摘要低介电常数聚酰亚胺薄膜的与性能研究摘要随着超大规模集成电路（ULSI）器件集成度的提高，信号容阻（RC）延迟、串扰以及能耗等问题也日益凸显出来，亟需开发新型低介电常数（10w．k）材料解决上述问题。
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低介电聚酰亚胺的及其性能研究.张帆.【摘要】：随着便携式设备的快速发展,集成电路趋向于低功耗,小尺寸,高性能方向快速发展。.随着5G时代的到来,为了减少信号损耗,加快信号传输速率,晶圆级扇出型封装等先进封装应用而生。.层间介质材料作为其中...
低介电常数聚酰亚胺薄膜的研究进展优先出版.绝缘材料2016，49(8)随着科学技术日新月异的发展，集成电路行业向着低维度、大规模甚至超大规模集成发展的趋势日益明显。.而当电子元器件的尺寸缩小至一定尺度时，布线之间的电感-电容效应逐渐增强，导线...
低介电常数聚酰亚胺薄膜的及性能研究.【摘要】：聚酰亚胺是高性能工程塑料之一,因具有优异的力学性能、热稳定性能和电绝缘性能而被广泛应用于微电子行业中。.然而,随着超大规模集成电路与高频印刷电路的快速发展,要求相应的绝缘介质材料必须...
低介电常数聚酰亚胺薄膜的及性能研究-聚酰亚胺是高性能工程塑料之一,因具有优异的力学性能、热稳定性能和电绝缘性能而被广泛应用于微电子行业中。然而,随着超大规模集成电路与高频印刷电路的快速发展,要求相应的绝缘介质材料必须具...
比如聚酰亚胺纳米杂化材料，其介电常数低4，同时具有高的强度和低的吸水率，可作为超低介电常数绝缘材料。聚酰亚胺纳米材料的介电性能因所含无机物的介电性能不同而不同，其无机物有陶瓷、聚硅氧烷、分子筛等。
5G对低介电材料的介电常数要求在2.8-3.2之间，远远小于4G对介电常数要求3.4-3.7之间的标准。低介电材料目前主要用于天线材料和柔性线路板材料。对于不同的应用场合，介电常数的要求也不同，5G设备要求介电常数小于3，而5G基站要求介电常数小于4即可。
低介电聚酰亚胺的及研究进展佟望舒1,张以河1,张茜1,吕凤柱1,余黎1,安琪1,高迪2,刘雷鹏11.中国地质大学（北京）材料科学与工程学院,北京100083;2.山东非金属材料研究所,济南250031PreparationandDevelopmentofPolyimidewith
【摘要】：聚酰亚胺(PI)具有优异的综合性能,广泛应用于电子电气产业。随着电子器件尺寸不断减小,要求作为电介质的PI具备更低的介电常数。降低PI介电常数的常用方法包括降低PI极化率(引入含氟结构、交联等)、降低PI密度(引入空气等)和引入纳米材料。
娄萧萧分享于2020-06-1822:44:15.0暂无简介文档格式:.pdf文档页数:59页文档大小:3.98M文档热度:文档分类:论文--毕业论文系统标签:聚酰亚胺低介tf...
现代微电子工业要求层间绝缘材料具有较低的介电常数。该文介绍了几种降低聚酰亚胺介电常数的方法,包括含氟聚酰亚胺、聚酰亚胺无机杂化复合材料和聚酰亚胺多孔材料,其中最为有...
关键词:低介电常数;聚酰亚胺;含氟;无机杂化;多孔材料中图分类号:TQ32317文献标识码:A文章编号:10062334X(2010)0220029204收稿日期:2010-04...
聚酰亚胺/介孔分子筛低介电常数复合薄膜的及性能研究马志兰.聚酰亚胺/介孔分子筛低介电常数复合薄膜的及性能研究(硕士学位论文).2008马志兰.聚酰亚胺/介孔分子筛低...
硕士学位论文低介电聚酰亚胺的及其性能研究作者姓名:张帆指导教师:张国平研究员中国科学院深圳先进技术研究院黄逸凡高级工程师中国科学院深圳先进技术研究院...
10黄臻洵;低介电常数聚酰亚胺/纯硅沸石杂化膜的[D];华南理工大学;2013年中国硕士学位论文全文数据库前10条1张帆;低介电聚酰亚胺的及其性能研究[D];中国科学院大学(...
中国科学院化学研究所博士学位论文摘要聚酰亚胺由于具有优异的耐热稳定性、优良的力学性能、良好的尺寸稳定性以及电气绝缘性能而在微电子封装中作为缓冲层、钝...
论文服务:摘要:介绍了近年来国内外低介电常数聚酰亚胺(PI)及其复合材料的方法,重点讨论了介孔氧化硅、二氧化硅管和多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)在降低PI介电常数方面的...
论文>期刊/会议论文>低介电常数聚酰亚胺的研究进展2010年6月技术及应用SYNTHETICTECHNOLOGYANDAPPLICATIONV01.25No.2Jun.2010低介电常数聚酰亚胺的...
以无孔氟化石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜为致密的外表面层,多孔聚酰亚胺薄膜为降低介电常数的核心层,采用逐层涂覆的方法了双层及三层低介电聚酰亚胺复合薄膜,分析了膜层组成及...