论文展示了28nm的1.5MbRRAM测试芯片，将嵌入式NVM存储密度记录提高了40％，达到14.8Mb/mm2。上述研究成果以题为“A28nm1.5MbEmbedded1T2RRRAMwith14.8Mb/mm2UsingSneakingCurrentSuppressionandCompensationTechniques”的论文入选2020VLSICircuit。
论文提出的读出电路可适用于其它三维交叉堆叠型非易失存储器，并因读出电路与阵列的设计参数直接相关，相关设计人员可根据其存储器的容量...
存储芯片根据断电后所储存的数据是否会丢失，可以分为易失性存储器和非易失性存储器，其中DRAM与NANDFlash分别为这两类存储器的代表。尽管存储芯片种类众多，但从产值构成来看，DRAM与NANDFlash已经成为存储芯片产业的主要构成部分。
关于存储器的发展历史，还有性能分析-张凌001-博客园.RAM（RandomAccessMemory）的全名为随机存取记忆体，它相当于PC机上的移动存储，用来存储和保存数据的。.它在任何时候都可以读写，RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质（可称作...
逻辑芯片的工艺已经反超存储器了。原因是无论NANDflash还是DRAM都是基于电容或者说电荷存储原理的器件，随着工艺的进步，构成器件电容的绝缘层越来越薄了，现在已经只有几十个原子的厚度，同样的存储的电荷也越来越少，此时这个电容保持电荷的能力就很不稳定，电荷读取也越来越难。
存储器存储器分类按存储介质分类存储介质主要有半导体器件、磁性材料、光盘。半导体存储器存储元件由半导体器件组成的存储器称为半导体存储器。现代半导体存储器都用超大规模集成电路工…
但是存储器的器件结构和外围电路的器件结构存在差异，导致存储器和外围电路的物理分离，器件集成及其相互耦合限制了类脑芯片的设计。且随着器件尺寸的不断缩小，相互之间的阻抗匹配阻碍了高性能和高能效类脑计算的实现。
论文展示了28nm的1.5MbRRAM测试芯片，将嵌入式NVM存储密度记录提高了40％，达到14.8Mb/mm2。上述研究成果以题为“A28nm1.5MbEmbedded1T2RRRAMwith14.8Mb/mm2UsingSneakingCurrentSuppressionandCompensation
硕士论文答辩—《相变存储器芯片电路设计与实现》摘要第1-5页Abstract第5-10页第一章相变存储器的研究动态第10-25页·引言
论文基于同质晶体管-存储器架构还提出了一种三维集成结构，对推动基于二维材料的新型神经形态硬件的产业化和应用具有极其重要的学术意义和应用前景。图2：基于同质晶体管-存储器架构的神经形态硬件实现了二值分类算法...
存储器系统(论文).doc,存储器系统(论文)PAGE1摘要在现代计算机中,存储器是其核心组成部分,对微型计算机也不例外。因为有了它,计算机才具有“记忆”功能,才...
在新型存储器方面,刘明院士/吕杭炳研究员团队与复旦大学薛晓勇副教授合作首次提出了基于PMOS选择器的1T2R结构RRAM单元,并采用分层位线和三态单元存储技术,使漏电流降低了90%以上。...
本课题根据客户定制的某存储器芯片详细描述了测试程序实现的全过程,并对测试所依赖的硬件和软件环境做了介绍,主要内容为:1.介绍WAT在半导体制程中的位置和重要性,并介绍本文...
存储器芯片按存取方式(读写方式)可分为随机存取存储器芯片(RAM)和只读存储器芯片(ROM)。按照不同的技术,存储器芯片又可以细分为EPROM、EEPROM、SRAM、DRAM、FLASH、MASKROM...
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三星电子公司在与哈佛大学的研究人员合著的一篇论文中介绍了一种对存储器芯片上的大脑进行逆向工程的新方法,该论文近日发表在了《自然•电子学》杂志上。这篇论文题为《基于复制和...
近日微电子所在新型存储器及硬件安全芯片研究领域取得重要进展。刘明院士科研团队两篇研究论文成功入选2020年第40届超大规模集成电路研讨会(SymposiumonVLSI)。在硬件安全芯片领...
本文介绍了在存储器芯片在线测试系统中,运行Windows操作系统的工控机作为上位机,运行Dos操作系统
基于酒娲⑵骷际跹芯坑肷杓国防科学技术大学研究生院二八年三月工程硕士学位论文硕士生姓名李丹学科专业软件工程研究方向微电子学与固体电子学指导老师曾献君教授分类号学号鱼...
查看更多:存储器论文摘要:介绍32M位闪存芯片(FlashMemory)KM29N32000TS,并以87C552单片机为例介绍它在单片机系统中的硬件连接和软件编制方法。该芯片与单片机...