最新博士论文—《基于新型存储器的纠错与磨损均衡方法研究》摘要第1-11页ABSTRACT第11-13页第一章绪论第13-29页1.1引言第13-19页1.1.1新型存储器技术
在大数据时代，基于单晶体管单电容器结构的DRAM内存面临着容量和能效的瓶颈；而且处理器与片外内存之间频繁的数据移动造成了存储计算分离的冯诺依曼体系结构的性能和能效瓶颈。新兴的非易失性电阻式存储器具有存储密度高、空闲功耗低、数据保持时间长等优点。
【摘要】：铁电存储器是一种利用铁电薄膜材料的自发极化在电场中两种不同取向作为逻辑单元来存储数据的非易失性存储器,且具有高速度读写、高密度集成、抗辐射等优点。本博士论文主要分为两大部分：一部分以锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜方法和性能研究为基础,采用新的电学测试方法研究铁电...
阻变存储器论文栏目下面包含有约271篇阻变存储器硕士学位论文和博士学位论文，或是相关的硕士博士毕业论文。
基于IGZO沟道的TFT存储器特性之软件工程研究.本文是一篇软件工程论文，本文从理论方面着手，灵活运用了一些专业相关软件对课题展开探讨。.纵观全文，主要在两个方面展开了较为深入的研究：一方面是利用Silvaco软件进行电学性能的，主要考虑了...
基于IGZO沟道的TFT存储器特性之软件工程研究.论文价格：免费论文用途：其他编辑：vicky点击次数：.论文字数：35844论文编号：sb2019052012184726305日期：2019-06-07来源：硕博论文网.Tag：.本文是一篇软件工程论文，本文从理论方面着手，灵活运用了一些...
西安电子科技大学硕士学位论文基于标准CMOS工艺的OTP存储器的设计与研究姓名：马飞申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：刘红侠20090101摘要摘要在ASIC电路设计中，经常会需要一些低成本低密度的非易失性存储器件，但是工艺的复杂性阻碍了传统的非易失性存储…
馆藏博士论文与博士后研究报告数字化资源库是以国家图书馆20多年来收藏的博士论文为基础建设的学位论文影像数据。目前博士论文全文影像资源库以书目数据、篇名数据为内容，提供25万多篇博士论文的展示浏览。
本论文第一部分工作研究了2DNAND闪存存储器的可靠性。虽然很多学者已经对电荷隧穿层和电荷阻挡层的尺寸缩放的影响有了一定的研究,但是在擦写循环期间,电荷阻挡层尺寸的变化对数据保持特性的影响还尚…
首页»硕士论文»基于标准CMOS工艺的纯逻辑非挥发性存储器关键技术研究基于标准CMOS工艺的纯逻辑非挥发性存储器关键技术研究作者：师大云端图书馆时间：2021-10-30分类：硕士论文…
【摘要】:相变存储器(PCM)由于具有非易失性、高存储密度、低功耗,高可靠性等诸多优点,被国际半导体工业协会认为是最有可能取代闪存和动态随机存储器(DRAM)成为下一代半导体存...
微电子所杨建国副研究员和丁庆婷博士为共同第一作者,吕杭炳研究员和刘明院士为通讯作者。在新型存储器方面,刘明院士/吕杭炳研究员团队与复旦大学薛晓勇副教授合作首次提出了基于PMOS...
相变存储器多态存储机理研究下载积分:1000内容提示:上海交通大学博士学位论文相变存撩器多态存储飙理窕摘要随着信息产业的快速发展人们对移动存储的需求...
华中科技大学博士学位论文摘要随着内存容量需求的不断增长,传统的DRAM器件面临着严峻的能耗和可扩展性挑战。相变存储器具有高密度、高可扩展性和低功耗的优...
发表在《LightScience&Applications》上的一篇论文中,来自希腊塞萨洛尼基亚里士多德大学信息学系的TheoniAlexoudi博士和NikosPleros教授以及来自英国布里斯托尔大学的GeorgeT...
本论文针对目前相变存储器的这些缺点,围绕相变材料的性能提升开展了一系列的工作,包括以下几个方面:1.SnTe掺杂Ge_2Sb_2Te_5,目的是为了提高相变材料的相变速度,基于SnTe-Ge_...
博士学位论文不挥发相变存储器存储介质及其器件的基础研究姓名:乔保卫申请学位级别:博士专业:微电子学与固体电子学指导教师:蔡炳初;冯洁20060301不挥发相变存储器存储...
2011年到2016年,项目负责人在PCRAM领域发表SCI论文300余篇,包括Science、NatureCommunications、AdvancedMaterials、NanoResearch、Nanoscale等权威杂志,是国际上该领域发表论文最...
该设备被认为是世界第一个电子多态存储器,能模拟人脑在处理信息的同时对多种信息进行存储的能力,为体外复制大脑和电子仿生大脑的出现铺平了道路。相关论文发表...
该成果以Phase-changeheterostructureenablesultralownoiseanddriftformemoryoperation(超低噪声与漂移的相变异质结存储器)为题于2019年8月22日由Scie...