学校代码:1028520134228020硕士学位论文(学术学位)忆阻器的电路特性研究及其应用FeaturesAnalysisMemristiveDeviceItsApplications研究生姓名指导教师姓名黄鹤电子信息学院论文提交日期2016忆阻器是蔡少棠教授从对称性角度预言提出...
【摘要】:忆阻器是蔡少棠教授从对称性角度预言提出的一种二端无源电子元件,用于描述电路理论中电荷q和磁通量φ之间的关系。忆阻器作为一种具有记忆性的元件,其阻值和内部状态有关。这一特性使得忆阻器比一般的电路元件具有更为广阔的应用前景。本论文以惠普实验室发现的忆阻器器件为...
文章简介忆阻器是蔡少棠教授在1971年提出的一种原型器件,它在原理上可以实现连续的电阻态调控,提供了一种有前途的新型存储器件。理想情况下,忆阻器内部存在状态变量精确对应它的电阻态,也就是说,它可以超越传统存储器“0”和“1”的二进制工作模式,展现出独特的模拟开关动态特性。
忆阻器是电阻、电容和电感之后的第4种电路基本元件,1971年被华裔科学家蔡少棠从理论上预言。如上图所示,传统的三大元件中,电阻器反映的是电压与电流之间的关系,电容器反映的是电荷量与电压的关系,电感反映磁通量与电流之间的关系。
在蔡少棠教授1971年的论文中,他外推了对称的非线性电阻(电压与电流),非线性电容器(电压与电荷),和非线性电感(磁通量与电流)之间的的概念,并推断出“忆阻器”作为一个基本的非线性电路元件,连接磁链和电荷。对比线性(或非线性)的电阻,忆阻器有一个动态的包括过去的电压或...
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5年前《自然》杂志的一篇论文,让“忆阻器”三个字广为人知。这一被美国加州大学伯克利分校教授蔡少棠于1971年预言存在的第四种基本电路元件...
2019年11月11-14日,蔡少棠忆阻器研究中心成立大会(InauguralChuaMemristorInstituteConference,ICMIC2019)在华中科技大学成功举办。新成立的华中科技大学蔡少棠忆阻器研究中心(CMI)将致力于为学术界和工业界提供一个跨学科的开放交流与...
5年前《自然》杂志的一篇论文,让“忆阻器”三个字广为人知。这一被美国加州大学伯克利分校教授蔡少棠于1971年预言存在的第四种基本电路元件...
基于忆阻器的滤波器设计与.段宗胜.【摘要】:忆阻器是蔡少棠教授猜想的一种二端无源电子元件,用于描述电路理论中磁通量φ和电荷q之间的关系。.由于忆阻器的阻值与其内部状态有关,且具有记忆功能。.这一特性使得忆阻器比一般的电路元件具有...
忆阻器的理论特性1971年蔡少棠在他的论文当中提出忆阻器的概念认为为了保持电学基本概念的对称性除了电阻联系着电流和电压电容联系着电荷和电压电感联系着...
但是,媒体报道的内容并不足以全面地刻画忆阻器的性质,所以,为了尽可能更全面地了解这神奇的第四器件的性质,我找来了1971年,忆阻器的最早理论预言者蔡少棠的教授的相...
2008年,惠普实验室研究人员发表题为《寻获下落不明的忆阻器》的论文.惠普研究人员发现,将二氧化钛薄膜置于两个电极之间,其电学特性与蔡少棠所述忆阻器一致.忆...
71年蔡少棠论文梗概(2)第三部分忆阻器的电性能首先给出了忆阻器的阻抗特性:因为定义忆阻器的是一条-q曲线,所以,我们认为,当忆阻器由电荷为控制变量...
新闻网讯(通讯员段念田莉)6月22日,被誉为“忆阻器之父”的美国加州大学伯克利分校电气工程与计算机科学系教授蔡少棠(LeonO.Chua)受聘我校名誉教授。副校长陈建国向蔡少棠颁发了...
蔡少棠(英语:LeonO.Chua,1936年6月28日-),加州大学伯克利分校电气工程与计算机科学系教授,IEEEFellow。提出了忆阻器(memristor)、Chua电路和细胞神经网络(Cellularneuralnetworks,CNN)等理论...
忆阻具有电阻的量纲,但和电阻不同的是,忆阻的阻值是由流经它的电荷确定。因此,通过测定忆阻的阻值,便可知道流经它的电荷量,从而有记忆电荷的作用。最早提出忆阻器概念的人,是华裔的...
忆阻器消失的第四器件蔡少棠.pdf(1.17MB)EEETRANSACTIONSONCIRCUITTHEORYVOLCT-18NO5SEPTEMBER1971507Memristor-TheMissingCircuitElementLEON0CHUASENIORMEMBERIEEEAbstract-An...
但是,媒体报道的内容并不足以全面地刻画忆阻器的性质,所以,为了尽可能更全面地了解这神奇的第四器件的性质,我找来了1971年,忆阻器的最早理论预言者蔡少棠的...
基础电子学教科书列出了三种基本的被动电路元件:电阻器、电容器和电感器。早在1971年,美国加州大学伯克利分校的华裔科学家蔡少棠教授就从理论上预言了忆阻器的存在。忆阻器实...