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FinFET工艺论文详解.doc,微电子前沿（4）姓名：学号：签名：微电子前沿-----FinFET技术引言：2015年，这是一个FinFET的时代，FinFET器件纷纷进入移动市场，苹果，三星，华为纷纷推出自己的使用了FinFET工艺的芯片。在16nm以及14nm制程...
详解先进的半导体工艺之FinFETMaggie2017-02-049758分享海报工艺综述14人已加入+加入圈子描述FinFET称为鳍式场效晶体管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一种新的互补式金氧半导体（CMOS）晶体管。闸长已可小于25奈米。该项...
半导体发展至今，无论是从结构和技术多方面都发生了很多的改进，如同GordonE.Moore老大哥预测的一样，半导体器件的规格在不断的缩小，芯片的集成度也在不断提升，工艺制程从90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm、10nm、到现在的...
FinFET技术是电子行业的下一代前沿技术，是一种全新的新型的多门3D晶体管。和传统的平面型晶体管相比，FinFET器件可以提供更显着的功耗和性能上的优势。英特尔已经在22nm上使用了称为“三栅”的FinFET技术，同时许多晶圆厂也正在准备16纳米或14纳米的FinFET工艺。
中国的半导体制造工艺与海外先进工艺尚存两三代落差，国内公司能量产的还是28nm工艺，三星、TSMC及Intel今年都要推10nm工艺了，不仅是制程工艺代差，这其中还存在着FinFET技术差距。目前中芯国际等公司还在追赶14nmFinFET工艺，但是国内...
FinFET与2nm晶圆工艺壁垒【图文】，FinFET与2nm晶圆工艺壁垒谈到半导体工艺尺寸的时候，通常对于下面的一串数字耳熟能详：3um、2um、1.5um、1um、0.8um、0.5um、0.35um、0.25um、0.18um、0.13um、90nm、65nm、45nm、32nm
为何FinFET会成为主流，即便是掌握了22nmFD-SOI工艺的格罗方德还是购买了三星的14nmFinFET技术授权呢？本文将会解析：新型FinFET逻辑器件工艺突破到底有什么影响？最近，中国微电子所集成电路先导工艺研发中心在下一代新型FinFET逻辑器件工艺
FinFET工艺论文详解.doc,微电子前沿(4)姓名:学号:签名:微电子前沿---FinFET技术引言:2015年,这是一个FinFET的时代,FinFET器件纷纷进入移动市场,苹果,三...
值得一提的是,这个技术的发明人胡正明教授,就是梁孟松的博士论文指导教授,换句话说,梁孟松是这个技术的核心人物之一,台积电没有重用梁孟松继续研发这个技术,致使他跳糟到三星电子,...
值得一提的是,这个技术的发明人胡正明教授,就是梁孟松的博士论文指导教授,换句话说,梁孟松是这个技术的核心人物之一,台积电没有重用梁孟松继续研发这个技术,致使他跳糟到三星电子,让...
[导读]FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor;FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。关键词:半导体工艺FinFETFinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-EffectTr...
中国硕士学位论文全文数据库前4条1田野;GaN基FinFET器件工艺及特性分析[D];西安电子科技大学;2018年2马一洁;表面处理对AlGaN/GaNHEMT器件电学性能的影响[D];西安电子...
半导体工艺发展到现在,包括7nm、5nm、3nm,甚至以后的1nm,都离不开FinFET工艺。上述视频中,FinFET工艺发明人胡正明教授,也是梁孟松的博士论文指导教授。换句话说,梁孟松是这个技术...
I。gy2017CDNLiveCadence中国用户大会优秀论文16nltlFinFET工艺信号EM问题的分析和解决杨会平,蔡琰,施建安(英伟达半导体科技(上海)有限公司北京分公司,北京...
摘要:半导体器件的性能要求越来越高,在14nm以及其以下工艺节点中,鳍式场效应管(FinFieldEffectTransistor,FinFET)因为先进的性能,成为高端SOC(systemonchip...
新工艺下的先进芯片,如FinFET,面临的许多可靠性问题都是老问题。例如电气过应力(EOS)、静电释放(ESD)和电迁移(EM)等等,我们在设计这些电路使用EDA工具时常常会碰...
目前,体硅FinFET器件已经应用到工业界最先进的16nm/14nm技术节点中,但是国内代工企业仍没有成熟的三维FinFET代工技术.本论文首次提出并使用自对准晕环(Halo)和穿通阻挡层的工...