Keywords:GaAs,pHEMT,reliability,test目录III1.1GaAs器件的发展史及可靠性研究进展1.2本文主要工作1.3本论文的结构安排第二章GaAspHEMT可靠性测试研究2.1GaAspHEMT工艺制造流程简介2.2可靠性的基本概念及相关知识102.3GaAspHEMT
GaAs(111)衬底上生长GaAs外延层时,不同生长条件下存在单层和双层两种生长模式,对应反射高能电子衍射RHEED强度振荡呈现出单双周期的变化。透射电子显微镜和室温光荧光谱测量结果表明:在双层生长模式下量子阱样品光学性能较差,而在单层生长模式下量子阱光学性能较好,但是界面会变粗糙。
1.2GaAs光电阴极研究现状第12-15页1.3GaAs光电阴极特征参数第15-17页1.4GaAs光电阴极面临挑战第17-21页1.5研究背景和意义第21-22页1.6论文的主要内容第22-24页2GaAs阵列光电阴极光电发射理论及分析第24-45页2.1引言第24
1.2GaAs光电阴极研究现状第12-15页1.3GaAs光电阴极特征参数第15-17页1.4GaAs光电阴极面临挑战第17-21页1.5研究背景和意义第21-22页1.6论文的主要内容第22-24页2GaAs阵列光电阴极光电发射理论及分析第24-45页2.1引言第24
GaAs和InP单晶材料的发展施工企业管理论文.摘要:GaAs和InP单晶材料GaAs和InP与硅不同，它们都是直接带隙材料，具有电子饱和漂移速度高，耐高温，抗辐照等特点；在超高速、超高频、低功耗、低噪音器件和电路，特别在光电子器件和光电集成方面占有独特的优势...
【学术论文】GaAs基双相压控衰减器MMIC设计2019-04-1517:58来源:ChinaAET电子技术应用摘要基于0.25μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺，设计一款工作在13～16GHz的双相压控衰减器。电路采用平衡式结构，以获得小的输入、输出回波损耗；衰减...
论文研究内容主要包括GaAsMMIC开关芯片的设计、优化、电磁验证、制造、测试分析等。论文的组成和主要内容安排如下：第1章绪论综简述本文的理论前提及相关领域的研究情况。说明本文所述产品的研究背景和意义，提出本文的主要工作...
毕业论文关键词激活GaAs光电阴极光谱响应稳定性Nagoya激活法Co-deposition激活法毕业设计说明书外文摘要TitleStudyonthecesiumoxygenactivationprocessforimprovingthestabilityofGaAsphotocathode
学号学号S13010010硕士学位论文硕士学位论文金属表面等离子体增强金属表面等离子体增强GAAS发光特性研究发光特性研究研究生姓名研究生姓名李婷学科、专业学科、专业凝聚态物理凝聚态物理二一二一六年三月长春理工大学硕士学位论文原创性声明长春理工大学硕士学位论文原创性声明本人郑重...
GaAs纳米颗粒的快速凝固过程研究.周尧.【摘要】：砷化镓(GaAs)材料具有较高的电子迁移率和光电转换效率,在光电子器件以及微电子器件等领域中应用广泛。.纳米材料是当今材料领域的前沿,GaAs纳米颗粒是极具研究价值的纳米半导体材料之一。.微观结构决定...
论文>大学论文>2015砷化镓(GaAs)研究报告2015砷化镓(GaAs)研究报告新材料在线2015年10月01GaAs是重要的化合物半导体材料GaAs的基本性质表1-1三...
砷化镓(GaAs)半导体材料生产项目可行性研究总论项目名称及承办单位1.1.1项目名称年产“砷化镓”60万片、“高纯砷”200T生产项目。1.1.2承办单位概况由成...
GaAsdetectors来自Ingenta喜欢0阅读量:1作者:CMButtar展开被引量:9年份:1997收藏引用批量引用报错分享全部来源求助全文Ingenta通过文献...
(论文)GaAs基半导体激光器热特性下载积分:1500内容提示:第40卷第11期红外与激光工程InfraredandLaserEngineering2011年11月V01.40No.11Nov.2011G...
(2013)SO一016103GaAs阴极光电发射特性李凯,潘清,肖德鑫,王汉斌(中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川绵阳621900)摘要:采用氧过...
理学硕士学位论文GaAs与AlGaAs构成的量子线中的电子输运特性ELECTRONICTRANSPORTPROPERTIESQUANTUMWIRESMADEUP哈尔滨工业大学2009国内图书分类号:O4...
《gaas材料光电导开关器件模拟(硕士学位论文).pdf》由会员分享,可免费在线阅读全文,更多与《44页gaas材料光电导开关器件模拟(硕士学位论文)PDF文档》相关文档...
【摘要】:随着半导体产业的不断发展,根据摩尔定律,Si材料器件已逐渐达到尺寸极限,由于尺寸的不断减小带来的可靠性问题亟待解决,包括GaAs在内的III-V族材料以其优越的电子迁移...
1773225分类号UD学位论文高性能GaAs光电阴极研究(题名和副题名)丝嚏噎【怍.者姓毫j指导教师姓名——鲎盎压墼..i垒一q,谓学值宝哇别一慢_土毒业名称...
摘要:提出一种在电感耦合等离子体(inductivelycoupledplasma,ICP)刻蚀系统中使用Cl2/Ar/O2刻蚀气体精确控制GaAs刻蚀速率的全新刻蚀技术。实验结果表明,O2的...