论文展示了28nm的1.5MbRRAM测试芯片，将嵌入式NVM存储密度记录提高了40％，达到14.8Mb/mm2。上述研究成果以题为“A28nm1.5MbEmbedded1T2RRRAMwith14.8Mb/mm2UsingSneakingCurrentSuppressionandCompensationTechniques”的论文入选2020VLSICircuit。
全功能相变存储器芯片设计及后集成工艺研究--优秀毕业论文参考文献芯片,研究,作用,设计和,相变存储器,和集成,设计与,芯片功能,与工艺研究,集成工艺
论文展示了28nm的1.5MbRRAM测试芯片，将嵌入式NVM存储密度记录提高了40％，达到14.8Mb/mm2。上述研究成果以题为“A28nm1.5MbEmbedded1T2RRRAMwith14.8Mb/mm2UsingSneakingCurrentSuppressionandCompensation
新型存储器及硬件安全芯片领域！中科院微电子所两论文入选VLSI作者爱集微APP|发布：2021-08-3117:18:14更新：2020-06-2313:01:51阅读23...
本论文以国内自主研发的非挥发性半导体存储器工艺OTP(One-TimeProgrammableMemory,OTP)存储单元为基础,主要研究了非挥发性半导体存储器芯片的电路设计方法,完成了一款32M容量、8bit数据宽度、22位地址总线、60ns读取速度的OTP半导体存储器芯片
逻辑芯片的工艺已经反超存储器了。原因是无论NANDflash还是DRAM都是基于电容或者说电荷存储原理的器件，随着工艺的进步，构成器件电容的绝缘层越来越薄了，现在已经只有几十个原子的厚度，同样的存储的电荷也越来越少，此时这个电容保持电荷的能力就很不稳定，电荷读取也越来越难。
存储芯片根据断电后所储存的数据是否会丢失，可以分为易失性存储器和非易失性存储器，其中DRAM与NANDFlash分别为这两类存储器的代表。尽管存储芯片种类众多，但从产值构成来看，DRAM与NANDFlash已经成为存储芯片产业的主要构成部分。
图|此次论文的两位共同通讯作者：左为中科院上海技物所胡伟达研究员、右为华中科技大学光电信息学院副研究员叶镭（来源：受访者）实现真正的纯硬件存算一体芯片该团队发现，当使用相同器件结构去构建存储器和外围电路时，这给突破瓶颈带来了希望。
这篇论文则更进一步，提出了一种快速将神经元线路图粘贴到存储器网络上的策略。在细胞内所记录信号的直接驱动下，特殊设计的非易失性存储器网络可以学习和表达神经元连接图。这种方案直接将大脑的神经元连接图下载到存储器芯片上。
微电子所在新型存储器及硬件安全芯片领域取得突破性进展.近日微电子所在新型存储器及硬件安全芯片研究领域取得重要进展。.刘明院士科研团队两篇研究论文成功入选2020年第40届超大规模集成电路研讨会（SymposiumonVLSI）。.在硬件安全芯片领域，刘明院士...
存储器系统(论文).doc,存储器系统(论文)PAGE1摘要在现代计算机中,存储器是其核心组成部分,对微型计算机也不例外。因为有了它,计算机才具有“记忆”功能,才...
在新型存储器方面,刘明院士/吕杭炳研究员团队与复旦大学薛晓勇副教授合作首次提出了基于PMOS选择器的1T2R结构RRAM单元,并采用分层位线和三态单元存储技术,使漏电流降低了90%以上。...
存储器芯片按存取方式(读写方式)可分为随机存取存储器芯片(RAM)和只读存储器芯片(ROM)。按照不同的技术,存储器芯片又可以细分为EPROM、EEPROM、SRAM、DRAM、FLASH、MASKROM...
三星电子公司在与哈佛大学的研究人员合著的一篇论文中介绍了一种对存储器芯片上的大脑进行逆向工程的新方法,该论文近日发表在了《自然•电子学》杂志上。这篇论文题为《基于复制和...
在最近的一次全球存储器半导体峰会论坛上,笔者非常荣幸地认识了这位被称为存储器芯片之“王者归来”故事的主角,来自中科院上海微系统与信息技术研究所的宋志棠博士。说起来这位西安交...
3.主要介绍WAT测试的概念和所实现的功能,并对测试的主要电性参数做详细分析。4.对Agilent4072tester+TELProberP8-XL的测试环境进行描述,对在该环境下如何实现完整的测...
计算机组成原理课程论文班级:21336学号:2133625姓名:储蓉蓉东北大学秦皇岛分校半导体存储器的发展状况及未来趋势摘要:本文简单介绍了半导体存储器的技术现状,从集成度、...
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兆易创新资深经理陈鸿禹博士参与了此项研究工作并列论文共同著者,他表示非常感谢高滨教授和赵美然同学,他们的研究成果不但对高能效的人工智能芯片提供了理论和...
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