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低成本高可靠性NOR型Flash耐久性测试系统的研究与设计（1.复旦大学材料科学系，上海200433；2.复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室，上海200433;3.上海复旦微电子公司，上海200433）摘要：基于浮栅结构的NOR型Flash在进行长时间...
月25目论文独创性声明本论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。...多，出问题的几率也大得多，坏区块是不可避免的，而且坏区块是随机分布的，因此解决Flash可靠性和寿命是一个比较关键的问题。101．3...
其次，在可靠性方面，针对Flash阵列的无效块管理问题，提出了两种无效块管理方案，并分析了两种无效块管理方案的优缺点，选择了基于组合块理念的无效块管理方案；同时，为了解决突发无效块对高速存储的影响，设计了滞后重写机制。
NANDFlash固态存储可靠性关键技术研究.李绪金.【摘要】：NANDFlash具有随机读写速度快、抗震性强和低功耗等优点,目前正逐步取代磁盘等磁性存储介质。.在过去的几十年间,得益于工艺技术进步和多级胞元数据编码,胞元特征尺寸不断减小,NANDFlash存储体...
为提高MLC的可靠性,需建立故障检测Pattern。本论文所研究的主要课题,正是MLCNANDFlash的检测Pattern的设计和分析。本文根据MLCNANDFlash的组成架构及基本操作特点,分析了其各故障类型的行为特点。根据每种故障类型的行为特点,设计了针对该故障
NORflash存储器测试的实现与优化测试,实现,存储,NOR,测试与测量,FLASH,测试实现,存储器的,反馈意见密级：中国科学院大学UniversityChineseAcademySciences硕士学位论文指导教师：二零一三年四月独创性...
本论文第一部分工作研究了2DNAND闪存存储器的可靠性。虽然很多学者已经对电荷隧穿层和电荷阻挡层的尺寸缩放的影响有了一定的研究,但是在擦写循环期间,电荷阻挡层尺寸的变化对数据保持特性的影响还尚…
这是上海复旦大学的硕士学位论文，集成电路质量与可靠性分析及其测试方法。Y1021．171梗旦大学硕士学位论文（专业学位）集成电路质量与可靠性分析及其测试方法指导教师：包宗明教授完成日期：2006年10月30日论文独创性声明本论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。
本论文首先从MLCNANDflash结构及工作原理角度分析了错误率升高、使用寿命降低及对意外掉电敏感问题的内在机理,然后针对这三个可靠性问题,提出了提高存储系统可靠性方法,主要工作如下:首先研究了MLCNANDflash存储系统错误率升高的问题。.本文通过分析文件...
电阻存储器rram的可靠性研究.目录摘要目录第一章绪论1I非挥发存储技术简介111经典浮栅Flash技术及其发展瓶颈1．12新兴非挥发存储技术1．2电阻存储嚣的发展现状10选题动机和工作概述1．4论文框架结构第二章基于cu。.O的RRAM电学性能可靠性研究22．1cu，O...
龙源期刊网qikan存储测试系统中FLASH的存储可靠性技术研究作者:高阳王代华王晓楠来源:《现代电子技术》2017年第18期龙源期刊网...
内容提示:2017年9月15日第4O卷第18期现代电子技术ModernElectronicsTechniqueSep.2017Vo1.40NO.18doi:10.16652/j.issn.1004—373x.2017.18.037存...
存储测试系统中FLASH存储可靠性技术研究.doc,存储测试系统中FLASH存储可靠性技术研究摘要:NANDFLASH存储器具有非易失性、存储容量大和读写速度快等优点,在存...
NANDFLASH存储器具有非易失性,存储容量大和读写速度快等优点,在存储测试领域的应用越来越广泛.由于NANDFLASH存储器中不可避免会出现无效块,传统的管理方法是将无效块映射表...
低成本高可靠性NOR型Flash耐久性测试系统的研究与设计(1.复旦大学材料科学系,上海200433;2.复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海200433;3.上海复...
第一章主要论述不挥发存储器概况及NROMFlash特点,从不挥发存储器应用及其特性入手,并通过比较NANDFlash和NORFlash的异同点,进而介绍本文要论述的NROMFlash工...
一种用于NORFlash可靠性测试的方法及系统林啸钱杨朱庆芳
摘要:NANDFLASH存储器具有非易失性、存储容量大和读写速度快等优点,在存储测试领域的应用越来越广泛。由于NANDFLASH存储器中不可避免会出现无效块,传统的管理方法是将无效...
本发明公开了一种基于FPGA的flash可靠性测试系统及测试方法,其中测试系统包括上位机和FPGA控制板,所述上位机与所述FPGA控制板通过相同的通信协议连接,所述FPGA控制板上设置有...
/*说明:测试nandflash的可靠性,有的时候nandflash写进去的内容会变位比如写进去1,可是存储的值变成了0,为了测试这种情况的频率写了下面的测试用例*//*nandfla...