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【摘要】：PN结构成了几乎所有半导体功率器件的基础,其雪崩击穿电压直接决定了相关器件的工作电压范围。在实际制造中PN结的结面不是理想的平面,一般认为结面的曲率效应将导致结的击穿电压低于同等条件下的平行平面结,以此为基础发展出了一系列降低或消除曲率效应的结终端技术如场板、场...
在PN结（LDMOS中主要是P．body／N．drift结）反偏时，它可有效地降低PN结的峰值电场，避免PN结过早击穿。没有场板重庆邮电大学硕士论文第一章绪论时PN结的冶金结界面转角区由于较小的曲率半径而产生较密集的电场分布，很容易造成PN结击穿，当应用了场板技术后，PN结转角区的电…
硕士论文开题报告—《曲率效应对PN结击穿电压的有效作用》摘要第1-5页ABSTRACT第5-9页第一章绪论第9-19页·课题背景第9页·PN结的击穿
第8卷第18期2015年9月中国科技论文在线精品论文1908能使Emax达到Ec值，或满足条件I=1，因此击穿电压就会提高。2.2碰撞电离积分与外加电压的关系与结果在PN结中，随着外加电压提高，碰撞电离率积分也逐渐变大，二者存在一定的数值关系。
项目场景：根据一篇博士论文复现一下，平行平面结的雪崩击穿过程，并且验证自己的正确性以及可靠性。问题描述：根据论文描述的模型搭建相似数据以及模型进行对比实验结果，得到一些出入。首先介绍一下碰撞电离模型：chynoweth模型更新了雪崩击穿条件，使得模型更加精确。
单光子雪崩二极管(SPAD)是一种固态光电探测器，与光电二极管和雪崩光电二极管(APD)属于同一家族，同时也与基本的二极管行为有着根本的联系。SPAD和APD的历史和发展与诸如二极管和早期p-n结…
南京大学提出并实现二维材料弹道雪崩现象最新成果.半导体PN结是集成电路的“技术”，在其应用中反向击穿是一类基本的物理过程。.基于雪崩反向击穿机制的光电探测器是实现单光子探测的重要手段，目前已成为通信网络，光谱技术以及量子通…
穿通型pn结二极管的击穿电压相关推荐·《西安交通大学学报》196·《高压电器》2020年03期·《物理通报》2017年01期·上海交通大学·西安电子科技大学...
PN结的击穿分两种，分别是电击穿和热击穿，电击穿指的是雪崩击穿(低浓度)和齐纳击穿(高浓度)，而这个电击穿主要是载流子碰撞电离产生新的电子-空穴对(electron-hole)，所以它是可恢复的。但是热击穿是不可恢复的，因为热量聚集导致硅(Si)被熔融烧毁了。
本发明涉及一种装置，具体涉及一种可提高PN结反向击穿电压的装置。背景技术PN结构几乎在所有半导体中都存在，很多器件需要PN结反向工作，因此提高其反向击穿电压直接决定了相关器件的工作电压范围。实际制造中的PN结的不是理想的一维平面结构，在PN结的边和角处会出现柱面或球面结。通…
内容提示:西安电子科技大学硕士学位论文pn结材料辐射损伤噪声灵敏表征方法研究姓名张雪申请学位级别硕士专业材料物理与化学指导教师杜磊20090101摘要摘要...
年月日MOSFET的击穿特性的研究摘要:MOSEFT中产生击穿的机构有漏源击穿和栅绝缘层击穿。其中漏源击穿电压是由漏一衬底的PN结雪崩击穿电压与穿通电压两者中的较小者决定的...
【摘要】:本文用实验验证了栅控PN结击穿特性的效应.得到比较完整的实验曲线,并对此进行了分析.通过求介一个特定条件下的二维泊松方程,建立了完美的V_B～V_G特性的理论模型,求...
什么是PN结的击穿现象,击穿有哪两种。击穿是否意味着PN结坏了?为什么?点击查看答案进入题库练习您可能感兴趣的试卷你可能感兴趣的试题1怎样用万用表判断二极管...
【摘要】:PN结构成了几乎所有半导体功率器件的基础,其雪崩击穿电压直接决定了相关器件的工作电压范围。在实际制造中PN结的结面不是理想的平面,一般认为结面的曲率效应将导致...
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曲率效应对pn结击穿电压的有效作用-微电子学与固体电子学专业论文.docx,摘要摘要PN结构成了几乎所有半导体功率器件的基础,其雪崩击穿电压直接决定了相关器件的...
论文目录摘要第1-5页ABSTRACT第5-9页第一章绪论第9-19页·课题背景第9页·PN结的击穿第9-11页·PN结的击穿机理第9-10页·PN结耗尽区的理想电场分...
论文>毕业论文>2.6PN结的击穿与习题解答(精编)PNPN结的击穿结的击穿西南科技大学理学院西南科技大学理学院PNPN结的击穿结的击穿一、击穿现象一...
焦耳热产生的温度上升可导致熔化的金属膜晶体管的PN结尖峰长丝,PN结击穿.金属膜的熔化会导致开路.而PN结的击穿可以通过退化的电流-电压特性曲线观察到,这时的曲...