CTM器件俘获层存储特性及界面性质研究.【摘要】：信息时代的快速发展使得电子产品逐渐普及,激活了庞大的存储器产品市场,进而推动了半导体技术的不断革新,将半导体技术节点继续向前推进。.但是技术节点的推进导致传统的Flash存储器的制造遇到了阻碍...
西安电子科技大学硕士学位论文基于标准CMOS工艺的OTP存储器的设计与研究姓名：马飞申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：刘红侠20090101摘要摘要在ASIC电路设计中，经常会需要一些低成本低密度的非易失性存储器件，但是工艺的复杂性阻碍了传统的非易失性存储…
论文的目的是在神经形态计算中找出比CPU、GPU、DRAM和NAND等传统设备更快、更节能的设备。.论文作者盘点和介绍的六种存储器件包括电阻式记忆存储器（ReRAM）、扩散式忆阻器、相变存储器（PCM）、非易失性磁性随机存储器（MRAM）、铁电场效应晶体管（FeFET）和...
原标题：六大“未来式”存储器，谁将脱颖而出？.摘要：最近，一篇回顾该领域现状的论文对六种最有前景的技术进行了盘点和解读。.对神经形态计算的浓厚兴趣刺激人们研发出一系列全新的存储设备，这些设备可以复制生物神经元和突触功能。.最近，一篇...
1存储器的结构层次1.1多级存储结构对于通用计算机而言，存储层次至少应具有三级：最高层为CPU寄存器，中间为主存，最底层是辅存。在较高档的计算机中，还可以根据具体的功能分工细划为寄存器、高速缓存、主存储器、磁盘缓存、固定磁盘、可移动存储介质等6层。
基于氧化铪阻变存储器性能及阻变机理分析.【摘要】：目前主流的Flash存储器已经达到了其尺寸缩减的极限,为解决这一问题提出了很多新型非易失性存储器,在众多新型非易失性存储器中,阻变存储器(ResistiveRandomAccessMemory,RRAM)具有数据存储密度高、数据擦写...
铁电薄膜及新型铁电存储器研究.陈志辉.【摘要】：铁电存储器是一种利用铁电薄膜材料的自发极化在电场中两种不同取向作为逻辑单元来存储数据的非易失性存储器,且具有高速度读写、高密度集成、抗辐射等优点。.本博士论文主要分为两大部分：一...
【关键词】存储器；纯逻辑；RFID；UHF；【参考文献】[1]冯文轩.碰撞Hamilton系统的弱扭转性质及周期解的存在性[D].苏州大学,基础数学,2014,硕士.[2]丁雪玲.番茄黄化曲叶病毒病的生物防治研究[D].南京农业大学,植物病理学,2013,硕士.
论文摘要：相变存储器之所以可以存储数据是因为相变材料的电阻发生变化，而其本质是由于相变材料由晶体以及非晶体之间的相互转换，所以相变材料的结晶速率决定着相变存储器的
图6饶峰团队发表的关于新型相变异质结构存储器的论文本文提出了一种新式的相变异质结（Phase-changeheterostructure，PCH）设计，由多个交替堆叠的相变层与限制层构成，并通过原位加热且低速生长的多层薄膜磁控溅射沉积技术实现了高质量PCH薄膜的
论文作者盘点和介绍的六种存储器件包括电阻式记忆存储器(ReRAM)、扩散式忆阻器、相变存储器(PCM)、非易失性磁性随机存储器(MRAM)、铁电场效应晶体管(FeFET)和突触晶体管。下面我们具...
相变存储器(phasechangememory),简称PCM,利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据的。初次听到"相变"这个词,很多读者朋友会感到比较陌生...
SrTiO_3基阻变存储器的和性能研究孙献文【摘要】:阻变存储(RRAM)以其在存储密度和存储速度上的独特优势,被认为是颇具潜力的下一代非易失性存储技术。然而阻变的微观机制一直不明晰,这成为RR...
摘要:本文简单介绍了半导体存储器的技术现状,从集成度、芯片面积、硅片尺寸、器件特征尺寸、存储单元面积、工作电压以及访存时间等七个方面综合评述了半导体存储器的发展状况...
Tag:软件工程管理论文IGZOTFT存储器集成度本文是一篇软件工程论文,本文从理论方面着手,灵活运用了一些专业相关软件对课题展开探讨。纵观全文,主要在两个方面展开了较为深入的研究...