针对Science创刊125周年之际公布的125个最具挑战性的科学问题之一＂是否可能制造出室温下的磁性半导体？＂进行了解读.主要从传统电子学面临的严峻挑战出发,介绍了磁性半导体的基本概念、与普通半导体的区别以及在信息技术中可能发挥的重要作用.本文以磁性元素掺杂的Zn O和Ga N为例介绍了实验中 ...
ZnO：Mn稀磁半导体及P型ZnO：N薄膜的制备、结构和物性研究. 李敏. 【摘要】： 氧化锌 (ZnO),一种新型Ⅱ—Ⅵ族半导体材料,具有禁带宽、激子束缚能高和近紫外光发射强等优点,在半导体器件等方面有着广泛的应用前景。. 为了实现ZnO的实际应用,必须通过掺杂技术来 ...
16.Mn 掺杂 SiC 基稀磁半导体薄膜的结构和磁性研究，表面技术，2015,44(7). (CSCD) 17. 电弧离子镀制备 TiSiN 纳米复合涂层，表面技术，2015,44(8). (CSCD) 18. 化学势在热力学与统计物理学中的作用. 周口师范学院学报，2015，33(2). （ CN ）
一种新的量子材料--拓扑绝缘体. 按照导电性质的不同，材料可分为“金属”和“绝缘体”两大类；而更进一步，根据电子态的拓扑性质的不同，“绝缘体”和“金属”还可以进行更细致的划分。. 拓扑绝缘体就是根据这样的新标准而划分的区别于其他普通绝缘体 ...
石墨价带结构及其与过渡金属镍的相互作用. 罗春平 齐上雪 李楠 林彰达. 【摘要】： 用XPS和UPS技术细致地研究了石墨的价带结构,并与Painter等人计算的结果相比较。. 在石墨上蒸镀镍后,碳原子与镍原子相互作用,在石墨表面形成一层碳化镍。. 从镀镍后的AES谱可 ...
稀磁半导体zns掺杂mn薄膜的研究[本文62页] 低维锗基纳米材料掺杂改性的第一性原[本文140页] 半金属材料的第一性原理研究[本文72页] m-n-h系储氢材料团簇结构与性质的第一[本文194页] 掺杂ti的naalh_4相关系和缺陷热力学的[本文158页] graphene功能分子及自 ...
首先,介绍稀磁半导体和半金属的研究现状,阐述了密度理论及所用软件包等基本内容。 其次,计算自旋相关的闪锌矿(zinc-blende, ZB) ScM(M=C, Si, Ge, Sn)。通过对它们的态密度、能带和磁矩的分析。 结果表明,闪锌矿ScM (M=C, Si, Ge, Sn)是磁矩为1.0μB的真实 ...
多铁材料BiFeO_3的元素掺杂研究进展. 张子阳 何彬. 【摘要】： BiFeO3是一种在室温下同时存在铁电性,铁磁性的材料,在一定条件下可以产生磁电耦合效应。. 这种磁和电的相互作用提供了很多应用领域,包括数据存储器件,自旋电子学,磁电感应设备和多状态记忆领域 ...
“目前国内外文献报道的新型稀磁半导体，还没有超过室温的！”毋志民略微有些自豪地说。一方面，他是重庆师范大学物理与电子工程学院教授，硕士生导师，要教书育人；一方面他也是光电功能材料重庆市重点实验室副主任，要带领团队突破新型磁电功能材料等方面的研究。
现在正在调研关于自旋电子学方面的东西，发现稀磁半导体可应用于“自旋发光二极管”等领域，请教高人自旋发光二极管和普通的发光二极管有什么区别吗？
AlN基稀磁半导体的研究进展王腊节;聂招秀【期刊名称】《材料导报:纳米与新材料专辑》【年(卷),期】2010(000)001【摘要】主要介绍了AlN基稀磁半导体(DMS)...
【摘要】针对5种不同构型下的ZnO基稀磁半导体特性展开研究,利用第一性原理对Co掺杂ZnO,Mn掺杂ZnO,以及(Co,Mn)共掺杂ZnO进行模拟计算,分析其电子结构及磁性.结果表明,Co掺杂Z...
ZnO基稀磁半导体材料研究进展秩名铁塔地脚螺栓所用材料的合理用料秩名简述非晶合金材料变压器的发展和特点秩名火力发电厂接地材料选用综述秩名超导及超导材料的应用...
【摘要】:稀磁半导体(DMS)材料同时利用了电子的电荷和自旋属性,具有优异的磁、磁光、磁电等性能,在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景。系统地概述了SiC基DMS...
稀磁半导体研究进展宋书林;陈诺夫;等【期刊名称】《金属材料研究》【年(卷),期】2003(029)001【摘要】本文系统地概述了稀磁半导体的研究过程,介绍了材料的制...
采用水热法,以3mol/LKOH为矿化剂,填充度35%,温度430℃,通过添加适量比例的MnCl2及CoCl2、CuCl2、SnCl2等作为前驱物,合成了稀磁半导体晶体.与单独掺杂Mn离子的稀磁半导体相...
OALibJournal期刊ISSN:2333-9721费用:99美元投递稿件查看量下载量相关文章电荷自旋注入机制分离的新型稀磁半导体稀磁半导体--自旋和电荷的桥梁硼化合物的研究XX...
正电子湮没技术在稀磁半导体中的应用[期刊论文],稀磁半导体,稀磁半导体的应用,稀磁半导体的居里温度,正电子湮没,正电子湮没技术,正电子湮没寿命谱,正电子湮没谱...
【摘要】:本文主要研究了四元稀磁半导体(Ga,Mn)(As,Sb)薄膜的生长制备、晶体结构及磁性质等方面。首先,利用低温分子束外延技术成功制备出不同Sb含量的四元铁磁半导体(Ga,Mn)...
中国期刊全文数据库前2条1施思齐,雷敏生,欧阳楚英;稀磁半导体ZnX∶Co~(2+)光磁性质的双共价因子和双ξ模型(英文)[J];半导体学报;2002年09期2施思齐,雷敏生;双共价因子...