超高纯铝中退火孪晶的形成与热稳定性研究重庆大学硕士学位论文（专业学位）学生姓名：牟文武指导教师：黄天林副教授专业学位类别：工程(材料工程）研究方向：金属材料答辩委员会主席：张丁非教授授位时间：2019年06ThermalStabilityAnnealingTwinsUltra-PureAluminiumAThesisSubmittedChongqingUniversity...
超高纯铝定向凝固技术与装备出我国第一个5N和5N5高纯铝锭2007年，上海交通大学将超高纯铝定向凝固专利技术转让给南通泰德电子材料科技有限公司，建立了专门生产纯度5N及以上超高纯铝生产基地，是国内唯一可以生产纯度大于5N的超高纯铝原材料锭以及超高纯铝管、铝线、铝杆...
论文查重优惠论文查重开题分析单篇购买文献互助用户中心超高纯石英纯化及机理研究...石英,满足国内市场需求,打破长期被美国垄断的被动局有重要意义.本文从四个方面对超高纯石英纯化及机理进行了深入的研究.采用XRD,ICP-MS,透...
通过本项目的实施，将在超高纯铝（>99.999%）的精炼及大尺寸铸锭的、大尺寸靶材的形变与热处理、大尺寸高纯铝靶材的精及焊接等靶材的关键技术方面实现突破，本项目的研究成果将为在我国形成一个从超高纯铝精炼提纯到靶材的完整产业链提供技术支撑。
以江丰电子为例，公司“年产300吨电子级超高纯铝生产项目”进展顺利，已实现收益。高纯金属靶材基材生产商在靶材业务上所处阶段不同，以新疆众和为例，公司超高纯铝基靶材坯料已实现批量化、产业化产出。靶材产业产业链区域热力地图：分布范围较广
11月3日上午，2020年度国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重召开。由重庆大学牵头的“建筑热环境理论及其绿色营造关键技术”荣获国家科学技术进步奖二等奖。由宁波江丰电子材料股份有限公司与重庆大合攻关的“超高纯铝钛铜钽金属溅射靶材技术及应用”项目荣获国家技术发明...
多向锻造与轧制大塑性变形作用下纯铝组织演变.【摘要】：作为半导体芯片和TFT-LCD生产过程中的关键材料,5N-6N超高纯铝靶材在当今高新技术中起着不可估量的作用。.高纯铝靶材的好坏直接决定着生产出来的半导体芯片以及TFT-LCD的质量。.衡量高纯铝靶材优劣...
超高纯铝定向凝固技术与装备”喜获上海市技术发明奖一等奖出处：本站作者：管理员时间：2016-02-165月18日上午，2014年度上海市科学技术奖励大会在上海友谊会堂隆重召开。
11月3日上午，2020年度国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重召开。由重庆大学牵头的“建筑热环境理论及其绿色营造关键技术”荣获国家科学技术进步奖二等奖。由宁波江丰电子材料股份有限公司与重庆大合攻关的“超高纯铝钛铜钽金属溅射靶材技术及应用”项目荣获国家技术发明...
我市一项目获得国家技术发明奖二等奖.2021年11月04日08:46:00.稿源：姚界客户端记者施虹吉新闻热线：62726789,62735052.余姚新闻网讯昨日上午，从国家科学技术奖励大会现场传来喜讯，我市宁波江丰电子材料股份有限公司的超高纯铝钛铜钽金属溅射靶材...
区域熔炼法的特点:区域熔炼法的熔炼技术主要用于获得超高纯铝,可以将铝的纯度提高到99.9999%以上。但其生产的产能低,由于采用该工艺进行生产所获得的铝晶粒很...
本文以超高纯铝、Al-1%Si合金和Al-0.3%Cu合金作为研究对象,对样品进行冷轧变形和退火后,利用电子背散射衍射(EBSD)对样品在退火过程中的组织演变进行系统表征,研究不同的形变...
高纯铝{100}表面位错腐蚀发孔的研究,李东,毛卫民,本实验采用含有、硝酸、氢氟酸的混合溶液作腐蚀剂,在从高纯铝锭上切割出的单晶试样的{100}表面进行了化学...
内容提示:超高纯铝合金互连线及其溅射靶材马晓艺1,陈江波2,黄光杰2(1.青海大学机械工程学院,青海西宁810016;2.重庆大学材料科学与工程学院,重庆400044)摘要:近...
超高纯铝在动态塑性变形过程中的微观组织演化microstructureevolutionofultra-highpurityaluminumduringdynamicplasticdeformation.pdf关闭预览想...
因此,设计高纯的、新型的铝配合物作为铝前驱体通过原子层沉积技术沉积性能优良的铝薄膜,进而应用到集成电路的微芯片中是非常有意义的。本文并提纯了三种传统铝烷,分...
聂祚仁教授等【11’12】对含铒铝合金的组织与性能进行了分析研究,认为稀土元素Er是铝合金中继Sc之后的又一种有效的微合金化元素,添加微量的Er可以细化合金铸...
超高纯铝定向凝固技术与装备Hits:4Journal:中国科技奖励TranslationorNot:noDateofPublication:2015-01-01Indexedby:期刊论文DateofPublicatio...
据科技部消息:物理气相沉积(PVD)是半导体芯片和TFT-LCD生产过程中最关键的工艺之一,PVD用溅射金属靶材是半导体芯片生产及TFT-LCD过程中最重要的原材料之...
摘要利用金相显微镜和EBSD技术对超高纯铝(99.999%)在动态塑性变形(dynamicplasticdeformation,DPD)过程中的微观组织及取向差进行了表征,分析了超高纯铝在DPD变形方式下组...