PIN光电二极管在光电检测电路中一般具有两种连接方式，一种是工作在反向偏置电压状态（如图2．3a所示），即在PIN光电二极管两端加上反向偏置电哈尔滨理工大学工学硕士学位论文压，这时PN结耗尽层加宽、势垒增大、结电容减小，这些有利于
2.PIN光电二极管(photodiode)：2.1PIN光电二极管简介PIN型光电二极管是光纤通信系统中最常用的光检测器。PIN光电二极管与基本的PN型光电二极管的区别就是在位于P区域有一层较厚的本征半导体材料，称为I区。
PIN二极管在射频开关电路中的工作原理及应用（论文资料）,pin二极管开关,pin光电二极管电路,二极管开关电路,开关二极管应用电路,开关二极管电路图,光敏二极管开关电路,二极管开关电路分析,天线开关二极管电路,射频..
光电二极管论文二极管论文.pdf.收稿日期：2009-12-20；修订日期：2010-02-15作者简介：石柱（1960-），男，四川成都人，高级工程师，硕士，主要从事近红外光电探测器的研制工作。.Email：hx333666@163红外与激光工程2010LaserEngineeringOct2010中心带雪崩光电二极管...
2。2光电二极管的工作原理一。PN光电二极管如图2。2所示是光电二极管的工作原理图，当P侧检测到光输入时在光电二极管的N区、P区和耗尽层都存在吸收光子。光电二极管耗尽层中所产生的电子空穴对会在耗尽层的电场中向P区和N区运动，产生
PIN光电二极管和PN光电二极管，并给出较为详细的推导过程及等效电路图。第四章：根据光电探测器的特性，较为详细地分析了光电探测器用于制导中实现对准，及火灾探测中的工作实现原理。2光电探测器基本理论2。1光电探测器的物理基础光电检测的
PN结型光电二极管（PD）.ppt,四.光探测器基本概念在光电器件中,自发发射、受激辐射和受激吸收过程总是同时出现的。但对于各个特定的器件,只有一种机理起主要作用。这三种作用机理对应的器件分别是：发光二极管、半导体激光器和光电二极管。
13华南理T大学硕十学位论文第三章雪崩光电二极管特性研究3．1雪崩光电二极管的特性参数3．1．1量子效率及响应度光子能量大于禁带宽度的光照射到雪崩光电二极管上时将被半导体吸收，每一个被吸收的光子产生一个电子一空穴对。
陈德章等人[11]研究了1.06μm和0.53μm激光对硅PIN光电二极管以及硅雪崩光电管的永久性损伤效应。实验发现，光电探测器的PN结受到激光热烧伤是造成其永久性损伤的重要因素，损伤阈值的太小与激光渡长、脉冲宽度以及光电探测器结构有关。
光电二极管和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。但是，在电路中不是用它作整流元件，而是通过它把光转换成电。那么，它是怎样把光转换成电的呢？大家知道，普通二极管在反向电压作用在处于截止...
为实现对光电探测器的灵敏度提高,增大光电流的输出,PIN光电二极管应运而生。国内研究人员针对封装寄生效应提出更常用的等效电路。GWang与Tokumistsu等...
光电二极管论文二极管论文.pdf收稿日期:2009-12-20;修订日期:2010-02-15作者简介:石柱(1960-),男,四川成都人,高级工程师,硕士,主要从事近红外光电探测器的...
光电二极管论文二极管论文.pdf,第卷第期年月395红外与激光工程201010Vol.39No.5InfraredandLaserEngineeringOct.2010中心带雪崩光电二极管的In...
2.PIN光电二极管(photodiode):2.1PIN光电二极管简介PIN型光电二极管是光纤通信系统中最常用的光检测器。PIN光电二极管与基本的PN型光电二极管的区别就是...
燕山大学课程设计说明书题目:光电二极管信号调理电路设计学院(系):电气工程学院年级专业:级检测班学号:学生姓名:指导教师:教师职称:设计原理图燕...
光电二极管论文二极管论文.pdf文档介绍:红外与激光工程第39卷第5期2010年10月Vol.39No.5InfraredandLaserEngineeringOct.2010中心带雪崩光电二...
又过剩空穴总数和扩散电流分别为:pnqDpdpn可求得IpqPnCn0RpdCn0为...(论文)PIN雪崩光电二极管建模及其特性的研究,雪崩光电二极管,apd雪崩光电二极管
硕士论文雪崩型光电二极管阵列器件的设计与分析ABSTRACTU钊rnod1fiedCMOSProcesseshavebeensuccessfo11yemPl0yedtoP...
先进行了器件性能,重点观察影响柔性PIN光电二极管工作性能的主要因素。随后,本论文又对柔性PIN光电二极管做了应力有限元分析。经观察发现,柔性PIN光电二极管的几...
中波碲镉汞光电二极管pn结特性研究摘要采用液相外延(LPE)生长的中波HgCdTe薄膜,基于B离子注入n-on-p平面结技术,了LBIC测试结构和I-V测试芯片并进...