CMOS电路latchup的原理资料-latch_up.doc,闩锁效应（latchup）闩锁效应（latchup）是CMOS必须注意的现象，latch我认为解释为回路更合适，大家以后看到latchup就联想到在NMOS与PMOS里面的回路，其实你就懂了一半了.为什么它这么重要？
ParasiticNPNandPNPLatch-UpWithinaSingleDMOSforHighVoltageIEEETransactionsonElectronDevices(IF2.917)PubDate:2020-08-01,DOI:10.1109/ted.2020.3004295EdwardCoyne,ShaneGeary,AlanBrannick,JohnMeskel
提供CMOS电路中抗Latch_up的保护环结构研究word文档在线阅读与免费下载，摘要:《现代电子技术》2006年第4期总第219期集成电路CMOS电路中抗Latchup的保护环结构研究唐晨,孙伟锋,陆生礼(东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心江苏南京210096...
Asemiconductordeviceisprovidedwhichiscapableofavoidingmalfunctionandlatchupbreakdownresultingfromnegativevariationofhigh-voltage-sidefloatingoffsetvoltage(VS).Intheuppersurfaceofann-typeimpurityregion,ap-typeimpurityregionisformedbetweenanNMOSandaPMOSandincontactwithap-typewell.
论文编号:1725110120160092第一作者所在部门:论文题目:ANovelIGBTStructureWithFloatingN-DopedBuriedLayerinP-basetoSuppressLatch-Up论文题目英文:作者:杨飞论文出处:刊物名称:IEEEElectronDeviceLetters年:2016卷:37期:9页:1174:
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论文或专著名称作者刊物(出版社)名称年卷期起止页码EI/SCI他引次数出版物文章名英文CorrectionofSingleEventLatchupRatePredictionUsingPulsedLaserMappingTestY.-T.Yu,J.-W.Han,G.-Q.Feng,M.-H.CaiandR.Chen
你好，latchup电路能帮你一下保证没问题【幸福快乐】：latchuptest闩锁测试；拴锁效应试验；闭锁试验双语例句1thetriggeringvoltagecanbeimprovedbyuptooneorderofmagnitude.thisconclusionisprovedinpracticalstaticlatchuptest.
关于静电放电（ESD）原理以及其保护方法的详细分析.一直想给大家讲讲ESD的理论，很经典。.但是由于理论性太强，任何理论都是一环套一环的，如果你不会画鸡蛋，注定了你就不会画大卫。.先来谈静电放电(ESD:ElectrostaticDischarge)是什么？.这应该是造成所有...
Thefirstcircuitissubjecttoalatchupeventinthepresenceofalatchupcondition.Thelatchupeventincludesalowresistancepathcreatedbetweenthefi...
芯片一开始工作时VDD变化导致nwell和Psubstrate间寄生电容中产生足够的电流,当VDD变化率大到一定地步,将会引起Latchup。当I/O的信号变化超出VDD-GND(VSS)的...
系统共地引发LATCH—UP及应对措施.pdf,攀8卷,第4期电子墨封装慧筹酾期vol。S.No。I垂20鼹年霹旁ELE(XRONlCS&PIACKAGING/1、、/+、/—、,,r、‘《彰:、...
AlatchupcharacterizationmethodforCMOStechnologiesispresented.Byseparatingtheroleoftheparasiticbipolartransistorsandthewellandsubstrateshunt...
关于LATCHUP理论目前相当丰富,但是关于LATCHUP的具体测试和分析文献很少介绍.本文讨论门亚微米工艺LATCHUP测试的一个例子.门的LATCHUP测试不属于常规PCM参数测试...