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内容摘要：日前，西安交通大学材料科学与工程学院先进陶瓷研究所博士生戴培赟在杨建锋教授指导下用物理气相传输法成功出多晶致密碳化硅陶瓷材料，首次在不需添加烧结助剂的条件下获得了接近理论密度的纯碳化硅块体陶瓷材料，标志着西安交大在陶瓷研究方面获得重要进展。
日前，西安交通大学材料科学与工程学院先进陶瓷研究所博士生戴培赟在杨建锋教授指导下用物理气相传输法成功出多晶致密碳化硅陶瓷材料，首次在不需添加烧结助剂的条件下获得了接近理论密度的纯碳化硅块体陶瓷材料，标志着西安交大在陶瓷研究方面获得重要进展。
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日前,我校材料科学与工程学院先进陶瓷研究所博士生戴培赟在杨建锋教授指导下用物理气相传输法成功出多晶致密碳化硅陶瓷材料,首次在不需添加烧结助剂的条件...
日前,我校材料科学与工程学院先进陶瓷研究所博士生戴培赟在杨建锋教授指导下用物理气相传输法成功出多晶致密碳化硅陶瓷材料,首次在不需添加烧结助剂的条件...
日前,西安交通大学材料科学与工程学院先进陶瓷研究所博士生戴培赟在杨建锋教授指导下用物理气相传输法成功出多晶致密碳化硅陶瓷材料,首次在不需添加烧结助剂的条件下获得...
(2)最近,西安交大杨建锋教授和博士生戴培赟,成功出多晶致密碳化硅(SiC)陶瓷材料,标志着西安交大在陶瓷研究方面获得重要进展.已知SiC中硅元素的化合价为+4价...
西安交通大学材料科学与工程学院先进陶瓷研究所博士生戴培赟在杨建锋教授指导下用物理气相传输法成功出多晶致密碳化硅陶瓷材料,首次在不需添加烧结助剂的条件下获得了接近理论密...
近日,西安交通大学材料科学与工程学院先进陶瓷研究所博士生戴培赟在杨建锋教授指导下用物理气相传输法成功出多晶致密碳化硅陶瓷材料,首次在不需添加烧结助...
日前,西安交通大学材料科学与工程学院先进陶瓷研究所博士生戴培赟在杨建锋教授指导下用物理气相传输法成功出多晶致密碳化硅陶瓷材料,首次在不需添加烧结助...
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(2)最近,西安交大杨建锋教授和博士生戴培赟,成功出多晶致密碳化硅(SiC)陶瓷材料,标志着西安交大在陶瓷研究方面获得重要进展.已知SiC中硅元素的化合价为+4价,则碳元素的化...