电力电子器件发展概况及应用现状发布时间：2008-07-06作者：蒋超摘要：本文简单回顾了电力电子技术及其器件的发展过程，介绍了现在主流的电力电子器件的工作原理、应用范围及其优缺点，探讨了在21世纪中新型电力电子器件的应用展望。
电力电子模块化是其向高功率密度发展的重要一步。当前电力电子器件的主要发展成果如下：3.1复合型电力电子器件IGBT：绝缘栅双极晶体管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是一种N沟道增强型场控(电压)复合器件，如图1所示。
现代电力电子器件论文素材.doc,ModernPowerElectronicsTechnology姓名:学号：学院(系):自动化学院专业:电气工程题目:电力电子器件在感应加热电源中的应用指导老师：2015年6月摘要本论文介绍了电力电子器件在高频感应加热电源中的...
事中斜放大浮硕士学位论文电力电子器件在应用中的可靠性研究学位申请人学科专业指导教师答辩日期吴拥军电子与通信工程余岳辉教授2005年9月30日华中科技大学硕士学位论文摘要随着电力电子技术的迅猛发展，电力电子器件的可靠性也越来越成为人们关注的一个重要课题。
电力电子学科前沿论文.doc,电力电子技术的前沿发展及应用摘要:电力电子技术是采用功率半导体器件对电能进行转换、控制和优化利用的技术，它广泛应用于电力、电气自动化及各种电源系统等工业生产和民用部门，是目前发展非常迅速的一门学科。电力电子技术的核心是电源变换技术,电力系统的...
1、电力电子器件及其发展现状电力电子技术(powerelectronictechnology)是以电力为对象的电子技术，是一门利用电力电子器件对电能进行转换与控制的新兴学科。电力电子技术包括如下三大部分：(1)电力电子器件(powerelectronicdevice)；(2)电力电子
现代电力电子器件仍然在向大功率、易驱动和高频化方向发展。.电力电子模块化是其向高功率密度发展的重要一步。.当前电力电子器件的主要发展成果如下：.IGBT：绝缘栅双极晶体管.IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是一种N沟道增强型场控(电压)复合器件。.它...
关于电力电子器件可靠性，大家觉得这个研究方向怎么样？.本人本硕博是高压专业的，现在拿到一个985大学的讲师offer，做电力电子器件可靠性，大家觉得这个方向怎么样？.好发文章不？.跟高压绝缘相关性大不？.推荐一本书ReliabilityofPowerElectronicConverter...
中国期刊网,期刊,杂志,读者服务,电子杂志,论文,文库,期刊网,电子刊中通服建设有限公司广东广州510000摘要：电力电子技术是现代化高新电力事业发展的重要基础，是电力系统传统产业改革的必要手段，在交通运输、一般工业产业、电子装置电源，特别是电力系统等多个方面，都具有着及其广泛的...
建议电力电子技术的支持和发展应本着以电力电子器件为核心，以设备和系统及其应用为推动力的思路，对电力电子器件的研发和产业化，根据拟制定的我国电力电子技术及产业2015～2025年中长期发展规划，进行重点投入，大力支持，攻克电力电子器件的关键
ModernPowerElectronicsTechnology姓名:学号:学院(系):自动化学院专业:电气工程题目:电力电子器件在感应加热电源中的应用指导老师:2015年6月...
同时,在我2电力电子器件的应用问题及发展方向就目前来看,电力电子器件在各行各业都得到广泛应用,尤其是许多大型工厂都积极采用了电力电子器件,但是在应用...
文秘帮电力电子技术论文范文,1电力电子技术的作用1.1利于工业生产的更新换代电力电子技术的应用能够让我国的民用电力设备效果得到大幅度的提升,让我国人民的...
文档信息文档编号:文-05AXLA(自定义文件编号)文档名称:电力电子器件及其应用的现状和发展.doc文档格式:Word(*.doc,可编辑)文档字数:12396字,(不统计...
5王正元.面向新世纪的电力电子技术电源技术应用,2001论文关键词:电力电子器件;变频技术;谐波;功率因数论文摘要:介绍了电力电子器件和变频技术的发展过程,以及...
我国的电网建设和电网结构虽然相对稳定但是仍存在很多问题,需要提高电网建设的要求和利用先进电力电子器件提高电网输出电能的质量。而随着经济的不断发展,电力需求量也越来越...
【电力电子器件】AET电子技术应用【电力电子器件】专题社区为您提供最新的【电力电子器件】资讯,您可以在这边了解到最新最全的【电力电子器件】资料。
基于电力电子器件及变频技术的发展与应用研究_电子机械论文_工学论文__64729基于电力电子器件及变频技术的发展与应用研究_电子机械论文_工学论文_论文关键词...
【摘要】:以氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料因其禁带宽度大(~3.4eV)、临界击穿场强高(~3.3×10~6V/cm)、电子饱和速度大(~2.7×10~7cm/s)、热导率高(~2W/cm·K)等优势,使...