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摘要：利用PN结中P区和N区的耗尽层宽度的计算公式和图像法绘制出的耗尽层宽度和掺杂浓度之间的关系曲线,得出了掺杂浓度的变化对耗尽层宽度的影响,又利用PN结中内建电场与内建电势差的计算公式和热平衡时突变PN结的电场分布图,分析出PN结中掺杂浓度的变化对耗尽层中各处内建电场和内建电势...
掺杂浓度对于半导体器件的影响.导体中的掺杂物质对于半导体器件的影响我们都知道在实际应用中很少用到纯净的半导体材料,只有少数的公司(比如威盛公司)在做特定芯片的时候才会用到纯硅材料.更多的半导体材料因为本身的原因总是或多或少的存在着不同的杂质,有时为了制造器件的需要,还人为...
电场强度等于：掺杂浓度*宽度（e=nd*w）电势差等于：电场强度*宽度所以：电势差等于掺杂浓度*宽度的平方。产生的电势差一样时，高掺杂的掺杂浓度大，所以耗尽层宽度窄。我觉得也可以这么理解，高掺杂就好像我们加上了正向电压，正向电压会与内部接触电场相抵消，这也是正向导通的的...
2010-09-27PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄722013-05-21PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄112016-10-01PN结中,如果P区和N区的掺杂浓度不同,为什么掺杂浓度高的一...692008-11-22PN结与PIN结的区别892012-11-26为什么高掺杂的半导体耗尽层窄请详细说明谢谢…
PS：2020.03.04,天很冷，没有星。最近老有同学问我，为什么PN结的正向电流和载流子的浓度呈反比呢？不是说正向电流是多子电流吗？那我的载流子浓度越大，多子越多，不是电流越大吗？为啥从公式上看出来是越小呢…
为什么高掺杂的PN结空间电荷区窄?作者phyer_-.来源:小木虫3006帖子.+关注.扩散运动使空间电荷区加宽，高掺杂扩散运动不应该更严重吗？.不应该变宽吗？.老师一带而过也没讲清，还是求助各位！.！.返回小木虫查看更多.
关于PN结形成的详细理解，自我偏好理解。*PN结的形成*①首先，想象左边是在硅中掺杂三价元素形成P区，右边在是硅中掺杂五价元素形成N区。②其次P区的多数载流子是空穴，N区的多数载流子是自由电子。③这样掺杂后，由于浓度差的原因...
PN结物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体均有。电子线路1、PN结的形成...重掺杂PN结中，齐纳击穿主要的，击穿电压<6V。电子线路4、二极管的主要参数最大整流电流IF：最大平均值最大反向工作电压U...
利用PN结中P区和N区的耗尽层宽度的计算公式和图像法绘制出的耗尽层宽度和掺杂浓度之间的关系曲线,得出了掺杂浓度的变化对耗尽层宽度的影响,又利用PN结中内建电场与内建电势差的计算公式和热平衡时突变PN结的电场分布图...
为何掺杂浓度高的空间电荷区反而窄？.一个解释是：掺杂高的P区，较窄的区域就贡献足够的空穴，跟N区贡献出的电子相抵消.另一个解释是：P型半导体中所谓的空穴，其实是电中性的；N型半导体中的自由电子是从施主杂质那里跑出来的。.P型和N型紧密结合在...
PN结掺杂浓度对耗尽层宽度及内建电场和内建电势的影响[J].夏鹏昆,程齐家.大学物理.2015(06)夏鹏昆,程齐家.PN结掺杂浓度对耗尽层宽度及内建电场和内建电势的...
结掺杂浓度对耗尽层宽度及内建电场和内建电势的影响夏鹏昆,程齐家(南方科技大学电子与电气工程系,广东深圳518055)摘要:利用PN结中P区和N区的耗尽层宽度的计算公式和图像法...
这个结论每本书都有,举个例子,清华大学出版的《模拟电子技术基础》童诗白,这本书里就有这个结论,在第16页,掺杂浓度高的时候的反向击穿是齐纳击穿,其原因就是...
所以N区浓度提高肯定是影响P区的空穴，基本不影响或者说数量级上没有大变化，所以说N区电子浓度不变。
齐纳击穿一般发生在掺杂浓度较高的PN结中。这是因为掺杂浓度较高的PN结，空间电荷区的电荷密度很大，宽度...
不是，少数的掺杂浓度，才能增加导电性，叫做掺杂半导体，但是浓度不能太高 .new-pmd.c-abstractbr{display:none;}更多关于pn结中掺杂浓度影响论文的问题>>
那么,此时因为少子是半导体自身共价键本征激发所形成的载流子,与掺杂浓度无关,所以在掺杂浓度增大时,少子的数目是不变的,只有在原本没有增大浓度时形成PN结的区...
掺杂浓度大，也就是载流子浓度大，空间电荷区（也称耗尽区）相对就窄一些。反之，就宽一些。 .new-pmd.c-abstractbr{display:none;}更多关于pn结中掺杂浓度影响论文的问题>>
PN结的掺杂浓度越高，反向饱和电流I0就越大，反向击穿电压越低。 可以用一个三极管来测量一下：集电结...
这个能量差是一定的，与掺杂无关的（掺杂导致的是杂志带，在平时用的PN结材料中掺杂对导带和价带影响...