4英寸VB锗单晶生长技术研究.pdf,--优秀硕士毕业论文，完美PDF格式，可在线免费浏览全文和下载,支持复制编辑,可为大学生本专业本院系本科专科大专和研究生学士硕士相关类学生提供毕业论文范文范例指导,也可为要代写发表职称论文的提供参考！
直拉法单晶硅生长技术的现状摘要综述了制造集成电路（IC）用直拉硅单晶生长的现状与发展。对大直径生长用磁场拉晶技术，硅片中缺陷的控制与利用（缺陷工程），大直径硅中新型原生空位型缺陷，硅外延片与SOI片，太阳电池级硅单和大直径直拉硅生长的计算机模拟，硅熔体与物性研究等...
毕业论文关键词：镍基单晶高温；DD6；晶体生长；热处理；硬度GrowthandmechanicalpropertiesofNibasedsuperalloysinglecrystalAbstract：Nickelbasesinglecrystalsuperalloyhasexcellenthightemperatureperformanceandmechanicalperformance,duetoitshightemperatureresistance,corrosionresistance,highstrength,goodplasticitycharacteristics.
碲锌镉单晶生长与晶体质量研究,CdZnTe,单晶生长,衬底,晶体缺陷,单晶质量评价碲锌镉单晶生长与晶体质量研究-《中国科学院研究生院（上海技术物理研究所）》2014年博士论文-中国知网
1李建国;;叶片单晶生长的工程控制理论与实践[A];2020年第五届钢锭与锻件生产新工艺、新技术峰会论文集[C];2020年2王彦君;李小龙;王遵义;孙健;;区熔热场中线圈结构特性分析[A];天津市电子工业协会2020年年会论文集[C];2020年3殷绍唐;万松明;张庆礼;周...
因此，对现有的二维单晶控制生长技术进行系统性的梳理和展望，具有重要的科学意义。.有鉴于此，北京大学刘开辉课题组总结了设计生长大尺寸二维单晶研究的最新进展。.该综述基于单晶生长的四个关键因素：1）控制成核，包括限制成核密度、控制单核...
本论文对大直径区熔硅单晶生长技术以及中子辐照硅单晶热处理工艺进行了重点研究。.大直径区熔本征硅单晶的生长难点为热应力导致硅单晶位错过多或开裂、多晶硅棒料化料过程中边缘出现硅刺、以及原始硅单晶径向电阻率分布(railresistivityvariation,简称RRV...
最新博士论文—《多元硫属化合物单晶的可控生长及其光电探测性质研究》摘要第1-7页abstract第7-12页第一章绪论第12-48页1.1光电探测器概述第12-21页
提出了单晶炉温度场质量指数和固液界面位置波动指数两个无量纲参数，可以定量表达叶片单晶生长装备的技术和质量水平。基于建立的理论模型，发展了新的叶片单晶生长装备和自适应控制系统，在单晶叶片生产中获得了应用。邀请人：汪卫华（电话：8264
这一生长机制的提出和发现，为高质量多孔金刚石单晶的和工业化生产提供了新的思路。该项研究成果于2021年7月被期刊《Carbon》接收发表，博士研究生王俊普为论文第一作者；贺端威教授为该论文的唯一通讯作者；四川大学原子与分子物理研究所为唯一研究单位。
水平法12第五章垂直梯度凝固法13第六章热交换法16第七章液封法17第八章蒸汽压控制法21结束语22参考文献23致谢25综述单晶生长方法摘要在...
综述单晶生长方法毕业论文.doc,目录摘要1Abstract2第一章单晶的生长原理41.1单晶的生长原理4第二章直拉法5第三章区熔法11第四章水平法12...
图2-10VCZ单晶炉示意图华中科技大学文华学院毕业设计(论文)21结束语单晶生长总体上有气态和液态生长方法两大类,液态生长方法又分为熔体生长方法和溶液...
上海应用技术大学专业学位硕士学位论文SnSe单晶生长与性能研究英文题目:GrowthSnSeSingleCrystals工程领域:化学工程校内导师:徐家跃教授企业导师:正...
LEC砷化镓单晶生长技术论文目录摘要第1-4页ABSTRACT第4-5页目录第5-10页第一章砷化镓应用领域及市场需求第10-18页·砷化镓应用领域概述第10页·砷化镓...
但是,SnSe具有层状结构,容易解理,传统生长方法无法获得大尺寸、高质量的晶体,因此开展SnSe单晶生长的系统研究非常重要。本文采用水平布里奇曼法生长了SnSe单晶,获得尺寸为35...
论文题目:单晶材料的新发展及其对生长技术的挑战英文论文题目:作者:徐家跃英文作者:联系作者:英文联系作者:外单位作者单位:英文外单位作者单位:...
大直径InP单晶生长研究的论文第十五眉全固化合物半导体.微波捆-件和光电器件学术寺议大直径lnP单晶生长研究(1专用集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公...
[1]徐岳生.直拉硅单晶生长的现状与发展[J].河北工业大学学报.2004[2]张果虎,吴志强,方峰300~硅单晶的生长技术〔J].半导体学报,2001总结:这篇晶体生长论文范...
【摘要】:回顾了SiC单晶的发展历史,总结了目前的发展状况,同时介绍了SiC单晶生长所需要的温场和生长工艺,最后介绍了SiC单晶的技术.通过模拟计算与具体实验相...