晶体三极管工作进入饱和区时为过压状态。
三种状态时集电极输出的波形分别为尖顶余弦脉冲、略微平缓的余弦脉冲和顶端凹陷的余弦脉冲。
由于这几种余弦脉冲都可以分解出基波分量和各次谐波分量，又由于谐振回路具有滤波作用，晶体三极管放大器的输出电压仍为没有失真的余弦波形。
所以丙类放大器可和谐振回路共同构成丙类谐振功率放大器或丙类倍频器。
丙类放大器工作在欠压状态时，放大器输出功率小，管耗大，效率低。
工作在过压状态时，放大器输出功率较大，管耗小，效率高。
工作在临界状态时，放大器输出功率大，管耗小，效率高。
3.5 丁类放大器
丙类放大器可以通过减小电流导通角θ来提高放大器的效率，但是为了让输出功率符合要求又不使输入激励电压太大，导通θ就不能太小，因而放大器效率的提高就受到了限制。
丁类放大器的导通角也是900，但是丁类放大器工作在饱和或截止状态。
由于三极管工作在饱和状态时集电极电流ic最大，但集电极和发射极之间的电压uce最小。
三极管工作在截止状态时集电极电流ic最小，但集电极和发射极之间的电压uce最大。
所以丁类放大器在工作时，ic和uce的乘积最小，理想情况下它们的乘积可接近于零。
在积分区间不变时，即导通角θ不变时，ic和uce的乘积越小，晶体管集电极的耗散功率起小，晶体管放大器集电极的效率就越高，输出功率就越大。
因此，在这两种状态时集电极损耗很小，三极管的效率高，即丁类放大器的效率比丙类放大器要高。
3.6 振荡电路中的放大器
晶体三极管放大器在具体电路中应用时，可以不单单间工作在一种工作状态。
有时会根据电路的要求，在设计时，当电路中的输入信号发生变化时，放大器的工作状态也发生变化，从而满足电路的实际要示。
比如在振荡电路中，起振时，电路工作于小信号状态，即三极管工作在甲类状态，因此可将振荡电路作为线性电路来处理，用小信号等效电路求出振荡环路的传输系数。
随着振荡幅度的增大，输入信号的幅度也越来越大，放大器的工作由线性状态进入非线性状态，再加上电路中偏置电路的自给偏压效应，使得晶体管的基极偏置电压随着输入信号的增大而减小，这样使三极管的工作状态进入乙类或丙类非线性工作状态，相应的放大倍数随之减小，直到振荡进入平衡状态。
在振荡电路的起振到平衡的过程中，电路由小信号工作到大信号工作，放大器的工作状态也由甲类、乙类过渡到丙类，从而满足了振荡电路对放大器的要求。
这正是放大器各种工作状态的很好的应用。
4.结束语
总之随着放大器的进一步研究和应用，其分类也越来越多，应用也越来越广泛。
现在又出现了效率比丁类放大器还高的戊类放大器。
在实际电路中，要根据电路对放大器的要求来选用放大器的不同状态。
比如电压放大时要求电压放大倍数要高，就要选用电压放大器。
功率放大时就要选择功率放大倍数高的功率放大器。
在输入信号频率不同时，还要考虑电路中的参数与信号频率的关系。
只有掌握了放大器的各类状态，才能很好地把知识应用到实际电路中。
参考文献：
[1]胡宴如.模拟电子技术基础[M].高等教育出版社，2004：95-97.
[2]胡宴如.高频电子线路[M].高等教育出版社，2004：35-37，65-66.
从“周幽王烽火戏诸候”到“竹信”，从“漂流瓶”到人类历史上第一份电报—“上帝创造了何等的奇迹！”，百年间，通信技术借助现代科技飞速发展。现在，让我们回过头，看一看这一路上的风景。中外电信史漫谈据考，中国古代的商周时期人们就知道用烽火来远距离传递消息，大家最熟悉的就是“为博美人一笑，周幽王烽火戏诸候”的故事。在国际电信联盟出版的《电话一百年》一书中提到，公元968年，中国人发明了一种叫“竹信”的东西，它被认为是今天电话的雏形。虽然这些故事都反映了我们祖先的聪明才智，但是，要想了解近代电信科技的发展历史，我们还是得从欧洲说起。起源于欧洲1793年，法国查佩兄弟俩在巴黎和里尔之间架设了一条230千米长的接力方式传送信息的托架式线路。这是一种由16个信号塔组成的通信系统。信号机由信号员在下边通过绳子和滑轮，操纵支架的不同角度，表示相关的信息。当时，法国和奥地利正在作战，信号系统只用一个小时就把从奥军手中夺取埃斯河畔孔代的胜利消息传到巴黎。以后，比利时、荷兰、意大利、德国及俄国等也先后建立了这样的通信系统。据说查佩两兄弟之一是第一个使用“电报”这个词的人。欧洲对于远距离传送声音的研究始于17世纪。英国著名的物理学家和化学家罗伯特•胡克首先提出了远距离传送话音的建议。而在1796年，休斯提出了用话筒接力传送语音信息的办法，并且把这种通信方式称为—Telephone，一直延用至今。1832年，美国医生杰克逊在大西洋中航行的一艘邮船上，给旅客们讲电磁铁原理，旅客中41岁的美国画家莫尔斯被深深地吸引住了。当时法国的信号机体系只能凭视力所及传讯数英里，莫尔斯梦想着用电流传输电磁信号，瞬息之间把消息传送到数千英里之外。从此以后，莫尔斯的生活发生了根本的转变。莫尔斯从在电线中流动的电流在电线突然截止时会迸出火花这一事实得到启发：如果将电流截止片刻发出火花作为一种信号，电流接通而没有火花作为另一种信号，电流接通时间加长又作为一种信号，这三种信号组合起来，就可以代表全部的字母和数字，文字就可以通过电流在电线中传到远处了。1837年，莫尔斯终于设计出了著名的莫尔斯电码，它是利用“点”、“划”和“间隔”的不同组合来表示字母、数字、标点和符号。1844年5月24日，在华盛顿国会大厦联邦最高法院会议厅里，莫尔斯亲手操纵着电报机，随着一连串的“点”、“划”信号的发出，远在64公里外的巴尔的摩城收到由“嘀”、“嗒”声组成的世界上第一份电报。谁发明了电话？目前，大家公认的电话发明人是贝尔，他是在1876年2月14日在美国专利局申请电话专利权的。其实，就在他提出申请两小时之后，一个名叫E•格雷的人也申请了电话专利权。在他们两个之前，欧洲已经有很多人在进行这方面的设想和研究。早在1854年，电话原理就已由法国人鲍萨尔设想出来了，6年之后德国人赖伊斯又重复了这个设想。原理是：将两块薄金属片用电线相连，一方发出声音时，金属片振动，变成电，传给对方。但这仅仅是一种设想，问题是送话器和受话器的构造，怎样才能把声音这种机械能转换成电能，并进行传送。最初，贝尔用电磁开关来形成一开一闭的脉冲信号，但是这对于声波这样高的频率，这个方法显然是行不通的。最后的成功源于一个偶然的发现，1875年6月2 日，在一次试验中，他把金属片连接在电磁开关上，没想到在这种状态下，声音奇妙地变成了电流。分析原理，原来是由于金属片因声音而振动，在其相连的电磁开关线圈中感生了电流。现在看来，这原理就是一个学过初中物理的学生也知道，但是那个时候这对于贝尔来说无疑是非常重要的发现。格雷的设计原理与贝尔有所不同，是利用送话器内部液体的电阻变化，而受话器则与贝尔的完全相同。1877年，爱迪生又取得了发明碳粒送话器的专利。同时，还有很多人对电话的工作方式进行了各种各样的改进。专利之争错综复杂，直到1892年才算告一段落。造成这种局面的一个原因是，当时美国最大的西部联合电报公司买下了格雷和爱迪生的专利权，与贝尔的电话公司对抗。长时期专利之争的结果是双方达成一项协议，西部联合电报公司完全承认贝尔的专利权，从此不再染指电话业，交换条件是17年之内分享贝尔电话公司收入的20%。技术发展电话发明后的几十年里，围绕着电话的经营、技术等问题，大量的专利被申请，Strowger的“自动拨号系统”减少了人工接线带来的种种问题，干电池的应用缩小了电话的体积，装载线圈的应用减少了长距离传输的信号损失。1906年，Lee De发明了电子试管，它的扩音功能领导了电话服务的方向。后来贝尔电话实验室据此制成了电子三极管，这项研究具有重大意义。1915年1月25日，第一条跨区电话线在纽约和旧金山之间开通。它使用了2500吨铜丝，13万根电线杆和无数的装载线圈，沿途使用了3部真空管扩音机来加强信号。1948年7月1 日，贝尔实验室的科学家发明了晶体管。这不仅仅对于电话发展有重大意义，对于人类生活的各个方面都有巨大的影响。其后几十年里，又有大量新技术出现，例如集成电路的生产和光纤的应用，这些都对通信系统的发展起了非常重要的作用。电话在中国鸦片战争后，西方列强在中国掠夺土地和财富的同时，也为中国带来了近代的邮政和电信。1900年，我国第一部市内电话在南京问世；1904年至1905年，俄国在烟台至牛庄架设了无线电台。中国古老的邮驿制度和民间通信机构被先进的邮政和电信逐步替代。中华民国时期，中国的邮电通信仍然在西方列强的控制中。加上连年战乱，通信设施经常遭到破坏。抗战时期，日本帝国主义出于战争需要和企图长期统治中国的目的，改造和扩建了电信网络体系，他们利用当时中国经济、技术的落后和政治制度的腐败，通过在技术、设备、维修、管理等方面对中国的通信事业进行控制。1949年以前，中国电信系统发展缓慢，到1949年，中国电话的普及率仅为0.05%，电话用户只有26万。1949以后，中央人民政府迅速恢复和发展通信。1958年建起来的北京电报大楼成为新中国通讯发展史的一个重要里程碑。十年“文革”，邮电再次遭受打击，一直亏损，业务发展停滞。到1978年，全国电话普及率仅为0.38%，不及世界水平的1/10，占世界1/5人口的中国拥有的话机总数还不到世界话机总数的1%，每200人中拥有话机还不到一部，比美国落后75年！交换机自动化比重低，大部分县城、农村仍在使用“摇把子”，长途传输主要靠明线和模拟微波，即使北京每天也有20%的长途电话打不通，15%的要在1小时后才能接通。在电报大楼打电话的人还要带着午饭去排队。1978年，全国电话容量359万门，用户214万，普及率0.43%。改革开放后，落后的通信网络成为经济发展的瓶颈，自上世纪80年代中期以来，中国政府加快了基础电信设施的建设，到2003年3月，固定电话用户数达22562.6亿，移 动电话用户22149.1亿户。古今中外，多少人曾经为了更快更好地传递信息而努力，在电信发展的一百多年时间里，人们尝试了各种通信方式：最初的电报采用了类似“数字”的表达方式传送信息；其后以模拟信号传输信息的电话出现了；随着技术的进步，数字方式以其明显的优越性再次得到重视，数字程控交换机、数字移动电话、光纤数字传输……历史的车轮还在前进。百年老电话电话发明至今，从工作原理到外形设计都有不小的变化，下面就请大家跟随我们一起去走走这条电话百年发展的道路。这些电话都是世界各地的古董电话收藏爱好者们的藏品。1878年，手持电话这部电话是由Werner Siemens于1878年在德国制造的。它的听筒和话筒是一个，听话和说话时交替使用。1879年，盒式电话这部电话配备了Viaduct制造公司生产的磁力发电机由红木制成，还配有一个柱状听筒。1880年，贝尔电话这是第一种在欧洲使用的电话。它取代了电报，比装有手柄的磁力发动机电话先进。1881、1882年，磁力发电机壁式电话左面的电话称为美国贝尔型，1881年制造，由位于哥本哈根的国际贝尔电话公司使用。L.M.Ericsson制造。这款电话在上世纪末盛行。1885年，“埃菲尔铁塔”磁力发电机电话这款电话由L. M. Ericsson于1885年制造。在当时这是第一款放在桌面上的电话。麦克风设在旋转臂上，曲柄用来接通交换机。1885、1902年，磁力发电机壁式电话由Ferdinand E. Stensen于1885年在哥本哈根制造，是最早的一部由丹麦人制造的电话。这款是在霍森的Emil Mdlers电话公司制造的。1885年，木支架桌式电话生产厂商及产地不详。1892年，电动折叠橱式桌面电话这种电话多数用于家庭、宾馆和电话亭。1892年，带听筒的“埃菲尔铁塔式”电话这是一部真正的经典电话，1892年，由L. M. Ericsson制造。这款电话流传全世界，生产近百万台。1893年，“咖啡壶式”电话这款电话在丹麦只有几个样品，对收藏者来说它最富吸引力和收藏价值。 1899年，数字机械墙式电话这种数字机械电话有墙式和桌式两种。1900年，直立桌式电话这种圆肚形桌式电话是青铜镀镍的。在挂杆下面有一块结实的电木。它还有一个可以炫耀的外设听筒。1900年，直立锥形桌面电话这部电话有个绰号叫“油壶”，都是因为它的外形。1900年，20线分离电话本款是所谓的20线分离电话。只能用于内部通话，由L. M. Ericsson瑞典制造。1901年，磁力发电机台式电话本款是1901年由Ferdinand E. Stensens Telefonfabrik在哥本哈根制造的。注意看它的听筒，单独挂在挂钩上。可能是因为当时电话接入质量不高，有时必需用两只耳朵听。1902年，Kellogg角落台式电话这种角落台式电话多数用于家庭、办公室和电话亭。它是由美国哈得伍得电话公司制造的。是从加利弗尼亚一个小镇的农夫手中买到的。1902年，公用电池墙式电话这种电话不需转动手柄，拿起话筒直接与接线员通话。它是从旧金山一个古玩店中买来的。1904年，磁力发电机共线电话本款电话在1904由L.M.Ericssom制造。此款电话可由四个用户共享一根电话线。 1753年2月17日，用电流进行通信的设想首次在一本名为《苏格兰人》的杂志上提出，文章署名为C.M.。1784年8月15日，一种叫“遥望通信”的视觉通信方式首次在法国里尔和巴黎之间使用。1796年，英国人休斯提出了用话筒接力传送语音的办法，并将之命名为Telephone，这个名字一直沿用至今。1832年，俄国外交家希林制作出用电流计指针偏转来接收信息的电报机。1835年，美国人莫尔斯发明了用电磁学原理用于电报传输的电报机。1837年6月，英国人库克获得第一个电报发明专利权，他制作的电报机首先在铁路上获得使用。1837～1838年，莫尔斯又发明了将电流“通”和“断”来编制代表数字和字母的码—莫尔斯码。1843年，莫尔斯修建成了从华盛顿到巴尔的摩的电报线路，全长64.4公里。1844年5月24日，莫尔斯在国会大厦向巴尔的摩发出了人类历史上第一份电报：“上帝创造了何等的奇迹！”。1850年8月28日，第一条海缆由约翰和雅各布•布雷特兄弟俩在法国的格里斯-奈兹海角和英国的李塞兰海角之间的公海里铺设，但是，只拍发了几份电报就中断了。原来，有个打渔人用拖网钩起了一段电缆，并截下一节高兴地向别人夸耀这种稀少的“海草”标本，惊奇地说那里装满了金子。1876年3月10日，英国苏格兰人贝尔发明电话，“沃森先生，快来帮我”成了人类第一句通过电话传送的语音。当时贝尔将话筒中的酸液溅到了腿上。1879年，天津与大沽北塘炮台之间架设了电报线。1882年2月21日，丹高大北电报公司在上海外滩设立了电话交换所。1895年，俄国人波波夫和意大利人马可尼分别发明了无线电报机。1897年5月18日，马可尼进行横跨布里斯托尔海峡的无线电通信取得成功。1900年，上海南京电报局开办市内电话，当时只有16部电话。1901年，马可尼实现了隔着大西洋的无线电通信。1903年，无线电话试验成功。1907年11月8日，法国发明家爱德华•贝兰在法国摄影协会大楼里表演了他的研制成果—相片传真。1919年，帕尔姆和贝兰德发明了“纵横制接线器”。十年后，瑞典松兹瓦尔市建成了世界上第一个大型纵横制电话局。1920年7月，中华邮政开办邮传电报业务。1937年，英国人里夫斯提出用脉冲所有组合来传送语音信息的方法(脉冲编码调制)。1945年10月，英国人A•C•克拉克提出静止卫星通信的设想。1946年，埃克特和莫奇利建成了世界上第一台电子计算机。1947年，美国贝尔实验室提出了蜂窝通信的概念，将移 动电话的服务区划分成若干个小区，每个小区设立一个基站，构成蜂窝移 动通信系统。1950年12月，中国东北长途明线国际干线工程建成，北京到莫斯科有线载波电路开放。1954年7月，美国海军利用月球表面对无线电波的反射进行了地球上两地电话的传输试验。并于1956年在华盛顿和夏威夷之间建立了通信业务。1956年，在英国和加拿大之间的大西洋海底铺设完成了电话电缆，使远距离的大陆之间电话通信成为现实。1957年10月4日，前苏联于成功地发射了第一颗人造卫星“卫星1号”。1958年8月，首部国产12载波电话设备在上海邮电器材厂研制成功。1960年1月，中国首套1,000门纵横制自动电话交换机在上海吴淞电话局开通使用。1960年，美国物理学家梅曼用强大的普通光照到人造宝石上，制造出了比太阳光强1000万倍的激光。1962年，美国研究成功了脉码调制设备，用于电话的多路化通信。1965年，第一部由计算机控制的程控电话交换机在美国问世，标志着一个电话新时代的开始。1966年，英籍华人高锟提出以玻璃纤维进行远距激光通信的设想。1969年，北京长途电信局安装成功中国第一套全自动长途电话设备。1969年，美国国防部高级研究计划署(ARPA)提出了研制ARPA网的计划，1969年建成并投入运行，标志著计算机通信的发展进入了一个崭新的纪元。1970年，世界上第一部程控数字交换机在法国巴黎开通，这标志著数字电话的全面实用和数字通信新时代的到来。1972年，国际电报电话咨询委员会(CCITT)首次提出综合业务数字网—ISDN的概念。1974年，中日海底电缆开始建设，这是中国参与建设的首条国际海底电缆。1975年，中国自行研制设计的纵横制自动电话交换设备通过国家鉴定，开始批量生产。1976年3月，中国自己研制的首条大容量传输系统—1800路中同轴电缆载波系统在北京、上海、杭州建成投产，全长1700公里。1982年，欧洲成立了GSM，任务是制订泛欧移 动通信漫游的标准。1982年，中国第一批投币式公用电话在北京市东、西长安街等繁华街道出现，共22个投币式公用电话亭。1982年12月，从日本引进的首个万门程控市话交换系统在福州市电信局投产使用，建成中国首个引进的程控电话局。1983年，AMPS蜂窝系统在美国芝加哥开通。1904年，“蜘蛛式”民用波段电话L. M. Ericsson’s第一部民用波段电话。 1905年，芝加哥的树式桌面电话这部桌面电话被称作“大腹便便”，因其手柄的中部隆起而得名。1905年，门廊对讲机这是一部康涅狄格州电信公司的32门门廊对讲机。1905年，11数字拨号桌式电话它采用了11个数字拨号的方式。1907年，“德国模式”的电台波段电话于1907年在德国由E.Zwuetysch&Co制造，此款电话的出现可以一定程度解决通话等待时间太长的问题。1907年，磁力发电机式电话这部电话1907年由L.M.Ericsson制造。值得注意的是：接听电话时，要将听筒悬挂在分离的挂钩上。这是当时电话生产商的统一标准。1908年，CH-08扩音器电话由KTAS推出。1910年，互联电话这是一部由S.H. Couch公司生产的直立桌面互联电话，用于办公室间的通信。1912年，办公用排列机这部电话通过主机可同时带有17个分机，每个分机都可以打出去，并且分机之间也可互相接通。1912年，CH-08壁式电话此款电话生产于1912年，由丹麦人在哥本哈根制造的，可自动收发电报。1912年，磁力发电机电话由在L.M.Ericsson制造的电报传真电话，经常偏远地区或小岛上使用。1914年，Magnavox抗噪音桌面电话这部电话的独特设计在于当对着话筒说话时，声音穿过话顶部的小孔使电话中的振动板振动。噪音进入话筒时就会被消掉。其双旋转听筒有助于阻止无用的噪音。1914年，Magnavox抗噪音桌式电话B1型同样具有消除噪音的功能。1914年，磁力发电机电话于1914年在HORWENS制造，可以用来电报传真。1915年，Veau桌式电话资料不详。1915年，家庭自制壁挂电话这部电话在东俄勒岗一个废弃的农场中发现。当地有近20个废弃的农场的墙上留有挂过电话的痕迹。1920年，磁力发电机壁式电话这部电话于1904制造，并于1920更新，配备了可接、听转换的旋转红色按钮。1927年，D-08半自动电话第一部拨号电话，它的出现将代替交换机的人工呼叫系统。拨号装置是在1927年安装的，它真正使用是在1978年。1927年，交流发电振铃电话由Kristian Kirks Telefonfabrikker在丹麦Horsens制造，70年代仍在使用。1929年，自动壁式电话资料不详。1930年，D-30半自动镀金电话此款电话是丹麦企业在1930完成制造的，其特别之处是表面镀金，而当时多数电话漆黑的，并且此电话有拨号装置。1930年，FL-30自动电话30年代由丹麦制造的，它用字母拨号。同类电话使用了大约48年。1935年，自动电话此款电话被用于与偏远地区的电信交换机的联络，它的设计受到30年代美国电话业的影响。1943年，CB-43型电话这部电话是由Kristian Kirks Telefonfabrikker在丹麦制造，它内部设计两种振铃声，用于区别市内外来电。1951年，F-51自动拨号电话这部电话是由Kristian Kirks Telefonfabrikker在二次世界大战之后制造的。1952年，F-52自动拨号电话机于1952制造，不同于往日黑色电木材料，它是用象牙和较晚一些出现的塑料材料制成。1956年，“Ericofon”自动拨号电话此款电话由瑞典L.M.Ericsson设计和制造，命名为Ericofon。它是用新型的材料制成的，比传统电话的听筒还轻得多。1968年，F-68自动拨号电话这部电话是七十年代最为常见的电话，它最初设计是在六十年代，在丹麦被广泛制造生产。1970年，F-68按钮拨号电话丹麦首次使用的按钮电话，这部电话是用数字按钮代替原来的拨号方式。1976年，76E/DK80型按钮拨号电话在1972由Jutland Telephone公司最初制造的。1979年，F-79按钮拨号式计费电话此款电话介于普通电话与公用电话之间，它主要用于服务场所、旅馆等类似地方，可以防盗打电话功能。 1980年，DA-80按钮拨号电话这部电话的设计标志着电子学理论真正进入电话行业。1982年，便携式电报电话此款电话由Ericsson无线系统所制造，当时它只能在丹麦、芬兰、挪威及瑞典等国家使用，它的出现为以后GSM移 动电话系统开辟了新的天地。1983年，DanMark 2按钮电话DanMark2于1983年制造，是八十年代最先进技术的体现。它具有许多功能，如电话号码记忆功能、重拨功能、监听功能、24种铃声
写字的铅笔是物理实验中最简易、最方便的器材，下面列举数例并略加分析。 1．探究声音的传播 将铅笔一端放在口中，轻轻敲笔杆几下，再用牙齿咬住笔杆轻敲笔杆几下。发现后者的声音比前者大得多。因为前者声音是经过空气传到耳膜的，后者声音是经过牙齿、骨骼传到耳膜的。 2．长度的特殊的测量 铅笔除作为被测物体用来做刻度尺测长度的实验外，还可用来进行一些特殊测量：如用纸带缠住圆形铅笔，在重叠处打孔，展开后测两孔间距可知铅笔横截面圆周长；把细铜丝单层密绕在铅笔上，测出线圈总长度，除以匝数，可得铜丝直径。 3．演示减小摩擦方法 首先用弹簧测力计匀速拉动放在水平桌面上的木块，然后在木块下面放几支圆形铅笔，再用测力计匀速拉动，比较两次摩擦力，发现后者比前者小得多，因为前者是滑动摩擦，后者是滚动摩擦。 4．演示压强的大小 用小刀把长度适中的铅笔芯削尖，另一端仍为平面，把它放在左右两手食指间用力按，比较感觉，可用来验证在压力一定的情况下，压强与受力面积成反比。 5．演示物体的沉浮条件 把铅笔的下端绕上几圈铁丝，按入水中，使其竖直地浸没在盛水的烧杯中，放手后，铅笔上浮，最后竖直地浮在水中；若取出再增加铁丝匝数后，可使其下沉，以此来验证物体的沉浮条件。 6．演示导体和绝缘体 把电池、小灯泡、开关、导线组成的一个简单电路，将铅笔木质部分或铅笔芯串联在电路中，看灯泡是否发光，从而可演示导体与绝缘体的区别。
晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。 1、特点：晶体三极管（简称三极管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。 电话机中常用的PNP型三极管有：A92、9015等型号；NPN型三极管有：A42、9014、9018、9013、9012等型号。 2、晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用，在常见电路中有三种接法。为了便于比较，将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下表，供大家参考。 名称 共发射极电路 共集电极电路（射极输出器） 共基极电路 输入阻抗 中（几百欧～几千欧） 大（几十千欧以上） 小（几欧～几十欧） 输出阻抗 中（几千欧～几十千欧） 小（几欧～几十欧） 大（几十千欧～几百千欧） 电压放大倍数 大 小（小于1并接近于1） 大 电流放大倍数 大（几十） 大（几十） 小（小于1并接近于1） 功率放大倍数 大（约30～40分贝） 小（约10分贝） 中（约15～20分贝） 频率特性 高频差 好 好 续表 应用 多级放大器中间级，低频放大 输入级、输出级或作阻抗匹配用 高频或宽频带电路及恒流源电路 3、在线工作测量 在实际维修中，三极管都已经安装在线路板上，要每只拆下来测量实在是一件麻烦事，并且很容易损坏电路板，根据实际维修，本人总结出一种在电路上带电测量三极管工作状态来判断故障所在的方法，供大家参考： 类别 故障发生部位 测试要点 e-b极开路 Ved>1v Ved=V+ e-b极短路 Veb=0v Vcd=0v Vbd升高 Re开路 Ved=0v Rb2开路 Vbd=Ved=V+ Rb2短路 Ved约为0.7V Rb1增值很多，开路 Vec<0.5v Vcd升高 e-c极间开路 Veb=0.7v Vec=0v Vcd升高 b-c极间开路 Veb=0.7v Ved=0v b-c极间短路 Vbc=0v Vcd很低 Rc开路 Vbc=0v Vcd升高 Vbd不变 Rb2阻值增大很多 Ved约为V+ Vcd约为0V Ved电压不稳 三极管和周围元件有虚焊 类 别 故障发生部位 测 试 要 点 Rb1开路 Vbe=0 Vcd=V+ Ved=0 Rb1短路 Vbe约为1v Ved=V-Vbe Rb2短路 Vbd=0v Vbe=0v Vcd=V+ Re开路 Vbd升高 Vce=0v Vbe=0v Re短路 Vbd=0.7v Vbe=0.7v Rc开路 Vce=0v Vbe=0.7v Ved约为0v c-e极短路 Vce=0v Vbe=0.7v Ved升高 b-e极开路 Vbe>1v Ved=0v Vcd=V+ b-e极短路 Vce约为V+ Vbe=0v Vcd约为0v c-b极开路 Vce=V+ Vbe=0.7v Ved=0v c-b极短路 Vcb=0v Vbe=0.7v Vcd=0v 八、场效应晶体管放大器 1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。 2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。如图1-1-1是两种型号的表示符号： 3、场效应管与晶体管的比较 （1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。 （2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 （3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。 （4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。 作者：yinqiao436 2007-9-22 21:34 回复此发言 -------------------------------------------------------------------------------- 2 回复：晶体三极管 三极管基础知识及检测方法 一、晶体管基础 双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流 IC 。在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。绝大部分 的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于 VBE 很小，所以基极电流约为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。 如果晶体管的共发射极电流放大系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/ib=β，实现了双极晶体管的电流放大作用。 金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅 G 电压 VG 增大时， p 型半导体表面的多数载流子枣空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时，电子积累层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。当 VDS ≠ 0 时，源漏电极之间有较大的电流 IDS 流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 VT 。当 VGS>VT 并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相同的 VDS 下也将产生不同的 IDS , 实现栅源电压 VGS 对源漏电流 IDS 的控制。 二、晶体管的命名方法 晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。 按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2代表二极管。第二位代表材料和极性。A代表PNP型锗材料；B代表NPN型锗材料；C为PNP型硅材料；D为NPN型硅材料。第三位表示用途，其中X代表低频小功率管；D代表低频大功率管；G代表高频小功率管；A代表高频大功率管。最后面的数字是产品的序号，序号不同，各种指标略有差异。注意，二极管同三极管第二位意义基本相同，而第三位则含义不同。对于二极管来说，第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表整流管。上面举的例子，具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管。对于进口的三极管来说，就各有不同，要在实际使用过程中注意积累资料。 常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列，在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同。 三、 常用中小功率三极管参数表 型号 材料与极性 Pcm(W) Icm(mA) BVcbo(V) ft(MHz) 3DG6C SI-NPN 0.1 20 45 >100 3DG7C SI-NPN 0.5 100 >60 >100 3DG12C SI-NPN 0.7 300 40 >300 3DG111 SI-NPN 0.4 100 >20 >100 3DG112 SI-NPN 0.4 100 60 >100 3DG130C SI-NPN 0.8 300 60 150 3DG201C SI-NPN 0.15 25 45 150 C9011 SI-NPN 0.4 30 50 150 C9012 SI-PNP 0.625 -500 -40 C9013 SI-NPN 0.625 500 40 C9014 SI-NPN 0.45 100 50 150 C9015 SI-PNP 0.45 -100 -50 100 C9016 SI-NPN 0.4 25 30 620 C9018 SI-NPN 0.4 50 30 1.1G C8050 SI-NPN 1 1.5A 40 190 C8580 SI-PNP 1 -1.5A -40 200 2N5551 SI-NPN 0.625 600 180 2N5401 SI-PNP 0.625 -600 160 100 2N4124 SI-NPN 0.625 200 30 300 四、用万用表测试三极管 （1） 判别基极和管子的类型 选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，先用红表笔接一个管脚，黑表笔接另一个管脚，可测出两个电阻值，然后再用红表笔接另一个管脚，重复上述步骤，又测得一组电阻值，这样测3次，其中有一组两个阻值都很小的，对应测得这组值的红表笔接的为基极，且管子是PNP型的；反之，若用黑表笔接一个管脚，重复上述做法，若测得两个阻值都小，对应黑表笔为基极，且管子是NPN型的。 （2）判别集电极 因为三极管发射极和集电极正确连接时β大（表针摆动幅度大），反接时β就小得多。因此，先假设一个集电极，用欧姆档连接，（对NPN型管，发射极接黑表笔，集电极接红表笔）。测量时，用手捏住基极和假设的集电极，两极不能接触，若指针摆动幅度大，而把两极对调后指针摆动小，则说明假设是正确的，从而确定集电极和发射极。 （2） 电流放大系数β的估算 选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，对NPN型管，红表笔接发射极，黑表笔接集电极，测量时，只要比较用手捏住基极和集电极（两极不能接触），和把手放开两种情况小指针摆动的大小，摆动越大，β值越高。
圆形有无数条对称轴，方便对齐，转动不会破坏对称性。
晶圆是由多晶硅或单晶硅硅棒切割而成的，而硅棒的生产是由一定晶向的“种子”慢慢生长起来的，这里只是形象的比喻，种子是慢慢旋转上升，从里面拉升出硅棒，因为是旋转上升，显然形成的硅棒是圆柱状拉。那切割下来的晶圆就是圆形咯！其实好像晶圆也要经过打磨，免得在运输过程中因为一些突出的部位比较脆弱导致整块晶圆易碎！
台积电开启晶圆代工时代，成为集成电路中最为重要的一个环节。 1987 年，台积电的成立开启了 晶圆代工时代，尤其在得到了英特尔的认证以后，晶圆代工被更多的半导体厂商所接受。晶圆代工 打破了 IDM 单一模式，成就了晶圆代工+IC 设计模式。目前，半导体行业垂直分工成为了主流， 新进入者大多数拥抱 fabless 模式，部分 IDM 厂商也在逐渐走向 fabless 或者 fablite 模式。
全球晶圆代工市场一直呈现快速增长，未来有望持续 。晶圆代工+IC 设计成为行业趋势以后，受益 互联网、移动互联网时代产品的强劲需求，整个行业一直保持快速增长，以台积电为例，其营业收 入从 1991 年的 1.7 亿美元增长到 2019 年的 346 亿美元，1991-2019 年，CAGR 为 21%。2019 年全球晶圆代工市场达到了 627 亿美元，占全球半导体市场约 15%。未来进入物联网时代，在 5G、 人工智能、大数据强劲需求下，晶圆代工行业有望保持持续快速增长。
晶圆代工行业现状：行业呈现寡头集中。 晶圆代工是制造业的颠覆，呈现资金壁垒高、技术难度大、 技术迭代快等特点，也因此导致了行业呈现寡头集中，其中台积电是晶圆代工行业绝对的领导者， 营收占比超过 50%，CR5 约为 90%。
晶圆代工行业资金壁垒高。 晶圆代工厂的资本性支出巨大，并且随着制程的提升，代工厂的资本支 出中枢不断提升。台积电资本支出从 11 年的 443 亿元增长到 19 年的 1094 亿元，CAGR 为 12%。 中芯国际资本性支出从 11 年的 30 亿元增长到了 19 年的 131 亿元，CAGR 为 20%，并且随着 14 nm 及 N+1 制程的推进，公司将显著增加 2020 年资本性支出，计划为 455 亿元。巨额投资将众多 追赶者挡在门外，新进入者难度极大。
随着制程提升，晶圆代工难度显著提升。 随着代工制程的提升，晶体管工艺、光刻、沉积、刻蚀、 检测、封装等技术需要全面创新，以此来支撑芯片性能天花板获得突破。
晶体管工艺持续创新。 传统的晶体管工艺为 bulk Si，也称为体硅平面结构（Planar FET）。 随着 MOS 管的尺寸不断的变小，即沟道的不断变小，会出现各种问题，如栅极漏电、泄漏功 率大等诸多问题，原先的结构开始力不从心，因此改进型的 SOI MOS 出现，与传统 MOS 结 构主要区别在于：SOI 器件具有掩埋氧化层，通常为 SiO2，其将基体与衬底隔离。由于氧化 层的存在，消除了远离栅极的泄漏路径，这可以降低功耗。随着制程持续提升，常规的二氧 化硅氧化层厚度变得极薄，例如在 65nm 工艺的晶体管中的二氧化硅层已经缩小仅有 5 个氧 原子的厚度了。二氧化硅层很难再进一步缩小了，否则产生的漏电流会让晶体管无法正常工 作。因此在 28nm 工艺中，高介电常数（K）的介电材料被引入代替了二氧化硅氧化层（又称 HKMG 技术）。随着设备尺寸的缩小，在较低的技术节点，例如 22nm 的，短沟道效应开始 变得更明显，降低了器件的性能。为了克服这个问题，FinFET 就此横空出世。FinFET 结构 结构提供了改进的电气控制的通道传导，能降低漏电流并克服一些短沟道效应。目前先进制 程都是采用 FinFET 结构。
制程提升，需要更精细的芯片，光刻机性能持续提升。 负责“雕刻”电路图案的核心制造设备是光刻机，它是芯片制造阶段最核心的设备之一，光刻机的精度决定了制程的精度。第四 代深紫外光刻机分为步进扫描投影光刻机和浸没式步进扫描投影光刻机，其中前者能实现最 小 130-65nm 工艺节点芯片的生产，后者能实现最小 45-22nm 工艺节点芯片的生产。通过多 次曝光刻蚀，浸没式步进扫描投影光刻机能实现 22/16/14/10nm 芯片制作。到了 7/5nm 工艺， DUV 光刻机已经较难实现生产，需要更为先进的 EUV 光刻机。EUV 生产难度极大，零部件 高达 10 万多个，全球仅 ASML 一家具备生产能力。目前 EUV 光刻机产量有限而且价格昂 贵，2019 年全年，ASML EUV 销量仅为 26 台，单台 EUV 售价高达 1.2 亿美元。
晶圆代工技术迭代快，利于头部代工厂。 芯片制程进入 90nm 节点以后，技术迭代变快，新的制程 几乎每两到三年就会出现。先进制程不但需要持续的研发投入，也需要持续的巨额资本性支出，而 且新投入的设备折旧很快，以台积电为例，新设备折旧年限为 5 年，5 年以后设备折旧完成，生产 成本会大幅度下降，头部厂商完成折旧以后会迅速降低代工价格，后进入者难以盈利。
2.1摩尔定律延续，技术难度与资本投入显著提升
追寻摩尔定律能让消费者享受更便宜的 算 力，晶圆代工是推动摩尔定律最重要的环节。 1965 年， 英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔提出，当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目， 约每隔 18-24 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍，这也是全球电子产品整体性能不断进化的核 心驱动力，以上定律就是著名的摩尔定律。换而言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔 18- 24 个月翻一倍以上。推动摩尔定律的核心内容是发展更先进的制程，而晶圆代工是其中最重要的 环节。
摩尔定律仍在延续。 市场上一直有关于摩尔定律失效的顾虑，但是随着 45nm、28nm、10nm 持续 的推出，摩尔定律仍然保持着延续。台积电在 2018 年推出 7nm 先进工艺，2020 年开始量产 5nm， 并持续推进 3nm 的研究，预计 2022 年量产 3nm 工艺。IMEC 更是规划到了 1nm 的节点。此外， 美国国防高级研究计划局进一步提出了先进封装、存算一体、软件定义硬件处理器三个未来发展研 究与发展方向，以此来超越摩尔定律。在现在的时间点上来看，摩尔定律仍然在维持，但进一步提 升推动摩尔定律难度会显著提升。
先进制程资本性投入进一步飙升 。根据 IBS 的统计，先进制程资本性支出会显著提升。以 5nm 节 点为例，其投资成本高达数百亿美金，是 14nm 的两倍，是 28nm 的四倍。为了建设 5nm 产线， 2020 年，台积电计划全年资本性将达到 150-160 亿美元。先进制程不仅需要巨额的建设成本，而 且也提高了设计企业的门槛，根据 IBS 的预测，3nm 设计成本将会高达 5-15 亿美元。
3nm 及以下制程需要采用全新的晶体管工艺。 FinFET 已经历 16nm/14nm 和 10nm/7nm 两个工艺 世代，随着深宽比不断拉高，FinFET 逼近物理极限，为了制造出密度更高的芯片，环绕式栅极晶 体管（GAAFET，Gate-All-Ground FET）成为新的技术选择。不同于 FinFET，GAAFET 的沟道被 栅极四面包围，沟道电流比三面包裹的 FinFET 更加顺畅，能进一步改善对电流的控制，从而优化 栅极长度的微缩。三星、台积电、英特尔均引入 GAA 技术的研究，其中三星已经先一步将 GAA 用 于 3nm 芯片。如果制程到了 2nm 甚至 1nm 时，GAA 结构也许也会失效，需要更为先进的 2 维 、 甚至 3 维立体结构，目前微电子研究中心（Imec）正在开发面向 2nm 的 forksheet FET 结构。
3nm 及以下制程，光刻机也需要升级。 面向 3nm 及更先进的工艺，芯片制造商或将需要一种称为 高数值孔径 EUV（high-NA EUV）的光刻新技术。根据 ASML 年报，公司正在研发的下一代极紫 外光刻机将采用 high-NA 技术，有更高的数值孔径、分辨率和覆盖能力，较当前的 EUV 光刻机将 提高 70%。ASML 预测高数值孔径 EUV 将在 2022 年以后量产。
除上面提到巨额资本与技术难题以外，先进制程对沉积与刻蚀、检测、封装等环节也均有更高的要 求。正是因为面临巨大的资本和技术挑战，目前全球仅有台积电、三星、intel 在进一步追求摩尔定 律，中芯国际在持续追赶，而像联电、格罗方德等晶圆代工厂商已经放弃了 10nm 及以下制程工艺 的研发，全面转向特色工艺的研究与开发。先进制程的进一步推荐节奏将会放缓，为中芯国际追赶 创造了机会。
2.2先进制程占比持续提升，成熟工艺市场不断增长
高性能芯片需求旺盛，先进制程占比有望持续提升。 移动终端产品、高性能计算、 汽车 电子和通信 及物联网应用对算力的要求不断提升，要求更为先进的芯片，同时随着数据处理量的增加，存储芯 片的制程也在不断升级，先进制程的芯片占比有望持续提升。根据 ASML2018 年底的预测，到 2025 年，12 寸晶圆的先进制程占比有望达到 2/3。2019 年中，台积电 16nm 以上和以下制程分别占比 50%，根据公司预计，到 2020 年，16nm 及以下制程有望达到 55%。
CPU、逻辑 IC、存储器等一般采用先进制程（12 英寸），而功率分立器件、MEMS、模拟、CIS、 射频、电源芯片等产品（从 6μm 到 40nm 不等）则更多的采用成熟工艺（8 寸片）。 汽车 、移动 终端及可穿戴设备中超过 70%的芯片是在不大于 8 英寸的晶圆上制作完成。相比 12 寸晶圆产线，8 寸晶圆制造厂具备达到成本效益生产量要求较低的优势，因此 8 寸晶圆和 12 寸晶圆能够实现优 势互补、长期共存。
受益于物联网、 汽车 电子的快速发展，MCU、电源管理 IC、MOSFET、ToF、传感器 IC、射频芯 片等需求持续快速增长。 社会 已经从移动互联网时代进入了物联网时代，移动互联网时代联网设备 主要是以手机为主，联网设备数量级在 40 亿左右，物联网时代，设备联网数量将会成倍增加，高 通预计到 2020 年联网 设备数量有望达到 250 亿以上。飙升的物联网设备需要需要大量的成熟工艺 制程的芯片。以电源管理芯片为例，根据台积电年报数据，公司高压及电源管理晶片出货量从 2014 年的 1800 万片（8 寸）增长到 2019 年的 2900 万片，CAGR 为 10%。根据 IHS 的预测，成熟晶 圆代工市场规模有望从 2020 年的 372 亿美元增长到 2025 年的 415 亿美元。
特色工艺前景依旧广阔，主要代工厂积极布局特色工艺。 巨大的物联网市场前景，吸引了众多 IC 设计公司开发新产品。晶圆代工企业也瞄准了物联网的巨大商机，频频推出新技术，配合设计公司 更快、更好地推出新一代芯片，助力物联网产业高速发展。台积电和三星不仅在先进工艺方面领先布局，在特色工艺方面也深入布局，例如台积电在图像传感器领域、三星在存储芯片领域都深入布 局。联电、格罗方德、中芯国际、华虹半导体等代工厂也全面布局各自的特色工艺，在射频、 汽车 电子、IOT 等领域，形成了各自的特色。
5G 时代终端应用数据量爆炸式提升增加了对半导体芯片的需求，晶圆代工赛道持续繁荣。 随着对 于 5G 通信网络的建设不断推进，不仅带动数据量的爆炸式提升，要求芯片对数据的采集、处理、 存 储 效率更高，而且也催生了诸多 4G 时代难以实现的终端应用，如物联网、车联网等，增加了终 端对芯片的需求范围。对于芯片需求的增长将使得下游的晶圆代工赛道收益，未来市场前景极其广 阔。根据 IHS 预测，晶圆代工市场规模有望从 2020 年的 584 亿美元，增长到 2025 年的 857 亿美 元，CAGR 为 8%。
3.15G 推动手机芯片需求量上涨
5G 手机渗透率快速提升。手机已经进入存量时代，主要以换机为主。2019 年全球智能手机出货量 为 13.7 亿部，2020 年受疫情影响，IDC 等预测手机总体出货量为 12.5 亿台，后续随着疫情的恢 复以及 5G 产业链的成熟，5G 手机有望快速渗透并带动整个手机出货。根据 IDC 等机构预测，5G 手机出货量有望从 2020 年的 1.83 增长到 2024 年的 11.63 亿台，CAGR 为 59%。
5G 手机 SOC、存储和图像传感器全面升级，晶圆代工行业充分受益。 消费者对手机的要求越来越 高，需要更清晰的拍照功能、更好的 游戏 体验、多任务处理等等，因此手机 SOC 性能、存储性能、 图像传感器性能全面提升。目前旗舰机的芯片都已经达到了 7nm 制程，随着台积电下半年 5 nm 产 能的释放，手机 SOC 有望进入 5nm 时代。照片精度的提高，王者荣耀、吃鸡等大型手游和 VLOG 视频等内容的盛行，对手机闪存容量和速度也提出了更高的要求，LPDDR5 在 2020 年初已经正式 亮相小米 10 系列和三星 S20 系列，相较于上一代的 LPDDR4，新的 LPDDR5 标准将其 I/O 速 度从 3200MT/s 提升到 6400MT/s，理论上每秒可以传输 51.2GB 的数据。相机创新是消费者更 换新机的主要动力之一，近些年来相机创新一直在快速迭代，一方面，多摄弥补了单一相机功能不 足的缺点，另一方面，主摄像素提升带给消费者更多的高清瞬间，这两个方向的创新对晶圆及代工 的需求都显著提升。5G 时代，手机芯片晶圆代工市场将会迎来量价齐升。
5G 手机信号频段增加，射频前端芯片市场有望持续快速增长。射频前端担任信号的收发工作，包 括低噪放大器、功率放大器、滤波器、双工器、开关等。相较于 4G 频段，5G 的频段增加了中高 频的 Sub-6 频段，以及未来的更高频的毫米波频段。根据 yole 预测，射频前端市场有望从 2018 年 的 149 亿美元，增长到 2023 年的 313 亿美元，CAGR 为 16%。
3.2云计算前景广阔，服务器有望迎来快速增长
2020 年是国内 5G 大规模落地元年，有望带来更多数据流量需求 。据中国信通院在 2019 年 12 月 份发布的报告，2020 年中国 5G 用户将从去年的 446 万增长到 1 亿人，到 2024 年我国 5G 用户 渗透率将达到 45%，人数将超过 7.7 亿人，全球将达到 12 亿人，5G 用户数的高增长带来流量的 更高增长。
5G 时代来临，云计算产业前景广阔。 进入 5G 时代，IoT 设备数量将快速增加，同时应用的在线 使用需求和访问流量将快速爆发，这将进一步推动云计算产业规模的增长。根据前瞻产业研究院的 报告，2018 年中国云计算产业规模达到了 963 亿元，到 2024 年有望增长到 4445 亿元，CAGR 为 29%，产业前景广阔。
边缘计算是云计算的重要补充，迎来新一轮发展高潮。 根据赛迪顾问的数据，2018 年全球边缘计 算市场规模达到 51.4 亿美元，同比增长率 57.7%，预计未来年均复合增长率将超过 50%。而中国 边缘计算市场规模在 2018 年达到了 77.4 亿元，并且 2018-2021 将保持 61%的年复合增长率，到 2021 年达到 325.3 亿元。
服务器大成长周期确定性强。 服务器短期拐点已现，受益在线办公和在线教育需求旺盛，2020 年 服务器需求有望维持快速增长。长期来看，受益于 5G、云计算、边缘计算强劲需求，服务器销量 有望保持持续高增长。根据 IDC 预测，2024 年全球服务器销量有望达到 1938 万台，19-24 年， CAGR 为 13%。
服务器半导体需求持续有望迎来快速增长，晶圆代工充分受益。 随着服务器数量和性能的提升，服 务器逻辑芯片、存储芯片对晶圆的需求有望快速增长，根据 Sumco 的预测，服务器对 12 寸晶圆 需求有望从 2019 年的 80 万片/月，增长到 2024 年的 158 万片/月，19-24 年 CAGR 为 8%。晶圆 代工市场有望充分受益服务器芯片量价齐升。
3.3三大趋势推动 汽车 半导体价值量提升
传统内燃机主要价值量主要集中在其动力系统。 而随着人们对于 汽车 出行便捷性、信息化的要求逐 渐提高， 汽车 逐步走向电动化、智能化、网联化，这将促使微处理器、存储器、功率器件、传感器、 车载摄像头、雷达等更为广泛的用于 汽车 发动机控制、底盘控制、电池控制、车身控制、导航及车 载 娱乐 系统中， 汽车 半导体产品的用量显著增加。
车用半导体有望迎来加速增长。 根据 IHS 的报告，车用半导体销售额 2019 年为 410 亿美元，13- 19 年 CAGR 为 8%。随着 汽车 加速电动化、智能化、网联化，车用芯片市场规模有望迎来加速， 根据 Gartner 的数据，全球 汽车 半导体市场 2019 年销售规模达 410.13 亿美元，预计 2022 年有望 达到 651 亿美元，占全球半导体市场规模的比例有望达到 12%，并成为半导体下游应用领域中增 速最快的部分。
自动驾驶芯片要求高，有望进一步拉动先进制程需求。 自动驾驶是通过雷达、摄像头等将采集车辆 周边的信息，然后通过自动驾驶芯片处理数据并给出反馈，以此降低交通事故的发生率、提高城市 中的运载效率并降低驾驶员的驾驶强度。自动驾驶要求多传感器之间能够及时、高效地传递信息， 并同时完成路线规划和决策，因此需要完成大量的数据运算和处理工作。随着自动驾驶级别的上升， 对于芯片算力的要求也越高，产生的半导体需求和价值量也随之水涨船高。英伟达自动驾驶芯片随 着自动驾驶级别的提升，芯片制程也显著提升，最早 Drive PX 采用的是 20nm 工艺，而最新 2019 年发布的 Drive AGX Orin 将会采用三星 8nm 工艺。根据英飞凌的预测，自动驾驶给 汽车 所需要的 半导体价值带来相当可观的增量，一辆车如果实现 Level2 自动驾驶，半导体价值增量就将达到 160 美元，若自动驾驶级别达到 level4&5，增量将会达到 970 美元。
3.4IoT 快速增长，芯片类型多
随着行业标准完善、技术不断进步、政策的扶持，全球物联网市场有望迎来爆发性增长。GSMA 预 测，中国 IOT 设备联网数将会从 2019 年的 36 亿台， 增到 到 2025 年的 80 亿台，19-25 年 CAGR 为 17.3%。根据全球第二大市场研究机构 MarketsandMarkets 的报告，2018 年全球 IoT 市场规模 为 795 亿美元，预计到 2023 年将增长到 2196 亿美元，18-23 年 CAGR 为 22.5%。
物联网的发展需要大量芯片支撑，半导体市场规模有望迎来进一步增长 。物联网感知层的核心部件 是传感器系统，产品需要从现实世界中采集图像、温度、声音等多种信息，以实现对于所处场景的 智能分析。感知需要向设备中植入大量的 MEMS 芯片，例如麦克风、陀螺仪、加速度计等；设备 互通互联需要大量的通信芯片，包括蓝牙、WIFI、蜂窝网等；物联网时代终端数量和数据传输通道 数量大幅增加，安全性成为最重要的需求之一，为了避免产品受到恶意攻击，需要各种类型的安全 芯片作支持；同时，身份识别能够保障信息不被盗用，催生了对于虹膜识别和指纹识别芯片的需求； 作为物联网终端的总控制点，MCU 芯片更是至关重要，根据 IC Insights 的预测，2018 年 MCU 市 场规模增长 11%，预计未来四年内 CAGR 达 7.2%，到 2022 年将超过 240 亿美元。
4.1 国内 IC 设计企业快速增长，代工需求进一步放量
国内集成电路需求旺盛，有望持续维持快速增长。 国内集成电路市场需求旺盛，从 2013 年的 820 亿美元快速增长到 2018 年的 1550 亿美元，CAGR 为 13.6%，IC insight 预测，到 2023 年，中国 集成电路市场需求有望达到 2290 亿美元，CAGR 为 8%。但是同时，国内集成电路自给率也严重 不足，2018 年仅为 15%，IC insight 在 2019 年预测，到 2023 年，国内集成电路自给率为 20%。
需求驱动，国内 IC 设计快速成长。 在市场巨大的需求驱动下，国内 IC 设计企业数量快速增加，尤 其近几年，在国内政策的鼓励下，以及中美贸易摩擦大的背景下，IC 设计企业数量加速增加，2019 年底，国内 IC 设计企业数量已经达到了 1780 家，2010-2019 年，CAGR 为 13%。根据中芯国际 的数据，国内 IC 设计公司营收 2020 年有望达到 480 亿美元，2011-2020 年 CAGR 为 24%，远 高于同期国际 4%的复合增长率。
国内已逐步形成头部 IC 设计企业。 根据中国半导体行业协会的统计，2019 年营收前十的入围门槛 从 30 亿元大幅上升到 48 亿元，这十大企业的增速也同样十分惊人，达到 47%。国内 IC 企业逐步 做大做强，部分领域已经形成了一些头部企业：手机 SoC 芯片领域有华为海思、中兴微电子深度 布局；图像传感领域韦尔豪威大放异彩；汇顶 科技 于 2019 年引爆了光学屏下指纹市场；卓胜微、 澜起 科技 分别在射频开关和内存接口领域取得全球领先。IC 设计企业快速成长有望保持对晶圆代 工的强劲需求。
晶圆代工自给率不足。 中国是全球最大的半导体需求市场，根据中芯国际的预测，2020 年中国对 半导体产品的需求为 2130 亿美元，占全球总市场份额为 49%，但是与之相比的是晶圆代工市场份 额严重不足，根据拓墣研究的数据，2020Q2，中芯国际和华虹半导体份额加起来才 6%，晶圆代 工自给率严重不足，尤其考虑到中国 IC 设计企业数量快速增长，未来的需求有望持续增长，而且， 美国对华为等企业的禁令，更是让我们意识到了提升本土晶圆代工技术和产能的重要性。
4.2政策与融资支持，中国晶圆代工企业迎来良机（略）
晶圆代工需求不断增长，但国内自给严重不足，受益需求与国内政策双重驱动，国内晶圆代工迎来 良机。建议关注：国内晶圆代工龙头，突破先进制程瓶颈的中芯国际-U、特色化晶 圆代工与功率半导体 IDM 双翼发展的华润微华润微、坚持特色工艺，盈利能力强的华虹半导体华虹半导体。
……
（报告观点属于原作者，仅供参考。作者：东方证券，蒯剑、马天翼）
如需完整报告请登录【未来智库】。
半导体晶圆行业的产业链上游企业为中游制造厂商提供生产所需的一切原材料、设备以及线路设计，中游企业负责半导体晶圆的加工制造和封装测试，下游则涉及产品的最终应用。
晶圆是指制作硅半导体集成电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。目前国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主。硅材料占比约为整个半导体市场的 95%，其他材料主要是化合物半导体材料，以第二代半导体材料 GaAs 晶圆和第三代半导体材料 SiC，GaN 晶圆为主。其中，硅晶圆以逻辑芯片，存储芯片等等为主，是应用最广泛的半导体晶圆材料。GaAs 晶圆以射频芯片为主，主要应用场景是低压，高频率;第三代半导体材料以高功率，高频率芯片为主，主要应用场景是大频率，高功率。
——全球晶圆整体保持稳定
受终端半导体市场需求上行影响，半导体晶圆制造产能也随之提升，根据IC Insight数据，2018年全球晶圆产能为1945万片/月，预计到2022年全球晶圆产能将上升至2391万片/月，较2018年增长22.93%，年复合增长率为5.3%。
根据IC Insight统计数据，2018年中国晶圆产能243万片/月(等效于8寸晶圆)，中国大陆晶圆产能占全球晶圆产能12.5%。根据IC Insight对未来产能扩张预测，随着半导体制造硅晶圆产能持续向中国转移，2022年中国大陆晶圆厂产能将达410万片/月，占全球产能17.15%。2018-2022年中国硅晶圆产能的年均复合增长率达14%，远高于全球产能年均复合增长率5.3%。
—— 更多数据参考前瞻产业研究院发布的《半导体硅片、外延片行业市场前景预测与投资战略规划分析报告》
下面都是材料学的刊物,很多哟。序号 杂志全名 中译名1 NATURE 自然2 SCIENCE 科学3 SURFACE SCIENCE REPORTS 表面科学报告4 PROGRESS IN MATERIALS SCIENCE 材料科学进展5 PROGRESS IN SURFACE SCIENCE 表面科学进展6 PHYSICAL REVIEW LETTERS 物理评论快报7 MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING R-REPORTS 材料科学与工程报告8 ADVANCES IN POLYMER SCIENCE 聚合物科学发展9 ADVANCED MATERIALS 先进材料10 ANNUAL REVIEW OF MATERIALS SCIENCE 材料科学年度评论11 APPLIED PHYSICS LETTERS 应用物理快报12 PROGRESS IN POLYMER SCIENCE 聚合物科学进展13 CHEMISTRY OF MATERIALS 材料化学14 PHYSICAL REVIEW B 物理评论B15 ADVANCES IN CHEMICAL PHYSICS 物理化学发展16 JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY 材料化学杂志17 ACTA MATERIALIA 材料学报18 MRS BULLETIN 材料研究学会（美国）公告19 BIOMATERIALS 生物材料20 CARBON 碳21 SURFACE SCIENCE 表面科学22 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 应用物理杂志23 CHEMICAL VAPOR DEPOSITION 化学气相沉积24 JOURNAL OF BIOMEDICAL MATERIALS RESEARCH 生物医学材料研究25 IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS IEEE量子电子学杂志26 CURRENT OPINION IN SOLID STATE & MATERIALS SCIENCE 固态和材料科学的动态27 DIAMOND AND RELATED MATERIALS 金刚石及相关材料28 ULTRAMICROSCOPY 超显微术29 EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL B 欧洲物理杂志 B30 JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY 美国陶瓷学会杂志31 APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING 应用物理A－材料科学和进展32 NANOTECHNOLOGY 纳米技术33 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 真空科学与技术杂志B34 JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH 材料研究杂志35 PHILOSOPHICAL MAGAZINE A-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STRUCTURE DEFECTS AND MECHANICAL PROPERTIES 哲学杂志A凝聚态物质结构缺陷和机械性能物理36 INTERNATIONAL JOURNAL OF NON-EQUILIBRIUM PROCESSING 非平衡加工技术国际杂志37 JOURNAL OF NEW MATERIALS FOR ELECTROCHEMICAL SYSTEMS 电化学系统新材料杂志38 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS 真空科学与技术A真空表面和薄膜39 DENTAL MATERIALS 牙齿材料40 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 电子材料杂志41 JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS 核材料杂志42 INTERNATIONAL MATERIALS REVIEWS 国际材料评论43 JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 非晶固体杂志44 JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS 磁学与磁性材料杂志45 OPTICAL MATERIALS 光学材料46 IEEE TRANSACTIONS ON APPLIED SUPERCONDUCTIVITY IEEE应用超导性会刊47 METALLURGICAL AND MATERIALS TRANSACTIONS A-PHYSICAL METALLURGY AND MATERIAL 冶金与材料会刊A——物理冶金和材料48 THIN SOLID FILMS 固体薄膜49 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 物理杂志D——应用物理50 INTERMETALLICS 金属间化合物51 PHILOSOPHICAL MAGAZINE B-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STATISTICAL MECHANICS 哲学杂志B－凝聚态物质统计力学52 SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY 表面与涂层技术53 JOURNAL OF BIOMATERIALS SCIENCE-POLYMER EDITION 生物材料科学—聚合物版54 MATERIALS RESEARCH INNOVATIONS 材料研究创新55 BIOMETALS 生物金属56 INTERNATIONAL JOURNAL OF PLASTICITY 塑性国际杂志57 SMART MATERIALS & STRUCTURES 智能材料与结构58 ADVANCES IN IMAGING AND ELECTRON PHYSICS 成像和电子物理发展59 SYNTHETIC METALS 合成金属60 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN MEDICINE 材料科学杂志—医用材料61 SCRIPTA MATERIALIA 材料快报62 COMPOSITES PART A-APPLIED SCIENCE AND MANUFACTURING 复合材料 A应用科学与制备63 MODERN PHYSICS LETTERS A 现代物理快报A64 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 半导体科学与技术65 JOURNAL OF THE EUROPEAN CERAMIC SOCIETY 欧洲陶瓷学会杂志66 APPLIED SURFACE SCIENCE 应用表面科学67 MATERIALS TRANSACTIONS JIM 日本金属学会材料会刊68 PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH 固态物理A——应用研究69 MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECH 材料科学与工程B—先进技术用固体材料70 CORROSION SCIENCE 腐蚀科学71 JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS 固体物理与化学杂志72 JOURNAL OF ADHESION SCIENCE AND TECHNOLOGY 粘着科学与技术杂志73 INTERNATIONAL JOURNAL OF REFRACTORY METALS & HARD MATERIALS 耐火金属和硬质材料国际杂志74 SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS 表面与界面分析75 INTERNATIONAL JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS 无机材料国际杂志76 SURFACE REVIEW AND LETTERS 表面评论与快报77 MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING A-STRUCTURAL MATERIALS PROPERTIES MICROST 材料科学和工程A—结构材料的性能、组织与加工78 NANOSTRUCTURED MATERIALS 纳米结构材料79 IEEE TRANSACTIONS ON ADVANCED PACKAGING IEEE高级封装会刊80 INTERNATIONAL JOURNAL OF FATIGUE 疲劳国际杂志81 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS 合金和化合物杂志82 JOURNAL OF NONDESTRUCTIVE EVALUATION 无损检测杂志83 MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING C-BIOMIMETIC AND SUPRAMOLECULAR SYSTEMS 材料科学与工程C—仿生与超分子系统84 JOURNAL OF ELECTROCERAMICS 电子陶瓷杂志85 ADVANCED ENGINEERING MATERIALS 先进工程材料86 IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS IEEE磁学会刊87 PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 固态物理B—基础研究88 JOURNAL OF THERMAL SPRAY TECHNOLOGY 热喷涂技术杂志89 MECHANICS OF COHESIVE-FRICTIONAL MATERIALS 粘着磨损材料力学90 ATOMIZATION AND SPRAYS 雾化和喷涂91 COMPOSITES SCIENCE AND TECHNOLOGY 复合材料科学与技术92 NEW DIAMOND AND FRONTIER CARBON TECHNOLOGY 新型金刚石和前沿碳技术93 MODELLING AND SIMULATION IN MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING 材料科学与工程中的建模与模拟94 INTERNATIONAL JOURNAL OF THERMOPHYSICS 热物理学国际杂志95 JOURNAL OF SOL-GEL SCIENCE AND TECHNOLOGY 溶胶凝胶科学与技术杂志96 HIGH PERFORMANCE POLYMERS 高性能聚合物97 MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS 材料化学与物理98 METALLURGICAL AND MATERIALS TRANSACTIONS B-PROCESS METALLURGY AND MATERIALS 冶金和材料会刊B—制备冶金和材料制备科学99 COMPOSITES PART B-ENGINEERING 复合材料B工程100 CEMENT AND CONCRETE RESEARCH 水泥与混凝土研究101 JOURNAL OF COMPOSITE MATERIALS 复合材料杂志102 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE 材料科学杂志103 JOURNAL OF ENGINEERING MATERIALS AND TECHNOLOGY-TRANSACTIONS OF THE ASME 工程材料与技术杂志—美国机械工程师学会会刊104 MATERIALS RESEARCH BULLETIN 材料研究公告105 JOM-JOURNAL OF THE MINERALS METALS & MATERIALS SOCIETY 矿物、金属和材料学会杂志106 JOURNAL OF BIOMATERIALS APPLICATIONS 生物材料应用杂志107 FATIGUE & FRACTURE OF ENGINEERING MATERIALS & STRUCTURES 工程材料与结构的疲劳与断裂108 JOURNAL OF ADHESION 粘着杂志109 COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE 计算材料科学110 IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING IEEE半导体制造会刊111 MECHANICS OF COMPOSITE MATERIALS AND STRUCTURES 复合材料和结构力学112 PHASE TRANSITIONS 相变113 MATERIALS LETTERS 材料快报114 EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS 欧洲物理杂志—应用物理115 PHYSICA B 物理B116 ADVANCED COMPOSITES LETTERS 先进复合材料快报117 POLYMER COMPOSITES 聚合物复合材料118 CORROSION 腐蚀119 PHYSICS AND CHEMISTRY OF GLASSES 玻璃物理与化学120 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS 材料科学杂志—电子材料121 COMPOSITE INTERFACES 复合材料界面122 AMERICAN CERAMIC SOCIETY BULLETIN 美国陶瓷学会公告123 APPLIED COMPOSITE MATERIALS 应用复合材料124 RESEARCH IN NONDESTRUCTIVE EVALUATION 无损检测研究125 PROGRESS IN CRYSTAL GROWTH AND CHARACTERIZATION OF MATERIALS 晶体生长和材料表征进展126 JOURNAL OF COMPUTER-AIDED MATERIALS DESIGN 计算机辅助材料设计杂志127 CERAMICS INTERNATIONAL 国际陶瓷128 POLYMER TESTING 聚合物测试129 ADVANCED PERFORMANCE MATERIALS 先进性能材料 130 SEMICONDUCTORS 半导体131 URNAL OF BIOACTIVE AND COMPATIBLE POLYMERSJO 生物活性与兼容性聚合物杂志132 HIGH TEMPERATURE MATERIALS AND PROCESSES 高温材料和加工133 ADVANCES IN POLYMER TECHNOLOGY 聚合物技术发展134 COMPOSITE STRUCTURES 复合材料结构135 JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN 日本陶瓷学会杂志136 BIO-MEDICAL MATERIALS AND ENGINEERING 生物医用材料与工程137 INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B 现代物理国际杂志B138 INTERNATIONAL JOURNAL OF THEORETICAL PHYSICS 理论物理国际杂志139 INTEGRATED FERROELECTRICS 集成铁电材料140 MAGAZINE OF CONCRETE RESEARCH 混凝土研究杂志141 ACI MATERIALS JOURNAL 美国混凝土学会材料杂志142 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS 材料科学杂志快报143 FERROELECTRICS 铁电材料144 BULLETIN OF MATERIALS SCIENCE 材料科学公告145 MATERIALS SCIENCE FORUM 材料科学论坛146 JSME INTERNATIONAL JOURNAL SERIES A-SOLID MECHANICS AND MATERIAL ENGINEERIN 日本机械工程学会国际杂志系列A－固体力学与材料工程147 MATERIALS CHARACTERIZATION 材料表征148 SYNTHESIS AND REACTIVITY IN INORGANIC AND METAL-ORGANIC CHEMISTRY 无机物及金属—有机物化学的合成和反应149 MATERIALS AT HIGH TEMPERATURES 高温材料150 HIGH TEMPERATURES-HIGH PRESSURES 高温—高压151 JOURNAL OF COMPOSITES TECHNOLOGY & RESEARCH 复合材料技术与研究杂志152 ACI STRUCTURAL JOURNAL 美国混凝土学会结构杂志153 MATERIALS & DESIGN 材料与设计154 MATERIALS AND STRUCTURES 材料与结构155 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 半导体加工的材料科学156 BRITISH CERAMIC TRANSACTIONS 英国陶瓷会刊157 MECHANICS OF COMPOSITE MATERIALS 复合材料力学158 JOURNAL OF COATINGS TECHNOLOGY 涂层技术杂志159 JOURNAL OF REINFORCED PLASTICS AND COMPOSITES 增强塑料和复合材料杂志160 MATERIALS AND CORROSION-WERKSTOFFE UND KORROSION 材料与腐蚀161 SCIENCE IN CHINA SERIES E-TECHNOLOGICAL SCIENCES 中国科学E技术科学162 CEMENT & CONCRETE COMPOSITES 水泥与混凝土复合材料163 MATERIALS EVALUATION 材料评价164 POLYMERS & POLYMER COMPOSITES 聚合物与聚合物复合材料165 JOURNAL OF MATERIALS SYNTHESIS AND PROCESSING 料合成与加工杂志166 ADVANCED COMPOSITE MATERIALS 先进复合材料167 INTERNATIONAL JOURNAL OF MATERIALS & PRODUCT TECHNOLOGY 材料与生产技术国际杂志168 JOURNAL OF MATERIALS IN CIVIL ENGINEERING 土木工程材料杂志169 HIGH TEMPERATURE MATERIAL PROCESSES 高温材料加工170 CONSTRUCTION AND BUILDING MATERIALS 结构与建筑材料171 HIGH TEMPERATURE 高温172 RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING 稀有金属材料与工程173 INORGANIC MATERIALS 无机材料174 SCIENCE AND TECHNOLOGY OF WELDING AND JOINING 焊接科学与技术175 MATERIALS AND MANUFACTURING PROCESSES 材料与制造工艺176 FERROELECTRICS LETTERS SECTION 铁电材料快报177 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY 材料科学与技术杂志178 JOURNAL OF MATERIALS ENGINEERING AND PERFORMANCE 材料工程与性能杂志179 METALS AND MATERIALS INTERNATIONAL 国际金属及材料180 GLASS TECHNOLOGY 玻璃技术181 JOURNAL OF MATERIALS PROCESSING TECHNOLOGY 材料加工技术杂志182 JOURNAL OF POLYMER MATERIALS 聚合物材料杂志183 ADVANCED POWDER TECHNOLOGY 先进粉末技术184 JOURNAL OF ADVANCED MATERIALS 先进材料杂志185 SYNTHESE 合成186 GLASS SCIENCE AND TECHNOLOGY-GLASTECHNISCHE BERICHTE 玻璃科学与技术187 JOURNAL OF TESTING AND EVALUATION 测试及评价杂志188 MATERIALS SCIENCE AND TECHNOLOGY 材料科学与技术189 POWDER METALLURGY AND METAL CERAMICS 粉末冶金及金属陶瓷190 MATERIALS SCIENCE 材料科学191 MATERIALS TECHNOLOGY 材料技术192 ADVANCED MATERIALS & PROCESSES 先进材料及工艺193 RARE METALS 稀有金属194 JOURNAL OF WUHAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY-MATERIALS SCIENCE EDITION 武汉理工大学学报-材料科学版195 PLATING AND SURFACE FINISHING 电镀和表面修整196 JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS 无机材料杂志197 MATERIALS WORLD 材料世界198 METAL SCIENCE AND HEAT TREATMENT 金属科学及热处理199 METALL 金属200 MATERIALS PERFORMANCE 材料性能 201 JOURNAL OF MATERIALS PROCESSING & MANUFACTURING SCIENCE 材料加工与制造科学杂志202 SCIENCE AND ENGINEERING OF COMPOSITE MATERIALS 复合材料科学与工程203 IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS AND PACKAGING TECHNOLOGIES IEEE元件及封装技术会刊204 JOCCA-SURFACE COATINGS INTERNATIONAL JOCCA—国际表面涂层205 ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS 先进功能材料 206 ANNUAL REVIEW OF MATERIALS RESEARCH 材料研究年度评论207 MATERIALS TRANSACTIONS 材料会刊
这些都是检索系统，一个收录很多论文的数据库。 SCI主要偏重理论性研究。 SSCI是社会科学期刊数据库。 EI偏工程应用。 CSCD和核心期刊都是中国的数据库。 ISTP是会议论文数据库，以上都是期刊论文。