博士，北京工业大学副研究员，硕士生导师。2008获北京工业大学理学博士学位。博士论文获2008年度北京工业大学优秀博士论文、2009年度北京市优秀博士论文、2010年度国家百篇优秀博士论文提名奖。2002.7-2008.9期间在北京印刷学院等离子体物理及材料研究室从事纳米材料制备，功能薄膜制备，等离子体技术应用等科研工作。2008调入北京工业大学工作。2009年入选北京市中青年骨干教师，2010年入选北京市科技新星。研究方向为低维材料原位电子显微学研究，新型纳米材料的制备及微结构性能关系研究。
2000年9月-2005年6月，在浙江大学材料系无机非金属材料研究所光电功能薄膜应用研究室师从韩高荣教授，攻读材料学专业的博士学位，博士论文的题目是“有机物/ZnS纳米复合材料的制备与光学性能的研究”。主要研究方向：有机/无机纳米复合材料的制备及界面效应。硕博连读期间，先后参与了国家自然科学基金（69890230）、863重大项目（2001AA320202）、教育部跨世纪优秀人才培养计划项目的研究。近年来主要从事纳米功能氧化物、纳米磁性材料的可控制备、机理及性能的研究。主持/参与了国家自然科学基金（21101143，11074227）、浙江省自然科学基金（Y407322）、浙江省教育厅科研计划项目（20070661）、校立自然科学基金（XZ0512）一项，中国计量学院开放性实验室项目三项，已结题。获得国家发明专利一项。1. 国家自然科学基金，“共轭聚合物/ZnO纳米棒异质结光电池的制备及其界面亚稳平衡吸附态与性能的研究”（21101143），2012年1月-2014年12月，主持。2. 国家自然科学基金，“参加国际理论物理中心2011年度学术活动”(11191240250)，2011年5月-2011年12月，主持。3. 国家自然科学基金，“闪热亚稳致密效应与技术及其在钐铁氮制备中的应用”（11074227），2011年1月-2013年12月，在研。4. 校立开放性实验，“高分子软模板络合自组装ZnO纳米薄膜”，2011年9月-2012年6月，在研。1. 浙江省教育厅科研计划项目，“Ni离子的掺杂对ZnO基稀磁半导体形貌和磁性能的影响”（20070661），2008年1月-2008年12月，主持，结题。2. 校立自然科学基金，“磁性阳离子掺杂Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体纳米材料的溶剂热合成及磁学、 光学性能的表征”（XZ0512），2005年11月-2007年11月，主持，结题。3. 校立开放性实验室项目，“有机物辅助水热法制备纳米氧化锌及在涂料中的研究”，2006年5月－2006年12月，主持，结题。4. 校立开放性实验室项目“水热法制备纳米二氧化钛及在环保领域的研究”，2006年5月－2006年12月，主持，结题。5. 校立开放性实验室项目“氧化铁纳米棒的制备及机理的研究”， 2007年6月－2008年6月，主持，结题。
具有在一定的低温条件下呈现出电阻等于零以及排斥磁力线的性质的材料。现已发现有28种元素和几千种合金和化合物可以成为超导体。 特性 超导材料和常规导电材料的性能有很大的不同。主要有以下性能。①零电阻性：超导材料处于超导态时电阻为零，能够无损耗地传输电能。如果用磁场在超导环中引发感生电流，这一电流可以毫不衰减地维持下去。这种“持续电流”已多次在实验中观察到。②完全抗磁性：超导材料处于超导态时，只要外加磁场不超过一定值，磁力线不能透入，超导材料内的磁场恒为零。③约瑟夫森效应：两超导材料之间有一薄绝缘层（厚度约1nm）而形成低电阻连接时，会有电子对穿过绝缘层形成电流，而绝缘层两侧没有电压，即绝缘层也成了超导体。当电流超过一定值后，绝缘层两侧出现电压U（也可加一电压U），同时，直流电流变成高频交流电，并向外辐射电磁波，其频率为，其中h为普朗克常数，e为电子电荷。这些特性构成了超导材料在科学技术领域越来越引人注目的各类应用的依据。 基本临界参量 有以下 3个基本临界参量。①临界温度:外磁场为零时超导材料由正常态转变为超导态(或相反)的温度，以Tc表示。Tc值因材料不同而异。已测得超导材料的最低Tc是钨，为0.012K。到1987年，临界温度最高值已提高到100K左右。②临界磁场：使超导材料的超导态破坏而转变到正常态所需的磁场强度，以Hc表示。Hc与温度T 的关系为Hc=H0[1-(T/Tc)2]，式中H0为0K时的临界磁场。③临界电流和临界电流密度：通过超导材料的电流达到一定数值时也会使超导态破态而转变为正常态，以Ic表示。Ic一般随温度和外磁场的增加而减少。单位截面积所承载的Ic称为临界电流密度，以Jc表示。 超导材料的这些参量限定了应用材料的条件，因而寻找高参量的新型超导材料成了人们研究的重要课题。以Tc为例，从1911年荷兰物理学家H.开默林－昂内斯发现超导电性(Hg，Tc=4.2K)起，直到1986年以前，人们发现的最高的 Tc才达到23.2K(Nb3Ge，1973)。1986年瑞士物理学家K.A.米勒和联邦德国物理学家J.G.贝德诺尔茨发现了氧化物陶瓷材料的超导电性，从而将Tc提高到35K。之后仅一年时间，新材料的Tc已提高到100K左右。这种突破为超导材料的应用开辟了广阔的前景，米勒和贝德诺尔茨也因此荣获1987年诺贝尔物理学奖金。 分类 超导材料按其化学成分可分为元素材料、合金材料、化合物材料和超导陶瓷。①超导元素：在常压下有28种元素具超导电性，其中铌（Nb）的Tc最高，为9.26K。电工中实际应用的主要是铌和铅(Pb，Tc=7.201K)，已用于制造超导交流电力电缆、高Q值谐振腔等。② 合金材料： 超导元素加入某些其他元素作合金成分， 可以使超导材料的全部性能提高。如最先应用的铌锆合金(Nb-75Zr)，其Tc为10.8K，Hc为8.7特。继后发展了铌钛合金，虽然Tc稍低了些，但Hc高得多，在给定磁场能承载更大电流。其性能是Nb-33Ti，Tc=9.3K，Hc＝11.0特；Nb-60Ti，Tc=9.3K，Hc=12特(4.2K)。目前铌钛合金是用于7～8特磁场下的主要超导磁体材料。铌钛合金再加入钽的三元合金，性能进一步提高，Nb-60Ti-4Ta的性能是，Tc＝9.9K，Hc=12.4特（4.2K）；Nb-70Ti-5Ta的性能是，Tc=9.8K，Hc=12.8特。③超导化合物:超导元素与其他元素化合常有很好的超导性能。如已大量使用的Nb3Sn，其Tc=18.1K，Hc=24.5特。其他重要的超导化合物还有V3Ga，Tc=16.8K，Hc=24特；Nb3Al，Tc=18.8K，Hc=30特。④超导陶瓷：20世纪80年代初，米勒和贝德诺尔茨开始注意到某些氧化物陶瓷材料可能有超导电性，他们的小组对一些材料进行了试验，于1986年在镧－钡－铜－氧化物中发现了Tc=35K的超导电性。1987年，中国、美国、日本等国科学家在钡－钇－铜氧化物中发现Tc处于液氮温区有超导电性，使超导陶瓷成为极有发展前景的超导材料。 应用 超导材料具有的优异特性使它从被发现之日起，就向人类展示了诱人的应用前景。但要实际应用超导材料又受到一系列因素的制约，这首先是它的临界参量，其次还有材料制作的工艺等问题（例如脆性的超导陶瓷如何制成柔细的线材就有一系列工艺问题）。到80年代，超导材料的应用主要有：①利用材料的超导电性可制作磁体，应用于电机、高能粒子加速器、磁悬浮运输、受控热核反应、储能等；可制作电力电缆，用于大容量输电（功率可达10000MVA）；可制作通信电缆和天线，其性能优于常规材料。②利用材料的完全抗磁性可制作无摩擦陀螺仪和轴承。③利用约瑟夫森效应可制作一系列精密测量仪表以及辐射探测器、微波发生器、逻辑元件等。利用约瑟夫森结作计算机的逻辑和存储元件，其运算速度比高性能集成电路的快10～20倍，功耗只有四分之一。 1911年，荷兰物理学家昂尼斯(1853～1926)发现，水银的电阻率并不象预料的那样随温度降低逐渐减小，而是当温度降到4.15K附近时，水银的电阻突然降到零。某些金属、合金和化合物，在温度降到绝对零度附近某一特定温度时，它们的电阻率突然减小到无法测量的现象叫做超导现象，能够发生超导现象的物质叫做超导体。超导体由正常态转变为超导态的温度称为这种物质的转变温度(或临界温度)TC。现已发现大多数金属元素以及数以千计的合金、化合物都在不同条件下显示出超导性。如钨的转变温度为0.012K，锌为0.75K，铝为1.196K，铅为7.193K。超导体得天独厚的特性，使它可能在各种领域得到广泛的应用。但由于早期的超导体存在于液氦极低温度条件下，极大地限制了超导材料的应用。人们一直在探索高温超导体，从1911年到1986年，75年间从水银的4．2K提高到铌三锗的23．22K，才提高了19K。 1986年，高温超导体的研究取得了重大的突破。掀起了以研究金属氧化物陶瓷材料为对象，以寻找高临界温度超导体为目标的“超导热”。全世界有260多个实验小组参加了这场竞赛。 1986年1月，美国国际商用机器公司设在瑞士苏黎世实验室科学家柏诺兹和缪勒首先发现钡镧铜氧化物是高温超导体，将超导温度提高到30K；紧接着，日本东京大学工学部又将超导温度提高到37K；12月30日，美国休斯敦大学宣布，美籍华裔科学家朱经武又将超导温度提高到40．2K。 1987年1月初，日本川崎国立分子研究所将超导温度提高到43K；不久日本综合电子研究所又将超导温度提高到46K和53K。中国科学院物理研究所由赵忠贤、陈立泉领导的研究组，获得了48．6K的锶镧铜氧系超导体，并看到这类物质有在70K发生转变的迹象。2月15日美国报道朱经武、吴茂昆获得了98K超导体。2月20日，中国也宣布发现100K以上超导体。3月3日，日本宣布发现123K超导体。3月12日中国北京大学成功地用液氮进行超导磁悬浮实验。3月27日美国华裔科学家又发现在氧化物超导材料中有转变温度为240K的超导迹象。很快日本鹿儿岛大学工学部发现由镧、锶、铜、氧组成的陶瓷材料在14℃温度下存在超导迹象。高温超导体的巨大突破，以液态氮代替液态氦作超导制冷剂获得超导体，使超导技术走向大规模开发应用。氮是空气的主要成分，液氮制冷机的效率比液氦至少高10倍，所以液氮的价格实际仅相当于液氦的1／100。液氮制冷设备简单，因此，现有的高温超导体虽然还必须用液氮冷却，但却被认为是20世纪科学上最伟大的发现之一。超导科学研究 1.非常规超导体磁通动力学和超导机理 主要研究混合态区域的磁通线运动的机理，不可逆线性质、起因及其与磁场和温度的关系，临界电流密度与磁场和温度的依赖关系及各向异性。超导机理研究侧重于研究正常态在强磁场下的磁阻、霍尔效应、涨落效应、费米面的性质以及T
陶瓷薄膜制备方法可分为两大类：(1)物理方法，包括真空热蒸发、直流和射频溅射(包括离子束溅射)，激光蒸发以及分子束外延技术；(2)化学方法，包括喷雾热解、化学气相沉积(CVD)、溶胶-凝胶(Sol-Gel)及金属有机气相沉积(MOCVD)法等。每种方法均要求在基片上提供合适的原子流以便使需要的成分的薄膜在基片表面上可控生长。各种制备方法均各有其长处和短处，但可以根据不同的材料对象和应用目标选择适宜的工艺技术。
品 名:超导陶瓷拼音:chao1dao3tao2ci2英文名称：superconductivity ceramics说明:具有超导性的陶瓷材料。其主要特性是在一定临界温度下电阻为零即所谓零阻现象。在磁场中其磁感应强度为零，即抗磁现象或称迈斯纳效应（Meissner effect）。高临界温度（90开以上）的超导陶瓷材料组成有YBa2Cu3O7-δ，Bi2Sr2Ca2Cu3O10，Tl2Ba2Ca2Cu3O10。超导陶瓷在诸如磁悬浮列车、无电阻损耗的输电线路、超导电机、超导探测器、超导天线、悬浮轴承、超导陀螺以及超导计算机等强电和弱电方面有广泛应用前景。奇异的超导陶瓷1973年，人们发现了超导合金――铌锗合金，其临界超导温度为23.2K，该记录保持了13年。1986年，设在瑞士苏黎世的美国IBM公司的研究中心报道了一种氧化物（镧－钡－铜－氧）具有35K的高温超导性，打破了传统“氧化物陶瓷是绝缘体”的观念，引起世界科学界的轰动。此后，科学家们争分夺秒地攻关，几乎每隔几天，就有新的研究成果出现。1986年底，美国贝尔实验室研究的氧化物超导材料，其临界超导温度达到40K，液氢的“温度壁垒”（40K）被跨越。1987年2月，美国华裔科学家朱经武和中国科学家赵忠贤相继在钇－钡－铜－氧系材料上把临界超导温度提高到90K以上，液氮的禁区（77K）也奇迹般地被突破了。1987年底，铊－钡－钙－铜－氧系材料又把临界超导温度的记录提高到125K。从1986－1987年的短短一年多的时间里，临界超导温度竟然提高了100K以上，这在材料发展史，乃至科技发展史上都堪称是一大奇迹！高温超导材料的不断问世，为超导材料从实验室走向应用铺平了道路。
1. HU Haiyan, HUANG Yuan, LIU Jie, ZHANG Zhirong*. Medium-chain triglycerides based o/w microemulsion for intravenous adminstration: formulation, characterization and in vitro hemolytic activities. J Drug Del Sci Tech, 2008, 18(2) :101-1072. Zhu Wenbo, Hu Haiyan (co-first), Qiu Pengxin, Yan Guangmei*. Triptolide induces apoptosis in human anaplastic thyroid carcinoma cells by a p53-independent but NF- B-related mechanism. Oncology Reports, 2009, 22: 1397-14013. 游秀华, 王荣昌, 汤文星, 李莹, 何志坚, 胡海燕*（通讯作者）, 吴传斌. 自微乳化系统提高广藿香醇大鼠口服生物利用度. 中国中药杂志, in press4. 汤文星，郑思嘉，王荣昌，游秀华，冷田东，胡海燕* （通讯作者），颜光美. 氧化甾醇-磷脂脂质囊泡抽制备及特性研究. 中山大学学报（自然科学版），2009,48(4):35-395. 刘杰; 王荣昌; 傅静奕; 张志荣; 何岚; 胡海燕* （通讯作者）. 不同处方喷昔洛韦微乳体外特性及小鼠体内分布研究. 中国现代应用药学，2009，29(5): 356-3606. 刘杰郑思嘉陈福斯谢建芳胡海燕*（通讯作者）。HPLC法测定复方首乌降脂胶囊中熊果酸的含量. 中国现代药物应用，2009，3(2):1-27. 胡海燕，吴传斌. 《药剂学进展》研究性教学体系的构建. 药学教育，2009，29(1): 25-288. 刘杰，郑思嘉，韩金玟，胡海燕*（通讯作者）. HPLC测定复方首乌降脂胶囊中2,3,5,4-四羟基二苯乙烯-2-O-β-葡萄糖苷的含量. 中国现代应用药学, 2008, 25(8): 719-7219. 胡海燕，陈小娟，陈六平，张志荣. 脉冲场梯度NMR测定六元复杂微乳体系中各组分的自扩散系数. 四川大学学报(自然科学版), 2007, 44(4):855-85910. 胡海燕，徐雄良，王荣昌，张志荣. 不同溶解性质的药物在o/w微乳中的溶解度和体外释放特征. 中国药学杂志 ，2006, 41(9): 678-68211. 胡海燕，林芸竹，龚涛，张志荣. 喷昔洛韦微乳小鼠体内分布研究.中国药学杂志 ，2007,42(2):148-15112. 胡海燕，王荣昌，莫凤翔，吴传斌. HPLC测定结石清片中盐酸巴马汀的含量. 中药材，2007，30(4)：479-48013. 胡海燕，黎颖，杨得坡. 龙血竭超微粉滴丸的制备工艺.中国医药工业杂志，2004,(11):21-2314. 胡海燕，黎颖，杨得坡,王冬梅. 不同粒径血竭粉末与制剂滴丸止血作用比较研究. 中国中药杂志，2004,29(12):1141-114315. 胡海燕，彭劲甫，黄世亮，杨得坡. 分子蒸馏技术用于广藿香油纯化工艺的研究 . 中国中药杂志，2004, 29（4）:320-32216. 徐新军，胡海燕，王珊，郭鑫霆. 高效液相色谱蒸发光散射检测器测定新血宝胶囊中黄芪甲苷含量. 药物分析杂志，2009，29(2): 292-29417. XU Xiongliang, FU yao, HU Haiyan, ZHANG Zhirong. Quantitative determination of insulin entrapment efficiency in triblock copolymeric nanoparticles by highperformance liquid chromatography. J Pharm Biomedical Anal, 2006, 41:266-27318. SUN Xun, HAI Li, WU Yong, HU Haiyan, ZHANG Zhirong. Targeted gene delivery to Hepatoma cells using galactosylated Liposome-Polycation-DNA complexes (LPD). J Drug Target, 2006, 13(2): 121-128.19. 魏振平，胡海燕，毛世瑞，毕殿洲. 改进HPLC测定血浆中西沙必利样品的处理方法. 华西药学杂志, 2005, (2): 56-5720. 王发松，胡海燕，黄世亮，杨得坡. 姜油的分子蒸馏纯化工艺与化学成分分析研究. 中国医药工业杂志，2003，34(3): 125-12621. 甘良春，胡海燕，杨得坡. 薄膜包衣的成型工艺及其在中药微丸上的应用. 时珍国药杂志, 2004,15(3):177-17822. 杨得坡，甘良春，胡海燕. 国外贯叶连翘抗抑郁疗效的临床验证.中西医结合学报, 2004,2(3):231-235
1. 广西自然基金项目“芒果苷水溶性关键技术的研究” （桂科基0575084）,已经按时结题。2. 广西科学研究与技术开发计划课题“广西北部湾梭子蟹壳抗消化性溃疡的开发研究”（任务书编号：桂科攻10124008-8）。3. 广西教育厅面上项目是：“利用广西特产金银花制作银花膏的研究” （200701MS170），已经按时结题。4. 广西中医药管理局中医药科技专项课题“妇雅净栓抗白色念珠菌阴道感染的药效学研究”（合同编号：GZKZ09-14），按计划正在进行中。5. 广西中医学院院级课题”芒果苷滴丸剂制剂工艺的研究”(P200334)，已经按时结题。作为第一作者或通讯作者发表的科研论文代表作有：1. 王志萍,梁裕芬等. 妇雅净浸膏体外抑菌杀虫作用的实验研究J. 广西中医药,2007,6(30):54-55.2. 王志萍,邓家刚,王勤,等. 羟丙基-β-环糊精包合法提高芒果苷溶解度的研究,中成药,2008,30（8）：1123－11263.邓家刚,王志萍*,李学坚,等. 芒果苷滴丸成型工艺的研究,中成药,2008,30（7）:1070－10734. 王志萍,肖廷刚,李立,等. 胃痛消胶囊剂提取工艺的研究，中成药，2006,28(3):420-4215. 王志萍,张庆华,韦慧鲜,等. 消痘洗面奶制剂工艺的研究，中国现代应用药学杂志，2008，25（4）：308－3106. 王志萍,韦慧鲜,申文慧,等. 脑血栓片中芍药苷的定性定量测定，时珍国医国药，2008,19(5):1161-11627. 王志萍,邓家刚,王勤,等. 祛痹颗粒喷雾干燥工艺的研究,中国药师,2008,11（3）:324-3258. 邓家刚,王志萍*,申文慧,等. 芒果苷片薄膜包衣工艺的研究,中国药师,2008,11(10):1140-11429. 王志萍,罗远,韦慧鲜,等. 抗骨增生丸的质量标准研究，中华中医药杂，2007,22(增):320-32210. 王志萍,邓家刚,梁丹,等. 提高祛痹颗粒临界相对湿度的实验研究,中华中医药杂,2009,24（2）232－233
2019年11月24日。
我无法确定华东师大网络教育论文答辩的难易程度，因为不同的人对于难易的定义和感受可能不同。一般来说，论文答辩需要做好充分的准备，掌握论文的内容和相关领域的知识，同时具备较好的表达能力和应变能力。只要认真准备，理论上可以通过答辩。
答辩时间 2022年12月16日(星期五)下午2:00开始,请答辩人员提前20分钟入
现在主要是转换率上还是需要提高，从前景上看，有很广泛应用的可能
铜铟镓硒柔性薄膜太阳电池你把标题写错了哈哈
目前，太阳能光伏发电市场，主流发电方式多以晶体硅为基础原料。2006年—2008年，全球多晶硅市场的疯狂行情导致光伏发电成本大幅上涨。当时，薄膜电池发电方式以其成本低备受青睐，许多电池生产商也纷纷转投薄膜电池生产，薄膜电池发展将替代晶体硅发展的“替代论”充斥行业内部。随着多晶硅价格回归理性，传统光伏电池价格趋于稳定。未来，多晶硅价格仍将处于下降通道，让已引进薄膜电池生产线的企业有些始料不及。随着多晶硅价格失守，薄膜电池成本低的优势正在消失。据记者了解，计划上薄膜电池的企业其薄膜扩张计划均处于停滞状态，如今仅有部分企业在继续薄膜电池的研发与生产。一时间，薄膜是外资设备商“陷阱”的说法在行业内盛行。到底应该如何看待薄膜电池发展？本报专访多位太阳能专家分析评说薄膜电池的发展。“薄膜电池是做为一种新技术引进的”——访北京交通大学理学院太阳能研究所所长徐征教授“薄膜‘替代论’是不客观的”近日，北京交通大学理学院太阳能研究所所长徐征教授接受了记者的专访，他认为，薄膜电池将替代晶体硅电池之说是不客观的。他表示：“市场上认为薄膜电池将凭借其生产成本低、材料易得等优势，替代传统多晶硅、单晶硅电池这种说法是不客观。”徐征说：“持此种观点的人，大多以其材料易得性来说明薄膜电池的成本优势，但从整体成本考虑，仅产品成本低还不足以说明这个行业的生产成本低。比如同样做一个大型电站，除了考虑生产设备、生产技术，还要把更大的土地成本算进去。目前，晶体硅电池的转换率是薄膜电池的两倍，建一个同规模电站的话，仅土地成本薄膜电池将是晶体硅的两倍。一个行业的成本是多种因素构成的，而非一、两个技术特点决定。同一个电站项目，特别是大型电站项目，多晶硅、单晶硅电池的高转换率决定了其比薄膜电池更具优势。”薄膜电池弱光性优势显现徐征教授介绍说，目前，薄膜电池分很多种类。其中有非晶硅与微晶叠层的薄膜电池，转化率可以达到9%；砷化镓，转化率一般在25%左右；碲化镉是市场比较活跃的投资项目，美国第一太阳能去年在世界的碲化镉产量和装机都是最高的。徐征说，不同薄膜电池各有优势，比如砷化镓，其主要应用在太空，转换率非常高，最高可以到达35%以上，并且具有抗辐射的特性。一般来说，热能对砷化镓的影响不大，而晶硅电池遇极热将大幅降低发电效率。徐征教授表示，薄膜电池的弱光性特性将使其适合做幕墙工程。所谓弱光性指的是电池设备对光子的吸收。对光子的吸收越多，转换率就越大。晶体硅转换率高低由太阳光强度以及其对太阳的角度决定，换言之，阳光强度越强；角度越准确，转换率越高。薄膜就像其他技术一样，也有自身的优势。比如其特有的弱光性就是其它电池材料不具备的。光线强与光线弱的时候，晶体硅转换率差别很大。但薄膜却在光线较暗的情况下，依然能够产生电流。玻璃幕墙一般是垂直的，这样的光照角度必然影响其对光子的吸收，从而影响晶体硅的转换率。而薄膜的弱光性，即有光就可以发电的优势，确定其作为建筑幕墙的最好选择。“薄膜设备本来就是非常贵的”据记者了解，以25兆瓦的非晶硅薄膜电池生产线为例，公开资料显示，其价格在3亿元—4亿元人民币之间，而25兆瓦晶体硅太阳能电池生产线的设备成本则仅有4000万元—5000万元。目前，国内引进一台薄膜电池生产机器花费超过1亿元。由此，国外设备投资商对中国实施的“陷阱论”成为热议。对此，徐征所长表示：“不能这么简单地、主观认为这是美国对中国太阳能企业的一个‘陷阱’。”徐征强调：“薄膜电池的引进首先是一种先进技术的引进。而生产薄膜的设备历来都是非常贵的，并不是单纯生产薄膜电池生产设备贵。”徐征解释，现在常生产的平板显示就可以得以说明。目前，在平板显示生产线上，平板显示也需要用到薄膜产品，其薄膜设备可以达到几十个亿。“生产一台薄膜设备造价本身就很高。如果说用在生产薄膜电池非常贵是不客观的。”徐教授说，“不是美国人卖给我们就贵，而是薄膜设备自身制造成本就比较高。 ”“薄膜电池价格优势渐失”“目前，薄膜电池成本低廉的优势渐失。”徐征分析，这主要缘于晶体硅原材料稳步进入价格下降通道，专家预测，未来多晶硅价格还将继续下跌，薄膜成本优势也随着多晶硅价格下降而减弱。这对部分薄膜电池生产商产生了极大的市场压力，从部分薄膜生产商集体选择缄默也表示其对薄膜电池发展充满忧虑。尽管薄膜电池发展受到冲击和考验，但薄膜电池的确也有其发展的空间。比如薄膜电池在幕墙及屋顶项目应用空间还是很大。徐征说：“政府目前允许薄膜电池与晶体硅电池参与太阳能电站的招标，也表明了政府的态度。意味着政府默认薄膜电池与晶体硅并存发展。未来，薄膜电池仍将得到较大的发展。”尚德电力新闻负责人张建敏在接受采访时也基本同意徐征的观点。“薄膜、晶体硅各有市场。” 张建敏说，“从市场分析，薄膜电池还是有其发展空间的。一些薄膜电池公司技术数据能够提高很快，成本优势尚存。从其用途上来看，薄膜更适用于玻璃幕墙的项目，在光伏建筑一体化项目上更具优势。”薄膜电池至少是一种新选择——访中投顾问能源行业首席研究员姜谦近几年来，随着各国的重视程度愈来愈高，全球太阳能光伏产业的发展可谓日新月异。但即便是这样，太阳能光伏发电5倍于传统火力发电的成本仍然让很多企业望而生畏，这也是到目前为止，太阳能光伏发电不仅难与火力发电，甚至难与同为可再生能源的风力发电相抗衡的主要原因。以目前市场上占主流的硅基太阳能电池为例，2006年电池占太阳能光伏系统总成本的比例超过65%，目前也在50-60%，这也就是说电池占了整个光伏系统成本的一半以上。而要降低整个光伏系统的成本，关键点也就在核心部件光伏电池上。中投顾问能源行业首席研究员姜谦在接受采访时表示，虽然随着全球主流厂家技术突破的进程不断加快，硅基太阳能电池成本下降的趋势很明显，但这显然跟不上整个产业的发展步伐。而薄膜电池这时候作为一种新的选择出现，短期内替代硅基电池的主流地位并不现实，但从长远来看，它对于全球光伏产业的巨大推动作用却毋庸置疑。姜谦说：“成本低是薄膜电池相比于硅基电池的最大优势所在。”以目前市场上最成熟的碲化镉(CdTe)薄膜太阳能电池为例，截至2009年，龙头企业First Solar生产成本已经从2008的93美分/瓦降至84美分/瓦，另外，该公司计划到2014年要将成本进一步降至0.52-0.63美元，与此同时要将转换效率拉升至12.5%。目前在该领域，First Solar还处于独家垄断阶段，随着越来越多竞争者的加入，碲化镉(CdTe)薄膜太阳能电池的发展潜力会更加凸显。通用电气近期与PrimeStar太阳能公司的合作，就是致力于碲化镉薄膜太阳能光伏产品的开发。而除了碲化镉(CdTe)薄膜太阳能电池之外，近期硒化铜铟镓电池（CIGS）也成为市场关注的焦点。CIGS电池具有性能稳定、抗辐射能力强，光电转换效率目前是各种薄膜太阳电池之首，接近于目前市场主流产品晶体硅太阳电池转换效率，成本却是其1/3。2006年、2007年全球CIGS太阳能电池组件的产能分别仅为17MW、60MW左右，产量更是微乎其微。而2008年全球CIGS电池的产量在40MW左右，2009年则是更进一步，产能超过660MW，实际产量也达到180MW左右，增幅超过300%，显示了良好的发展势头。在政策层面，以我国为例，虽然目前国内市场并未真正开启，但在国家能源局主导的第二轮光伏并网电站招标工作中，招标方案将不再限定技术种类，薄膜电池技术也可以参与竞标，这也从一个侧面反映出国家对薄膜电池的支持。综上所述，目前所存在的种种质疑，不应该是对薄膜发展可行性的质疑，但发展时机、发展速度、发展方向等等应该是整个产业需要谨慎对待的。姜谦说：“从产业的长远布局来看，发展薄膜技术不仅是毋庸置疑的，甚至应该是非常紧迫的。”薄膜电池生产企业：薄膜电池发展应有其必要性在采访中，部分薄膜产品生产商表示，与晶体硅电池相比，薄膜电池的成本下降潜力要大得多，主要得益于薄膜太阳能电池的技术进步日新月异。薄膜太阳能电池预计未来的产能可能会达到整个太阳能行业的20%，发展空间较大。薄膜太阳能电池现在发展面临技术突破，有很多物理方法，比如说离子束方法沉积纳米晶硅薄膜工艺。从成本角度分析，未来的薄膜太阳能电池比晶体硅电池有明显优势，较之火电等常规能源具有明显的替代优势。某薄膜电池生产商表示，随着光伏产业在全球能源中占比例逐步提高，薄膜太阳能电池在大型光伏电站、BIPV等应用需求推动下将迅猛发展。但不同的薄膜太阳能电池还有各自的缺点，或转换效率偏低，或存在环境安全问题，有的存在原材料资源稀缺问题，这些问题也需要产业形成规模后逐步解决。“有理由相信，薄膜太阳能电池即将迎来高速成长。”上述企业人士解释，以硅基薄膜太阳能电池为例，其电池技术发展成熟度高，使用叠层工艺将使转换效率及衰减问题不再突出。其次，研发实力雄厚的半导体设备供应商纷纷切入硅基薄膜太阳能电池设备供应领域，薄膜太阳能电池设备供应商快速崛起，对行业迅猛发展起到了重要的推动作用。从技术路线发展看，目前，硅基薄膜太阳能电池已经发展到第四代——非晶硅/微晶硅双结叠层电池。这种非晶硅与微晶硅叠层的基本结构将成为未来硅薄膜太阳能电池的主流发展趋势。“薄膜电池发展有其必要性。”
还是自己写吧，这个有点困难。