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MOSFET升降压斩波电路.MOSFET升降压斩波电路设计20111049指导教师：侯云海题目：MOSFET升降压斩波电路设计一、课程设计的目的电力电子技术的课程设计是《电力电子技术》课程的一个重要的实践教学环节。.它与理论教学和实践教学相配合，可使我们在理论联系实际，综合分析，理论计算，归纳整理和实验研究方面得到综合训练和提高，从而培养学生解决...
于是通过慢慢的看书，我在直流-直流变流电路那一章中掌握了MOSFET升压斩波电路主电路的设计，在PWM控制技术那一章中掌握了控制电路的设计。电力电子课程设计不仅让我加深了很多课本上的知识，也让我懂得了很多其它的。
功率MOSFET导通电阻的研究[D].沈阳工业大学,2020.[66]杨园园.基于分布式参数的输电线路动态热定值的计算方法[D].济南大学,2020.
C1：从图上看，存在于栅极G和电子沟道之间，那么栅和沟道之间的层次是什么，Metal-Oxide_Semi，是氧化层。大家还记得MOSFET的工作原理吗：栅极加电压，形成从栅指向衬底的电场，吸引电子形成沟道。这氧化层，不就是一个平板电容吗？
现代电力电子器件的发展现状与发展趋势.电力电子器件又称作开关器件，相当于信号电路中的A/D采样，称之为功率采样，器件的工作过程就是能量过渡过程，其可靠性决定了系统的可靠性。.根据可控程度可以把电力电子器件分成两类：.上个世纪50年代，美国通用电气公司发明的硅晶闸管的问世，标志着电力电子技术的开端。.此后，晶闸管(SCR)的派生器件越来越...
1）开关损耗.图2是1200VHighSpeed3IGBT(IGW40N120H3)与CoolSiC™MOSFET(IMW120R045M1)在同一平台下进行开关损耗的对比测试结果。母线电压800V,驱动电阻RG=2.2Ω，驱动电压为15V/-5V。.使用1200V/20AG5肖特基二极管IDH20G120C5作为续流二极管。.在开通阶段，40A的电流情况下，CoolSiC™MOSFET开通损耗比IGBT低约50%，且几乎不随结温变化。.
powermosfet，中文是电力场效应晶体管的意思。.电力场效应晶体管分为两种类型，结型和绝缘栅型，但通常所说的是绝缘栅型中的MOS型（MetalOxideSemiconductorFET），简称电力MOSFET（PowerMOSFET）。.P-MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，它的显著特点是驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高；但是其电流容量小，耐压低，只用于小功率的电力电子…
硕士学位论文（工程硕士）高压VDMOS的设计与工艺DESIGNPROCESSSIMULATIONHIGHVOLTAGEVDMOS哈尔滨工业大学2010国内图书分类号：TN432学校代码：10213国际图书分类号：621.3.049.774密级：公开硕士学位论文（工程...
表4-1给出了3个SiCMOSFET模块的的结温情况。表4-1SiCMOSFET模块结温Table4-1SiCMOSFETmodulejunctiontemperature模块M1M2M3结温(℃)74.99283.2987.02硕士学位论文有所不同，即温度分布不均匀。靠近进风口处的器件温度比较低
XXXX学院毕业设计（论文）半桥开关电源HalfbridgeswitchpowerXX指导教师：XXXXX年XX摘要开关电源是现代电力电子设备不可或缺的组成部分，其质量的优劣直接影响子设备性能，其体积的大小也直接影响到电子设备整体的体积。.本设计根据设计任务进行了方案设计，设计了相应的硬件电路，研制了15W（15V、1A）半桥开关电源。.整个系统包括主电路、控制电路和...
1用类比讲解PowerMOSFET的结构PowerMOSFET的中文名称是电力场效应晶体管,在电力电子中通常指N沟道绝缘栅型MOSFET。对于MOSFET学员并不陌生,在模电课程中已经...
Keywords:MOSFET,modeling,divercircuit,theboostcircuit武汉理工大学毕业设计(论文)PAGE\*MERGEFORMAT38第1章绪论1.1本文的研究目的及意义现...
本论文论述了在器件模型已知的条件下,如何辨识器件模型参数。采用了基于电力电子器件物理模型的软件PACTE(由法国里昂国家电气实验中心提供),开发了功率MOS...
SiCMOSFET和SiIGBT的对比研究,秦海鸿,,SiC器件具有电压定额高、导通损耗小、开关损耗小和漏电流低的特点,但其电流定额仍然有限,为了满足大功率场合的需...
第46卷第1期Vol.46No.1时代农机TIMESAGRICULTURALMACHINERY2019年1月Jan.2019电力工程电源中MOSFET串联技术的实践张倩(三门峡职业技术学院,河南三...
进行了SiCMOSFET短路失效实验,得到SiCMOSFET的短路失效模式和路耐量,并分析了短路失效机理。本文研究结果有助于认识SiCMOSFET的基本短路特性并为SiCMOSFET驱动保护电路设...
本论文论述了在器件模型已知的条件下,如何辨识器件模型参数。采用了基于电力电子器件物理模型的软件PACTE(由法国里昂国家电气实验中心提供),开发了功率MOS...
(1)原因不明地突然启用(2)有资金流入(3)10个工作日内累计金额接近人民币200万元(4)资金流量较小(1)(2)。(1)(3)。(3)(4)。(1)(2)(3)(4)。电力场效应管MOSFET()现象。
内容提示:多参京交硕士学位论文SiCMOSFET研究及应用ResearchandapplicationofSiCMOSFET作者:李新秀导师:郝瑞祥北京交通大学2016年3月万方数据学位论...
一种高频谐振驱动电路,在工作模态、损耗和电感取值原则方面开展了研究,有效地降低了GaN驱动电路噪声和损耗;论文《基于干扰动态响应机理的SiCMOSFET驱动设计》提炼了一种SiC驱动参数...