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创新与实践TECHNOLOGYMARKETVol.22,No.4,2015IGBT技术现状及发展趋势(珠海格力新元电子有限公司,广东珠海519110)要:介绍了IGBT的发展历史,重点说明商品化第一代到第五代IGBT的结构和性能,并展望未来IGBT的发展趋势。
12金锐等：IGBT器件的发展现状以及在智能电网中的应用Vol.1No.21）IGBT芯片方面。.国内对IGBT的研究启动较晚，基础相对薄弱，如图1所示，硅IGBT结构为正面金属氧化物在中低压范围，工艺比较成熟，代工居多，如半导体场效应晶体管(metal-oxide...
电力电子器件发展概况及应用现状(下),电力电子器件,MCT,功率器件,应用现状,发展概况。4复合型电力电子器件4.1绝缘门极双极型晶体管(IGBT)IGBT是由美国GE公司和RCA公司于1983...
以近年来发展最快的IGBT为例，通过近20年的发展,IGBT不但具有了抗短路能力、消除了“二次击穿”现象和电流擎住现象，而且在导通压降的降低、栅极电荷的减小、开关速度的提高和开关损耗的减小等各个方面都取得了巨大进步，极大地提高了IGBT的性能。
其中随着新应用的推动，MOSFET和IGBT发展迅速。据统计，2016年全球MOSFET市场规模约为63.09亿美元，到2018年全球MOSFET市场规模约为79.66亿美元,2016-2018年复合增长率约为7.6%。2018年，中国MOSFET市场规模约为27.92亿美元，中国年复合...
电力电子器件发展概况及应用现状发布时间：2008-07-06作者：蒋超摘要：本文简单回顾了电力电子技术及其器件的发展过程，介绍了现在主流的电力电子器件的工作原理、应用范围及其优缺点，探讨了在21世纪中新型电力电子器件的应用展望。
IGBT特性研究及驱动、缓冲电路设计——毕业论文.doc,武汉理工大学本科生毕业设计(论文)任务书学生姓名专业班级自动化指导教师工作单位自动化学院设计(论文)题目:IGBT特性研究及驱动、缓冲电路设计设计（论文）主要内容：了解和熟悉目前国内外IGBT产品现状和技术现状，分析IGBT结…
国内外IGBT和MCT的发展现状.俞萍.【摘要】：本文介绍了新型的MOS－双极器件－IGBT和MCT的国内外研制现状及发展方向。.下载App查看全文.下载全文更多同类文献.PDF全文下载.CAJ全文下载.(如何获取全文？.欢迎：购买知网充值卡、在线充值、在线咨询)
我国功率半导体器件技术发展现状及市场前景2019-05-1420:33来源:NE电气上期内容：大功率IGBT模块及驱动技术...公司首席技术官兼副总经理。拥有美国发明专利1项，中国专利34项，在国内外核心期刊发表论文10余篇。制定超结金属氧化物半导体场...
国外中频感应加热电源的容量已突破数十兆瓦。高频(100kHz)感应加热电源已经由传统的电子管电源转化成为晶体管化全固电源，其中以大容量MOSFET,IGBT功率器件为主。表1-2列出了各国的发展现状。表1-2各国感应电源发展水平国家MOSFET参数IGBT
以输电端为例:“柔性直流输电技术”是20世纪90年代发展起来的一种新型直流输电技术,它将半控型电力电子器件升级为全控型电力电子器件(IGBT),具有响应速度快...
【毕业论文】大功率IGBT驱动技术的现状与发展,大功率igbt驱动电路,大功率igbt,大功率igbt市场,大功率igbt模块,大功率igbt型号,igbt驱动电路,igbt驱动,igbt驱动...
SiCIGBT的发展至少也有30年了,大众视野中很少会提及到SiCIGBT产品,并不是没有,只是太多事情是我们目不可及的。就目前而言,SiC器件的制成还有着很多难点需要...
分享于2015-09-2410:28:10.0IGBT的发展现状及应用李恩玲文档格式:.pdf文档页数:4页文档大小:2.36M文档热度:文档分类:论文--毕业论文文档标签:IG...
根据最新的调查报告显示,各种IGBT器件和模块的销售额在2013年将有一定程度的复苏,2014年稍稍减速,待经济复苏并稳定后,从2015年开始将稳定增长。虽然2013年IGBT市场增长趋势有所下降,...
IGBT芯片发展趋势是:薄片工艺.主要是减少热阻,减小衬底电阻从而减小通态损耗、管芯,主要是提高器件电流密度,十余年来管芯面积减少了2/3;大硅片,硅片由5英寸变为12英寸。面积增加了5...
IGBT的发展情况及特点分析.pdf,第3期微处理机No.32003年6月MICROPROCESSORSJun.,2003·综述·IGBT的发展情况及特点分析张国俊,(东北微电子研究所...
智研咨询发布的《2020-2026年中国IGBT行业产业运营现状及发展前景分析报告》数据显示:由于其开关完全可控的特点,全控型功率器件被广泛使用,主要包括BJT、MOSFET、IGBT等,其中:BJT即Bi...
IGBT及IGBT变频器的现状与发展趋势刘文【摘要】:本文较详细地介绍了IGBT与GTO相比所具有的优点,并分析了IGBT器件及IGBT变频器的现状与发展趋势。【作者单位】:深...
摘要:绝缘栅双极型晶体管(insulatinggatebipolartransistor,IGBT)模块封装用基板材料由金属和陶瓷复合而成。由于两种材料的物化性质相差很大,其连接和成功...