当前位置：学术参考网 > pecvdsih4论文
CVD化学沉积工艺详细讲解.COMENTCOMENTDefinitionChemicalVaporDeposition(canheatedsurfacefromchemicalreactionvaporphase.vapor-transferprocesseswhichdepositionspeciesCVDCVDSiCl2H2(DCS)SiSiCl3H(TCS)SiCl4(Siltet)LPCVDSiH4,O2SiO2PECVDSiH4,N2OPECVDSi(OC2H5)4(TEOS),O2LPCVDTEOSAPCVD&SACVDTMTEOS,O3(ozone...
论文生活休闲外语心理学全部建筑频道建筑文本施组方案交底用户中心充值...1.44491.44501.44501.4450Uniformity0.00020.00020.00030.0001已经证实，在PECVDSiH4+N2O气体体系沉积SiO2的过程中，最初的反应物是(SiH3)2O，该反应物被...
2005年10Vol.34No.5JOURNALHEBEIUNIVERSITYTECHNOLOGYOctober2005文章编号：1007-2373(2005)05-0027-04多晶硅太阳电池的氮化硅薄膜性能研究，马丽芬1,2河北工业大学信息功能材料研究所，天津300130；2.
影响氮化硅薄膜特性的沉积工艺参数主要有温度、射频功率、射频频率、腔室压力、气体(SiH4/NH3)流量比等。本文介绍了氮化硅薄膜的性质与方法,等离子增强型...
PECVD硅烷分解法硅层基本规律的研究本论文工作利用PECVD设备,以Ar作为放电气体,采用SiH4分解法在不同基片和工艺条件下沉积了微晶硅薄膜.采用SEM,TEM,AFM,XRD,Raman和FTI...
针对市场需求,在对数拟合的计算方法基础上,采用电化学分析,基于AduC812芯片,提出了一种应用于等离子体增强化学气相沉积法(PECVD沉积法)设备的双通道气体分析仪的理论基础.以...
程华.PECVD硅烷分解法硅层基本规律的研究[D].沈阳:中国科学院沈阳金属研究所博士学位论文,2009.程华.PECVD硅烷分解法硅层基本规律的研究[D].沈阳:中国科学院沈阳...
一种pecvd设备中sih4及n2的气体分析方案下载积分:2000内容提示:SO【ARFNFRGYEjE硇技术与产品一种PECVD设备中Sill4及N2的气体分析方案西安黄河光伏科技...
本文采用了PECVD工艺技术以SiH4和H2作为反应气体源通过改变H2稀释比、衬底温度、射频功率与反应压强等工艺参数最终在玻璃、石英以及单晶硅衬底上出了ncSi...
PECVD化硅薄膜的研究进展.doc,毕业设计(论文)(2013届)题目PECVD氮化硅薄膜的研究进展学号1003020147姓名钟建斌所属系新能源科学与工程学院...
(a-Si:H)depositedbyPECVDisstudied.Depositionparametersoptimizedthroughorthogonaldesign,includingpower、temperature、pressure、gasflowrate.Sourcegasof...
河北工业大学硕士学位论文i硅薄膜的PECVD及其结构研究摘要本文详细论述了PECVD法非晶硅和微晶硅薄膜的原理和过程,深刻剖析了PECVD仪器各部...
PECVD氮化硅薄膜的研究进展.doc,毕业设计(论文)(2013届)题目PECVD氮化硅薄膜的研究进展学号1003020147姓名钟建斌所属系新能源科学与工程学...