SEJOURNanuary,1998量子阱激光器增益和GaN阈值电流的理论计算(中国科学院上海光机所上海201800)提要根据现有的材料参数,计算了2Ga0.8N05Ga0.95N量子阱激光器的增益、阈值电流密度以及阈值与温度的关系。.理论分析表明氮化物蓝绿光激光器的阈值电流密度是GaA以上,但其特征温度可接近500关键词InGaN量子阱激光器,增益计算,阈值电流lN及其合金lGaN材料近两年...
中国电子学会!"J3SJ3S多量子阱电致发光谱中双峰起源的研究北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室!北京摘要研究了2,%53生长的具有双发射峰结构的´JWF(WF(多量子阱发光二极管"#发现了位于!_YZ>5的绿光发光峰和随着电流密度增加!双峰的峰位没有移动!直到注入电流密度达到!gP$#发现绿光发射对应的发光区包括絮状区域和发光点!而蓝光发射对应...
本科论文（设计）量子阱光谱探测器的设计与.量子阱光谱探测器主要可以对红外波段光谱进行探测，也可以称之为量子阱红外探测器（QWIP）相对于传统的HgCdTe的红外探测器，具有成本低、均匀性高、灵敏度高、功耗低、抗辐照的优势。.近年来，在军事方面、民用方面和工业等方面有着很广泛的应用，出现了许多夜视，目标分析，热效率分析、远程的温度...
所谓暗电流就是在黑暗中流经一个偏置的探测器的电流。经研究发现15】’当温度处在45K以上时，暗电流主要是由基态电子热激发到连续态所形成的。减小暗电流是QWIP商业上成功的关键，这样就能够允许探测器在高温环境下工作。
图量子阱电流捕获和产生示意图由于阱中基态的电子被激发后，基态会留下好多空的量子态，这会产生两个影响：(1)大的补偿-复合电流：被激发而输运走的电子必须要获得络绎不绝的补充，这依靠于前面阱中产生的光生载流子在流经这个阱区时被复合来进行
要根据流过电流电子科技大学成都学院本科毕业设计论文20的大小及性能要求，选择连线种类。要尽量减小布线长度，特别是减小细连线的长度。对于电源线和地线，必须保证足够的宽度，且应是网状或枝状布满整个芯片。
偏置电路用于设置集成运放各放大电路的静态工作点，集成运放多采用电流源电路为各级提供合适的静态工作电流，从而确定了合适的静态工作点。.Layout之前的准备工作1.先估算芯片面积：先分别计算各个电路模块的面积，然后再加上模块之间走线以及端口引出等的面积，即得到总的芯片面积。
因此为了进一步降低暗电流，提高探测率，1995年加州理工学院的Gunapala等人设计了基态为态，第一激发态为准态的量子阱结构。.通过改变阱宽、势垒宽度和高度，使第一激发态位于量子阱的顶部（图1.2.3）。.如图1.2.4所示，在B-CQWIP中，对热激发而言势垒高度比光激发低，因此热激发的噪声较大；而在B-DBQWIP中，热激发和光激发的势垒是一样大的，因此...
电流从左向右流动，在左边F1层中流动时电流会被自旋极化为自旋流，进而带有非零的角动量，这一自旋流的自旋极化方向与F1层磁化强度方向大体上一致。自旋流在流经中间非磁性的Cu层时仍保持自旋极化的状态并进一步到达右边的F2层。
的短路电流和74.07%的填充因子。而基于多量子阱薄膜的光伏器件的功率转换效率为13.81%，开路电压为1.12V,短路电流为18.43mAcm-2
为了检测潜在的电源缺陷,必须进行动态和静态测试。这里的简单电流阱可测试低到率电源和恒压源。在该应用中,在输入电压范围为0V～5V,电源电压最高为20V时,电流阱可吸收0A...
为了检测潜在的电源缺陷,必须进行动态和静态测试.这里的简单电流阱可测试低到率电源和恒压源.在该应用中,在输入电压范围为0V～5V,电源电压最高为20V时,电流...
本发明公开了一种基于多通道电流阱的脑深部靶向电刺激系统,包括逻辑控制单元,电源管理单元,多路电压源电路,多路电流源电路,多路电流阱电路,电荷平衡电路,电极配置电路,隔...
—恒定电流、压控电流、AC电流、大电流、小电流、有源电流源以及无源电流阱等。一篇博文不可能说清...
基准电压是指传感器置于0℃的温场(冰水混合物),在通以工作电流(100μA)的条件下,传感器上的电压值。实际上就是0点电压。其表示符号为V(0),该值出厂时标定,由于...
输出极的饱和特性如图9所示,在500mh以下,电流晶体管V。z。的饱和压降为l～2V,对于电流阱晶体管V。。。,当负载电流增大到大约1A以上时,由于缺乏足够的...
归纳提取出16个典型子需要电流阱7acsi8dcsi提供电流阱csicsi电路包括2个差分对子电路,3个输出子电路,3个电流源需要nmos需要pmos的栅9ang...
减小开关管MS的尺寸和增加存储管M1的尺寸能减小电荷注入效应,但这会降低电路的工作速度。ChristophEichenberger提出了通过增加一个哑晶体管来补偿电荷注入效应...
本发明公开了一种集成双极性神经刺激脉冲发生器,包括微处理器及其开关信号控制的基准微电流源,多档镜像微电流阱和多路多档镜像电流源,以及镜像微电流源,脉冲宽度调制(PWM)电...
由压控电流阱或电流预源与负载组成213.2CMOS差动放大器223.3版图对电路的影响—差分放大器CMOS集成运放的版图设计294.1设计指标和电路结构...294.2...