目前，提高GaN基LED的发光效率使其替代传统照明光源是人们渴望实现的梦想。本文针对GaN基LED现存的一些问题，利用MOCVD薄膜外延技术和LED相关工艺，并结合理论计算GaN基LED的出光效率，开展了一系列相关的研究，主要内容如下：1.
图1剥离衬底后的纵向GaNSBD.虽然GaN基SBD的研究已有了很大的进展，但实际的指标与其极限值还相距甚远，如图2所示。.GaN基SBD必须解决以下几个重要问题，才能充分发挥其优势。.图2各种材料的理论极限.·大失配衬底。.因为没有合适的GaN单晶作为衬底，GaN基...
关于表面光子晶体LED光提取特性的研究-发光二极管(LED)作为一种高效环保的绿色固态光源,被广泛应用于各个领域,但出光效率较低的问题也限制了其大规模的使用。因此,科研工作者们对于这个问题做了各种研究,也取得了不错的效果,其中主要...
导语在人工智能如火如荼的今天，基于人脑的“脉冲”（spiking）模拟计算框架下的脉冲神经网络（SNN）、神经形态计算（neuromorphiccomputing）有望在实现人工智能的同时，降低计算平台的能耗。这一跨学科领域以…
首先来看看GAN现在能做到哪些惊艳的事呢？GAN可以被用来学习生成各种各样的字体——也就是说，以后字迹辨认这种侦查手段很可能就不靠谱啦！这个工作还有很多动图，在GitHub上搜zi2zi这个project就可以。有了GAN，以后就不怕灵魂画手了！
学习氮化镓（GaN）材料与器件有哪些推荐的书籍？.RongmingChu和Shinohara最近（2019）编辑了一本书III-Nitrideelectronicdevices.内容比较新，值得一读。.如果你将来打算做射频的话，很多细节的地方可以看看Palacios的学生JinwookChung和DongSeupLee的博士论文，有很多关于...
GaN基发光二极管芯片光提取效率的研究.!光电子器件和系统!GaN基发光二极管芯片光提取效率的研究清华大学电子工程系9集成光电子学国家重点联合实验室9北京100084清华大学深圳研究生院半导体照明实验室9广东深圳518057摘要:基于蒙特卡罗方法模拟分析了...
本论文的主要工作内容和成果如下:1)倒装深紫外LEDTM模的LEE很低,效率不足1%,要比TE模的LEE低十倍以上,这主要是由LED芯片结构材料与空气折射率存在巨大差异造成的。.2)对提升深紫外LEDLEE的方式做了系统的,提升LEE方式包括图形化蓝宝石衬底(PatternedSapphire...
参与863项目“GaN基大功率LED基础理论研究和结构优化设计”(2009-2013);代表性论文：1)Hui-XiongDeng,Jun-WeiLuo,andSu-HuaiWei,Chemicaltrendsofstabilityandbandalignmentoflattice-matchedII-VI/III-Vsemiconductorinterfaces.91
一文带你看完ISPSD怎么推进功率半导体技术发展？.第31届功率半导体器件和集成电路国际会议(InternationalSymposiumonPowerSemiconductorDevicesandICs，ISPSD)将于2019年5月19-23日在上海宝华万豪酒店举办，这是ISPSD会议举办30多年以来第一次在中国内地召开...
北京工业大学硕士学位论文GaN基pin型紫外探测器的研究姓名:徐立国申请学位级别:硕士专业:微电子学与固体电子学指导教师:吕长志20050501摘要摘要AlxGal-xN合金半导...
针对由激光隐形切割技术导致的蓝宝石衬底侧壁粗化对GaN基发光二极管(LED)倒装芯片光提取效率(LEE)的影响,提出一种蒙特卡罗光线追踪的方法.使用蒙特卡罗光线追踪法具体...王...
lightextractionsimulationofface-upGaN-basedlight—emittingdiodes(LEDs)ispresented,andtheinfluencefactorsofLEEare...MonteCarlophoton—tracingmethod.II...
【18】中村修二.GaN系发光素子の现状と将来.应用物理(日),1996,65(7):676【19】AmanoH,KitoM,HiramatsuKetal..p-typeconductioninMg-dopedGaNtreatedwithlow...
内容提示:GaN基p-i-n紫外探测器李雪1亢勇徐运华李向阳龚海梅方家熊传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083摘要:采...
内容提示:华中科技大学博士学位论文微/纳米结构增强GaN基LED器件光取出效率的研究姓名:戴科辉申请学位级别:博士专业:电子科学与技术指导教师:黄德修;汪连...
III族氮化物(又称GaN基)宽禁带半导体属于新兴的第三代半导体体系,在短波长光电子器件和功率电子器件领域具有重大应用价值。过去20年,以蓝光和白光LED为核心的半导体照明技术和产业...
Inordertoimprovethelightemittingefficiency(LEE)ofGaN-basedblueLED,twoLEDmodelscoveredbyZnOnano-structures,includingnano-rodandn...
论文信息参考文献被引情况pdf全文摘要利用fdtd方法研究具有表面微纳结构氮化镓基倒装薄膜led芯片的光萃取效率。...ganlayerwereoptimizedforhighlee...
【18】中村修二.GaN系发光素子の现状と将来.应用物理(日),1996,65(7):676【19】AmanoH,KitoM,HiramatsuKetal..p-typeconductioninMg-dopedGaNtreatedwithlow...