半导体光电期刊

(1)来稿文责自负。文稿务必主题明确,论述合理,逻辑严谨,数据可靠,叙述清楚,文字精炼。内容应保守国家机密,引用他人作品应给出来源。(2) 文稿一般不超过6 000 字,综述稿不超过8 000 字,其他类型的稿件酌减。属于综述、研究论文和技术报告的稿件,应附英文题名、作者名、单位名、摘要和关键词。基金项目应注明编号。?(3)摘要应包括目的、方法、结果和结论四个要素,也就是用简洁的语言说明文章要解决的问题,主要工作过程及所采用的技术手段和方法,研究所获得的实验数据、结果及其意义。篇幅以200～250 字为宜。?(4) 关键词以5～8 个为宜。为便于文献检索,应尽可能提供中图分类号。?(5) 文中涉及的物理量和计量单位应符合国家有关标准。计量单位请用GB3100 - 3102 - 93《量和单位》规定的法定计量单位。注意区分各物理量符号的文种、大、小写、正、斜体(矢量和矩阵用黑斜体)、上、下角标等。?(6) 插图和表格应有图题和表题。插图应采用计算机制作，勿用截图。本刊为黑白印刷，请勿用彩色插图。?(7) 文稿中引用他人的成果,务请写明原作者姓名、题名、来源,一并在参考文献中给出,并在正文中相应位置进行标示,否则责任由来稿人自负。参考文献只择主要的。文献的著录格式严格按照以下形式书写（含标点符号）：1) 专著：作者.书名.版本(第1版不著录)[M].出版地:出版者,出版年:起止页码.2) 译著:作者.书名[M].译者,译.出版地:出版者,出版年:起止页码.3) 期刊:作者.题名[J].刊名,出版年份,卷(期):起止页码.4) 会议论文集:作者.题名[C]// 编者.论文集名.出版地:出版者,出版年:起止页码.5) 学位论文:作者.题名:[学位论文][D].保存地:保存者,年份.6) 专利文献:专利申请者.题名.专利国别,专利号[P].公告日期或公开日期.7) 标准:责任者.标准代号 标准名称[S].出版地:出版者,出版年.8) 电子文献标注格式:主要责任者.题名：其它题名信息[文献类型标志/文献载体标志].出版地：出版者，出版年(更新或修改日期)[引用日期].获取和访问路径.9) 注意事项（1）参考文献中的外文作者名、外文刊名的缩写一律不用缩写点。（2）外文著者一律用姓在名前，采用首字母缩写（中国人用全名不缩写）。姓和名之间不加逗号，名2个以上大写首字母，2名间空一格。文献作者3名以内全部列出，4名以上则列前3人，后加“et al”。各著者间不加“and”、“和”等，应用逗号分开。（3）外文题名第一个单词首字母大写，其余单词（专有名词除外）均不大写。（4）外文刊名应按国际标准规定缩写，不加缩写点。?(8)来稿请注明作者详细通信地址、邮编、联系电话，以及电子邮箱。?(9) 本刊编辑部将在收到稿件两个月之内对来稿做出取舍,如逾期未收到刊用通知,作者有权对稿件另行处理。稿件一经刊用,本刊将酌付稿酬并赠送样刊。（10）为扩大《半导体光电》的读者面与影响力，本刊已与《中国知网（CNKI）》独家签署了光盘出版和上网协议。作者若不同意刊登在本刊上的论文制作成光盘版或上网，请来稿时具体说明；若未说明者，本刊视为同意上网。光盘版和上网等的稿费已包含在本刊支付的稿费中。