半导体电子束论文

半导体电子束论文

原子中核外电子对入射电子的散射作用是属于非弹性散射过程。在散射过程中入射电子所损失的能量部分转变为热，部分使物质中原子发生电离或形成自由载流子（在半导体情况下），并伴随着产生各种有用信息，如：二次电子、俄歇电子、特征X射线、特征能量损失电子、阴极发光、电子感生电导等。
1.二次电子：二次电子是指背入射电子轰击出来的核外电子。由于原子核和外层价电子间的结合能很小，当原子的核外电子从入射电子获得了大于相应的结合能的能量后，可脱离原子成为自由电子。如果这种散射过程发生在比较接近样品表层处，那些能量大于材料逸出功的自由电子可从样品表面逸出，变成真空中的自由电子，即二次电子。 二次电子来自表面5-10nm的区域，能量为50eV。它对试样表面状态非常敏感，能有效地显示试样表面的微观形貌。由于它发自试样表层，入射电子还没有被多次反射，因此产生二次电子

帮我写一篇激光原理的论文

激光发展史激光以全新的姿态问世已二十余年。然而，发明激光器的历程却鲜为人知，至于发明者如何从事艰难曲折的探索，就更少人问津了。其实，每一项重大发明，都是科学家们智慧的结晶，里面包涵着他们的汗水和心血。自然，激光器的发明也不例外。 　　说得准确些，对激光的研究，只是到了20世纪50年代末才出现一个崭新阶段。在此之前，人们只对无线电波和微波有较深研究。科学家们把无线电波波长缩短到十米以内，使得世界性的通讯成为可能，那是30年代的事情。后来，随着速调管和空穴磁控管的发明，科学家便对厘米波的性质进行研究。二次世界大战中，由于射频和光谱学的发展，辐射波和原子只间的联系又重新被强调。大战期间，科学家们发明并研制了雷达（战争对雷达的制造起了推动的作用）。从技术本身来说，雷达是电磁波向超短波、微波发展的产物。大战以后，科学家又开创了微波波谱学，目的是探索光谱的微波范围并把其推广到更短的波长。当时，哥仑比亚大学有一个由汤斯（）领导的辐射实验小组，他们一直从事电磁方面以及毫米辐射波的研究。1951年，汤斯提出了微波激射器（Maser全称Microwave Amplification by Stimulated Emission of Radiation）的概念。经过几年的努力，1954年汤斯和他的助手高顿（J. Cordon）、蔡格(H. Zeiger)发明了氨分子束微波激射器并使其正常运行。这为以后激光器的诞生奠定了基础。当时，汤斯希望微波激射器能产生波长为半毫米的微波，遗撼的是，激射器却输出波长为1。25cm的微波。微波激射器问世以后，科学家就希望能制造输出更短波长的激射器。汤斯认为可将微波推到红外区附近，甚至到可见光波段。1958年，肖洛（ow）与汤斯合作，率先发表了在可见光频段工作的激射器的设计方案和理论计算。这又将激光研究推上了一个新阶段。　　现在，人们都知道，产生激光要具备两个重要条件：一是粒子数反转；二是谐振腔。值得注意的是，自1916年爱因斯坦提出受激辐射的概念以后，1940年前后就有人在研究气体放电实验中，观察到粒子反转现象。按当时的实验技术基础，就具备建立某种类型的激光器的条件。但为什么没能造出来呢？因为没有人，包括爱因斯坦本人没把受激辐射，粒子数反转，谐振腔联系在一起加以考虑。因而也把激光器的发明推迟了若干年。在研究激光器的过程中，应把引进谐振腔的功劳归于肖洛。肖洛长期从事光谱学研究。谐振腔的结构，就是从法——珀干涉仪那里得到启示的。正如肖洛自己所说：“我开始考虑光谐振器时，从两面彼此相向镜面的法——珀干涉仪结构着手研究，是很自然的。”实际上，干涉仪就是一种谐振器。肖洛在贝尔电话实验室的七年中，积累了大量数据，于1958年提出了有关激光的设想。几乎同时，许多实验室开始研究激光器的可能材料和方法，用固体作为工作物质的激光器的研究工作始于1958年。如肖洛所述：“我完全彻底地受到灌输，使我相信，可以在气体中做的任何事情，在固体中同样可以做，且在固体中做得更好些。因此，我开始探索、寻找固体激光器的材料…...”的确，不到一年，在1959年9月召开的第一次国际量子电子会议上，肖洛提出了用红宝石作为激光的工作物质。不久，肖洛又具体地描述了激光器的结构：“固体微波激射器的结构较为简单，实质上，它有一棒（红宝石），它的一端可作全反射，另一端几乎全反射，侧面作光抽运。”遗撼的是，肖洛没有得到足够的光能量使粒子数反转，因而没获成功。可喜的是，科学家迈曼（）巧妙地利用氙灯作光抽运，从而获得粒子数反转。于是，1960年6月，在Rochester大学，召开了一个有关光的相干性的会议，会议上，迈曼成功地操作了一台激光器。7月份，迈曼用红宝石制成的激光器被公布于众。至此，世界上第一台激光器宣告诞生。　　激光具有单色性，相干性等一系列极好的特性。从诞生那天开始，人们就预言了它的美好前景。20多年来，人们制造了输出各种不同波长的激光器，甚至是可调激光器。大功率激光器的研制成功，又开拓了新的领域。1977年出现的自由电子激光器，机制则完全不同，它的工作物质是具有极高能量的自由电子，人们可以期望通过这种激光器，实现连续大功率输出，而且覆盖频率范围可向长短两个方向发展。　　现在，激光应用已经遍及光学、医学、原子能、天文、地理、海洋等领域，它标志着新技术革命的发展。诚然，如果将激光发展的历史与电子学及航空发展的历史相比，你不得不意识到现在还是激光发展的早期阶段，更令人激动的美好前景将要来到。
能发1954年制成了第一台微波量子放大器，获得了高度相干的微波束。1958年A.L.肖洛和C.H.汤斯把微波量子放大器原理推广应用到光频范围，并指出了产生激光的方法。1960年T.H.梅曼等人制成了第一台红宝石激光器。1961年A.贾文等人制成了氦氖激光器。1962年R.N.霍耳等人创制了砷化镓半导体激光器。以后，激光器的种类就越来越多。按工作介质分，激光器可分为气体激光器、固体激光器、半导体激光器和染料激光器4大类。近来还发展了自由电子激光器，其工作介质是在周期性磁场中运动的高速电子束，激光波长可覆盖从微波到X射线的广阔波段。按工作方式分，有连续式、脉冲式、调Q和超短脉冲式等几类。大功率激光器通常都是脉冲式输出。各种不同种类的激光器所发射的激光波长已达数千种，最长的波长为微波波段的0.7毫米，最短波长为远紫外区的210埃，X射线波段的激光器也正在研究中。
除自由电子激光器外，各种激光器的基本工作原理均相同，装置的必不可少的组成部分包括激励（或抽运）、具有亚稳态能级的工作介质和谐振腔（ 见光学谐振腔）3部分。激励是工作介质吸收外来能量后激发到激发态，为实现并维持粒子数反转创造条件。激励方式有光学激励、电激励、化学激励和核能激励等。工作介质具有亚稳能级是使受激辐射占主导地位，从而实现光放大。谐振腔可使腔内的光子有一致的频率、相位和运行方向，从而使激光具有良好的定向性和相干性。
激光工作物质 是指用来实现粒子数反转并产生光的受激辐射放大作用的物质体系，有时也称为激光增益媒质，它们可以是固体（晶体、玻璃）、气体（原子气体、离子气体、分子气体）、半导体和液体等媒质。对激光工作物质的主要要求，是尽可能在其工作粒子的特定能级间实现较大程度的粒子数反转，并使这种反转在整个激光发射作用过程中尽可能有效地保持下去；为此，要求工作物质具有合适的能级结构和跃迁特性。
激励(泵浦)系统 是指为使激光工作物质实现并维持粒子数反转而提供能量来源的机构或装置。根据工作物质和激光器运转条件的不同，可以采取不同的激励方式和激励装置，常见的有以下四种。①光学激励(光泵)。是利用外界光源发出的光来辐照工作物质以实现粒子数反转的，整个激励装置，通常是由气体放电光源（如氙灯、氪灯）和聚光器组成。②气体放电激励。是利用在气体工作物质内发生的气体放电过程来实现粒子数反转的，整个激励装置通常由放电电极和放电电源组成。③化学激励。是利用在工作物质内部发生的化学反应过程来实现粒子数反转的，通常要求有适当的化学反应物和相应的引发措施。④核能激励。是利用小型核裂变反应所产生的裂变碎片、高能粒子或放射线来激励工作物质并实现粒子数反转的。
激光器的种类是很多的。下面，将分别从激光工作物质、激励方式、运转方式、输出波长范围等几个方面进行分类介绍。
按工作物质分类 根据工作物质物态的不同可把所有的激光器分为以下几大类：①固体（晶体和玻璃）激光器，这类激光器所采用的工作物质，是通过把能够产生受激辐射作用的金属离子掺入晶体或玻璃基质中构成发光中心而制成的；②气体激光器，它们所采用的工作物质是气体，并且根据气体中真正产生受激发射作用之工作粒子性质的不同，而进一步区分为原子气体激光器、离子气体激光器、分子气体激光器、准分子气体激光器等；③液体激光器，这类激光器所采用的工作物质主要包括两类，一类是有机荧光染料溶液，另一类是含有稀土金属离子的无机化合物溶液,其中金属离子（如Nd）起工作粒子作用，而无机化合物液体（如SeOCl）则起基质的作用；④半导体激光器，这类激光器是以一定的半导体材料作工作物质而产生受激发射作用，其原理是通过一定的激励方式(电注入、光泵或高能电子束注入)，在半导体物质的能带之间或能带与杂质能级之间，通过激发非平衡载流子而实现粒子数反转，从而产生光的受激发射作用；⑤自由电子激光器，这是一种特殊类型的新型激光器，工作物质为在空间周期变化磁场中高速运动的定向自由电子束，只要改变自由电子束的速度就可产生可调谐的相干电磁辐射，原则上其相干辐射谱可从X射线波段过渡到微波区域，因此具有很诱人的前景。
按激励方式分类 ①光泵式激光器。指以光泵方式激励的激光器，包括几乎是全部的固体激光器和液体激光器，以及少数气体激光器和半导体激光器。②电激励式激光器。大部分气体激光器均是采用气体放电（直流放电、交流放电、脉冲放电、电子束注入）方式进行激励，而一般常见的半导体激光器多是采用结电流注入方式进行激励，某些半导体激光器亦可采用高能电子束注入方式激励。③化学激光器。这是专门指利用化学反应释放的能量对工作物质进行激励的激光器，反希望产生的化学反应可分别采用光照引发、放电引发、化学引发。④核泵浦激光器。指专门利用小型核裂变反应所释放出的能量来激励工作物质的一类特种激光器，如核泵浦氦氩激光器等。
按运转方式分类 由于激光器所采用的工作物质、激励方式以及应用目的的不同，其运转方式和工作状态亦相应有所不同，从而可区分为以下几种主要的类型。①连续激光器，其工作特点是工作物质的激励和相应的激光输出，可以在一段较长的时间范围内以连续方式持续进行，以连续光源激励的固体激光器和以连续电激励方式工作的气体激光器及半导体激光器，均属此类。由于连续运转过程中往往不可避免地产生器件的过热效应，因此多数需采取适当的冷却措施。②单次脉冲激光器，对这类激光器而言，工作物质的激励和相应的激光发射，从时间上来说均是一个单次脉冲过程，一般的固体激光器、液体激光器以及某些特殊的气体激光器，均采用此方式运转，此时器件的热效应可以忽略，故可以不采取特殊的冷却措施。③重复脉冲激光器，这类器件的特点是其输出为一系列的重复激光脉冲，为此，器件可相应以重复脉冲的方式激励，或以连续方式进行激励但以一定方式调制激光振荡过程,以获得重复脉冲激光输出,通常亦要求对器件采取有效的冷却措施。④调激光器,这是专门指采用一定的 开关技术以获得较高输出功率的脉冲激光器，其工作原理是在工作物质的粒子数反转状态形成后并不使其产生激光振荡 (开关处于关闭状态)，待粒子数积累到足够高的程度后，突然瞬时打开 开关，从而可在较短的时间内（例如10～10秒）形成十分强的激光振荡和高功率脉冲激光输出（见技术'" class=link>激光调 技术）。⑤锁模激光器，这是一类采用锁模技术的特殊类型激光器，其工作特点是由共振腔内不同纵向模式之间有确定的相位关系，因此可获得一系列在时间上来看是等间隔的激光超短脉冲（脉宽10～10秒）序列，若进一步采用特殊的快速光开关技术，还可以从上述脉冲序列中选择出单一的超短激光脉冲（见激光锁模技术）。⑥单模和稳频激光器，单模激光器是指在采用一定的限模技术后处于单横模或单纵模状态运转的激光器，稳频激光器是指采用一定的自动控制措施使激光器输出波长或频率稳定在一定精度范围内的特殊激光器件，在某些情况下，还可以制成既是单模运转又具有频率自动稳定控制能力的特种激光器件（见激光稳频技术）。⑦可调谐激光器，在一般情况下，激光器的输出波长是固定不变的，但采用特殊的调谐技术后，使得某些激光器的输出激光波长，可在一定的范围内连续可控地发生变化，这一类激光器称为可调谐激光器（见激光调谐技术）。
按输出波段范围分类 根据输出激光波长范围之不同，可将各类激光器区分为以下几种。①远红外激光器，输出波长范围处于25～1000微米之间, 某些分子气体激光器以及自由电子激光器的激光输出即落入这一区域。②中红外激光器，指输出激光波长处于中红外区(2.5～25微米)的激光器件,代表者为CO分子气体激光器(10.6微米)、 CO分子气体激光器（5～6微米）。③近红外激光器,指输出激光波长处于近红外区（0.75～2.5微米）的激光器件，代表者为掺钕固体激光器（1.06微米）、CaAs半导体二极管激光器(约 0.8微米)和某些气体激光器等。④可见激光器，指输出激光波长处于可见光谱区（4000～7000埃或0.4～0.7微米）的一类激光器件，代表者为红宝石激光器 （6943埃）、 氦氖激光器（6328埃）、氩离子激光器（4880埃、5145埃）、氪离子激光器（4762埃、5208埃、5682埃、6471埃）以及一些可调谐染料激光器等。⑤近紫外激光器，其输出激光波长范围处于近紫外光谱区（2000～4000埃），代表者为氮分子激光器(3371埃)氟化氙(XeF)准分子激光器（3511埃、3531埃）、 氟化氪(KrF)准分子激光器(2490埃)以及某些可调谐染料激光器等⑥真空紫外激光器,其输出激光波长范围处于真空紫外光谱区(50～2000埃）代表者为（H）分子激光器 (1644～1098埃)、氙(Xe)准分子激光器（1730埃）等。⑦X射线激光器, 指输出波长处于X射线谱区（0.01～50埃）的激光器系统，目前软X 射线已研制成功，但仍处于探索阶段
[编辑本段]激光器的发明
激光器的发明是20世纪科学技术的一项重大成就。它使人们终于有能力驾驶尺度极小、数量极大、运动极混乱的分子和原子的发光过程，从而获得产生、放大相干的红外线、可见光线和紫外线（以至X射线和γ射线）的能力。激光科学技术的兴起使人类对光的认识和利用达到了一个崭新的水平。
激光器的诞生史大致可以分为几个阶段，其中1916年爱因斯坦提出的受激辐射概念是其重要的理论基础。这一理论指出，处于高能态的物质粒子受到一个能量等于两个能级之间能量差的光子的作用，将转变到低能态，并产生第二个光子，同第一个光子同时发射出来，这就是受激辐射。这种辐射输出的光获得了放大，而且是相干光，即如多个光子的发射方向、频率、位相、偏振完全相同。
此后，量子力学的建立和发展使人们对物质的微观结构及运动规律有了更深入的认识，微观粒子的能级分布、跃迁和光子辐射等问题也得到了更有力的证明，这也在客观上更加完善了爱因斯坦的受激辐射理论，为激光器的产生进一步奠定了理论基础。20世纪40年代末，量子电子学诞生后，被很快应用于研究电磁辐射与各种微观粒子系统的相互作用，并研制出许多相应的器件。这些科学理论和技术的快速发展都为激光器的发明创造了条件。
如果一个系统中处于高能态的粒子数多于低能态的粒子数，就出现了粒子数的反转状态。那么只要有一个光子引发，就会迫使一个处于高能态的原子受激辐射出一个与之相同的光子，这两个光子又会引发其他原子受激辐射，这样就实现了光的放大；如果加上适当的谐振腔的反馈作用便形成光振荡，从而发射出激光。这就是激光器的工作原理。1951年，美国物理学家珀塞尔和庞德在实验中成功地造成了粒子数反转，并获得了每秒50千赫的受激辐射。稍后，美国物理学家查尔斯·汤斯以及苏联物理学家马索夫和普罗霍洛夫先后提出了利用原子和分子的受激辐射原理来产生和放大微波的设计。
然而上述的微波波谱学理论和实验研究大都属于“纯科学”，对于激光器到底能否研制成功，在当时还是很渺茫的。
但科学家的努力终究有了结果。1954年，前面提到的美国物理学家汤斯终于制成了第一台氨分子束微波激射器，成功地开创了利用分子和原子体系作为微波辐射相干放大器或振荡器的先例。
汤斯等人研制的微波激射器只产生了1.25厘米波长的微波，功率很小。生产和科技不断发展的需要推动科学家们去探索新的发光机理，以产生新的性能优异的光源。1958年，汤斯与姐夫阿瑟·肖洛将微波激射器与光学、光谱学的理论知识结合起来，提出了采用开式谐振腔的关键性建议，并预防了激光的相干性、方向性、线宽和噪音等性质。同期，巴索夫和普罗霍洛夫等人也提出了实现受激辐射光放大的原理性方案。
此后，世界上许多实验室都被卷入了一场激烈的研制竞赛，看谁能成功制造并运转世界上第一台激光器。
1960年，美国物理学家西奥多·梅曼在佛罗里达州迈阿密的研究实验室里，勉强赢得了这场世界范围内的研制竞赛。他用一个高强闪光灯管来刺激在红宝石水晶里的铬原子，从而产生一条相当集中的纤细红色光柱，当它射向某一点时，可使这一点达到比太阳还高的温度。
“梅曼设计”引起了科学界的震惊和怀疑，因为科学家们一直在注视和期待着的是氦氖激光器。
尽管梅曼是第一个将激光引入实用领域的科学家，但在法庭上，关于到底是谁发明了这项技术的争论，曾一度引起很大争议。竞争者之一就是“激光”(“受激辐射式光频放大器”的缩略词)一词的发明者戈登·古尔德。他在1957年攻读哥伦比亚大学博士学位时提出了这个词。与此同时，微波激射器的发明者汤斯与肖洛也发展了有关激光的概念。经法庭最终判决，汤斯因研究的书面工作早于古尔德9个月而成为胜者。不过梅曼的激光器的发明权却未受到动摇。
1960年12月，出生于伊朗的美国科学家贾万率人终于成功地制造并运转了全世界第一台气体激光器——氦氖激光器。1962年，有三组科学家几乎同时发明了半导体激光器。1966年，科学家们又研制成了波长可在一段范围内连续调节的有机染料激光器。此外，还有输出能量大、功率高，而且不依赖电网的化学激光器等纷纷问世。
由于激光器具备的种种突出特点，因而被很快运用于工业、农业、精密测量和探测、通讯与信息处理、医疗、军事等各方面，并在许多领域引起了革命性的突破。比如，人们利用激光集中而极高的能量，可以对各种材料进行加工，能够做到在一个针头上钻200个孔；激光作为一种在生物机体上引起刺激、变异、烧灼、汽化等效应的手段，已在医疗、农业的实际应用上取得了良好效果；在通信领域，一条用激光柱传送信号的光导电缆，可以携带相当于2万根电话铜线所携带的信息量；激光在军事上除用于通信、夜视、预警、测距等方面外，多种激光武器和激光制导武器也已经投入实用。
今后，随着人类对激光技术的进一步研究和发展，激光器的性能将进一步提升，成本将进一步降低，但是它的应用范围却还将继续扩大，并将发挥出越来越巨大的作用。

求一光电子技术 半导体或探测器 论文 1500字

半导体射线探测器
最初约年研究核射线在晶体上作
用, 表明射线的存在引起导电现象。但是, 由
于测得的幅度小、存在极化现象以及缺乏合适
的材料, 很长时间以来阻碍用晶体作为粒子探
测器。就在这个时期, 气体探测器象电离室、
正比计数器、盖革计数器广泛地发展起来。
年, 范· 希尔顿首先较实际地讨论了
“ 传导计数器” 。在晶体
上沉积两个电极, 构成一种固体电离室。为分
离人射粒子产生的载流子, 须外加电压。许多
人试验了各种各样的晶体。范· 希尔顿和霍夫
施塔特研究了这类探测器的主要性质, 产生一
对电子一空穴对需要的平均能量, 对射线作用
的响应以及电荷收集时间。并看出这类探测器
有一系列优点由于有高的阻止能力, 人射粒
子的射程小硅能吸收质子, 而
质子在空气中射程为, 产生一对载
流子需要的能量比气体小十倍, 在产生载流子
的数目上有小的统计涨落, 又比气体计数器响
应快。但是, 尽管霍夫施塔特作了许多实验,
使用这种探侧器仍受一些限制, 像内极化效应
能减小外加电场和捕捉载流子, 造成电荷收集
上的偏差。为了避免捕捉载流子, 需外加一个
足够强的电场。结果, 在扩散一结, 或金属
半导体接触处形成一空间电荷区。该区称为耗
尽层。它具有不捕捉载流子的性质。因而, 核
射线人射到该区后, 产生电子一空穴载流子
对, 能自由地、迅速向电极移动, 最终被收
集。测得的脉冲高度正比于射线在耗尽层里的
能量损失。要制成具有这种耗尽层器件是在
年以后, 这与制成很纯、长寿命的半导体
材料有关。
麦克· 凯在贝尔电话实验室, 拉克· 霍罗威
茨在普杜厄大学首先发展了这类探测器。
年, 麦克· 凯用反偏锗二极管探测“ 。的粒
子, 并研究所产生的脉冲高度随所加偏压而
变。不久以后, 拉克· 霍罗威茨及其同事者测
量一尸结二极管对。的粒子, “ , 的刀
粒子的反应。麦克· 凯进行了类似的实验, 得
到计数率达, 以及产生一对空穴一电子对
需要的能量为土。。麦克· 凯还观察到,
加于硅、锗一结二极管的偏压接近击穿电压
时, 用一粒子轰击, 有载流子倍增现象。在普
杜厄大学, 西蒙注意到用粒子轰击金一锗二
极管时产生的脉冲。在此基础上, 迈耶证实脉
冲幅度正比于人射粒子的能量, 用有效面积为
二“ 的探测器, 测。的粒子, 得到的分
辨率为。艾拉佩蒂安茨研究了一结二极
管的性质, 载维斯首先制备了金一硅面垒型探
测器。
年以后, 许多人做了大量工作, 发表
了广泛的著作。沃尔特等人讨论金一锗面垒型
探测器的制备和性质, 制成有效面积为“ 的
探测器, 并用探测器, 工作在,
测洲的粒子, 分辨率为。迈耶完成一
系列锗、硅面垒型探测器的实验用粒子轰
击。年, 联合国和欧洲的一些实验室,
制备和研究这类探测器。在华盛顿、加丁林堡、
阿什维尔会议上发表一些成果。如一结和面
垒探测器的电学性质, 表面状态的影响, 减少
漏电流, 脉冲上升时间以及核物理应用等等。
这种探测器的发展还与相连的电子器件有很大
关系。因为, 要避免探测器的输出脉冲高度随
所加偏压而变, 需一种带电容反馈的电荷灵敏
放大器。加之, 探测器输出信号幅度很小, 必
需使用低噪声前置放大器, 以提高信噪比。为
一一满足上述两个条件, 一般用电子管或晶体管握
尔曼放大器, 线幅贡献为。在使用场效
应晶体管后, 进一步改善了分辨率。
为了扩大这种探测器的应用, 需增大有效
体积如吸收电子需厚硅。采用
一般工艺限制有效厚度, 用高阻硅、高反偏压
获得有效厚度约, 远远满足不了要求。因
此, 年, 佩尔提出一种新方法, 大
大推动这种探测器的发展。即在型半导体里
用施主杂质补偿受主杂质, 能获得一种电阻率
很高的材料虽然不是本征半导体。因为铿
容易电离, 铿离子又有高的迁移率, 就选铿作
为施主杂质。制备的工艺过程大致如下先把
铿扩散到型硅表面, 构成一结构, 加上反
向偏压, 并升温, 锉离
一
子向区漂移, 形成
一一结构, 有效厚度可达。这种探测器
很适于作转换电子分光器, 和多道幅度分析器
组合, 可研究短寿命发射, 但对卜射线的效
率低, 因硅的原子序数低。为克服这一
点, 采用锉漂移入锗的方法锗的原子序数为
。年, 弗莱克首先用型锗口,
按照佩尔方法, 制成半导体探测器,
铿漂移长度为, 测‘“ 、的的
射线, 得到半峰值宽度为
直到年以前, 所有的探测器都是平面
型, 有效体积受铿通过晶体截面积到“
和补偿厚度的限制获得补偿厚度约, 漂
移时间要个月, 因此, 有效体积大于到
” 是困难的。为克服这种缺点, 进一步发
展了同轴型探测器。年, 制成高分辨率大
体积同轴探测器。之后, 随着电子工
业的发展而迅速发展。有效体积一般可达几十
“ , 最大可达一百多“ , 很适于一、一射
线的探测。年以后广泛地用于各个部门。
最近几年, 半导体探测器在理论研究和实际应
用上都有很大发展。

半导体光刻技术的电子束直写

在SOC的开发中，更具灵活性电子束（EB）具有波长短、分辨率高、焦深长、易于控制和修改灵活的特点，广泛应用于光学和非光学曝光的掩模制造。电子束直写能在圆片上直接做图，但其生产率很低，限制了使用，在下一代曝光（NGL）中，能否使EB的高分辨与高效率寻得统一，是EB开发商追求的目标。美国硅谷的离子诊断（Ion Diagnostic）公司开发了微型电子束矩阵，可同时平行直写，称电子束曝光系统（MELS），它设计了201个电子光学柱，每柱32电子束，用于300mm片子的曝光。电子束的产生采用微细加工方法制造的场致发射冷阴极，每束供15nA，每柱供480nA。用三腔集成制造系统，生产率可达90片/时，MELS的目标是70nm高效曝光，并争取延伸到35nm。21世纪集成电路（IC）向系统集成（IS）方向发展，在系统集成芯片（SOC）的开发中，电子束直写（EBDW）比其它方法更具灵活性，它可直接接受图形数据成像，毋需复杂的掩模制作，因此前景十分诱人。日本东芝、Canon和Nikon已联手进行研究高效的EBDW，美国IBM曾在这方面做过探索，也准备加入其中。X光曝光　作为下一代曝光技术前景诱人X光曝光（XRL）具有波长短、焦深长、生产率高、宽容度大、曝光视场大、无邻近效应、对环境不敏感等特点，作为下一代曝光技术具有诱人的前景，近年来人们一直致力于X光光源和掩模的研究，使之成为有竞争力的下一代曝光设备。日本1996年成立了超先进电子技术联盟（ASET）对X光曝光进行研究。日本NTT公司研制了用于制造X光掩模的EBX3电子束曝光机。日本NEC则已做出100nm线宽的用于4GDRAM的X光掩模。在主机方面，Canon公司开发了第二代X光步进机XRA-1000，产量达60片/时，供ASET使用。在同步辐射源（SOR）方面，住友重工积累了多年经验开发了Aurora-2s同步辐射装置。在工艺研究方面，富士通、ASET和NTT公司用接近式X光曝光（PXL）做出了80nm器件。去年，日本Kitayama提出对PXL进行延伸，不用0.8nm而用0.4nm波长，则线宽可到25或35nm，当用0.4nm波长时，掩模吸收层必须200nm厚，而掩模膜必须用金刚石，其厚度为0.8nm时的2至3倍。在美国，XRL在麻省理工大学、威斯康星大学和路易斯安那州大学进行研发，佛蒙达州的SAL公司制造PXL设备。X光点光源由美国科学实验室（SRL）、JMAR和ALFT三家研发，SRL有千瓦级的密集等离子体X射线源（DPFX），SAL公司用DPEX源制造了XRS-2000曝光机，用于洛克希德-马丁公司的Sanders生产线上，生产0.15μmGaAs的MMIC芯片，其掩模则由佛蒙达州的光掩模中心（MCDC）制作。麻省理学院的Henry 认为：近年来美国对PXL有所忽视，而日本在ASET组织下继续发展，取得了很大成果，假如日本用PXL制作100-25nm器件取得成功，那么，日本芯片制造商将在几年内无对手，而器件制造方法也将随之改变。离子投影曝光　力争尽快推出商业化设备离子投影曝光（IPL）就是由气体（氢或氦）离子源发出的离子通过多极静电离子透镜投照于掩模并将图像缩小后聚焦于涂有抗蚀剂的片子上，进行曝光和步进重复操作。IPL具有分辨率高而焦深长，数值孔径小而视场大，衍射效应小，损伤小，产量高，而且对抗蚀剂厚度变化不敏感，工艺成本低等特点。德国FhG　ISiT公司在IPL上用深紫外光胶，做出50nm的间隔线条，证实了这项技术用于曝光的可行性。欧洲应用微电子开发项目（MEDEA）从1997年开始，投资3600万美元开发IPL，参加的单位有ASML、Leica、IMS公司等。目标是对300mm片子曝光，分辨率<100nm，生产率为75片/时。IPL是缩小曝光，需要4倍的硅膜镂孔掩模，它面临应力和入射离子造成的发热。小的掩模变形，导致大的曝光尺寸误差，为此采取了对膜进行掺杂，对膜增加保护层，设计了冷却系统，并通过有限元分析改进了掩模框架的设置，避免气流对掩模造成振动。从加州召开的研讨会上看IPL已经克服了众多技术难题，现在正在对离子光学柱、图像锁定系统进行攻关，力争尽快推出商业化设备。参加IPL研制的Ehrmann认为：虽然SEMATECH看好EUV和EPL，但这并不意味IPL失去最后成功的机会。

大学半导体物理学论文课题有哪些

半导体物理迅速发展及随晶体管发明使科家早50代设想发明半导体激光器60代早期组竞相进行面研究理论析面莫斯科列别捷夫物理研究所尼古拉·巴索夫工作杰19627月召固体器件研究际议美麻省理工院林肯实验室两名者克耶斯（Keyes）奎斯特（Quist）报告砷化镓材料光发射现象引起通用电气研究实验室工程师哈尔（Hall）极兴趣家火车写关数据家哈尔立即制定研制半导体激光器计划并与其研究员道经数周奋斗计划获功像晶体二极管半导体激光器材料p-n结特性敞弗搬煌植号邦铜鲍扩基础且外观亦与前者类似半导体激光器称二极管激光器或激光二极管早期激光二极管实际限制例能77K低温微秒脉冲工作8间才由贝尔实验室列宁格勒（现圣彼堡）约飞（Ioffe）物理研究所制造能室温工作连续器件足够靠半导体激光器则直70代期才现半导体激光器体积非米粒工作波依赖于激光材料般0.6～1.55微米由于种应用需要更短波器件发展据报导Ⅱ～Ⅳ价元素化合物ZnSe工作物质激光器低温已0.46微米输波0.50～0.51微米室温连续器件输功率已达10毫瓦迄今尚未实现商品化光纤通信半导体激光预见重要应用领域面世界范围远距离海底光纤通信另面则各种区网者包括高速计算机网、航空电系统、卫通讯网、高清晰度闭路电视网等目前言激光唱机类器件市场其应用包括高速打印、自由空间光通信、固体激光泵浦源、激光指示及各种医疗应用等晶体管利用种称半导体材料特殊性能电流由运电承载普通金属铜电导体电没紧密原核相连容易电荷吸引其物体例橡胶绝缘体 --电良导体--电能自由运半导体名字暗示处于两者间通情况象绝缘体某种条件导电