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近日，基础与前沿研究院2019级硕士研究生罗凌志在《Light:Science&Applications》上发表了题为“MXene-GaNvanderWaalsMetal-SemiconductorJunctionsforHighPerformanceMultipleQuantumWellPhotodetectors”的研究成果。.罗凌志为该论文第一作者，巫江教授为论文通讯作者，电子…
两篇论文分别是西安电子科技大学计算机学院计算机技术专业2011届硕士毕业生雷磊的《智能家居照明系统的设计与实现》（以下简称“雷磊论文”）和浙江大学控制科学与工程学院系统工程专业2006届硕士毕业生吴巍的《面向智能家居的照明系统研究与开发》（以下简称“吴巍论文”）。
电子科技大学回应：启动调查！.-面包板社区.两篇同年硕士论文高度雷同！.电子科技大学回应：启动调查！.设为“星标”，重磅干货，第一时间送达！.澎湃新闻（thepaper）近日接到网友反映称，电子科技大学电子与通信工程领域2007届毕业生贾桂林2007...
文收到多条网友报道：湖南大学信息科学与工程学院软件工程2018级毕业生侯伟硕士论文《企业协同办公系统的设计与实现》涉嫌抄袭电子科技大学光电科学与工程学院毕业生杨淑艳的论文《基于J2EE的企业协同办公系统的设计与实现》
分类号密级UDC注1毫米波GaN基HEMT小信号建模和参数提取题名和副题名尹成功作者姓名指导教师副教授电子科技大学成都姓名、职称、单位名称申请学位级别硕士学科专业微电子学与固体电子学提交论文日期20140329论文答辩日期2014...
西北农林科技大学：学位论文(2019.12)学位论文（2021.8）西安石油大学：论文(2018.6)西安电子科技大学：学位论文(2020.3)、beamer(2020.6)、实验报告(2020.10)西南交通大学：学位论文(2019.12)西南财经大学:本科、硕士论文和博士论文地址(2021年5月)
电子科技大学党委宣传部发来的邮件中写道，该校2005级硕士研究生贾桂林硕士学位论文涉嫌抄袭一事，经学校查证，抄袭事实成立，按照《电子科技大学研究生学位论文作假行为处理办法》的规定，2020年6月23日学校第十届学位评定委员会第四次全体会议
近日，航空航天学院李辉教授指导的2018级博士研究生董明海，以第一作者在电力电子领域国际顶级期刊《IEEETransactionsonPowerElectronics》发表题为《APost-ProcessingTechniqueBasedSwitchingLossEstimationMethodforGaNDevices...
2021信息与软件工程学院工程实践教育改革聘任通知03/29.关于2020年度考核优秀人员通知01/18.学院关于2020年度教职工考核工作的通知12/21.教育部高等教育司关于公布有关企业支持的产学合作协同育人项...10/23.电子科技大学信息与软件工程学院优秀院友推荐...
本文所研究的SAR图像生成算法,是基于GAN的强大的生成学习能力,本文研究了三种GAN算法进行SAR图像的生成,并研究了CGAN算法可控的生成SAR图像。论文主要内容概括如下:首先,本文...
《电子科技大学》2019年收藏|手机打开基于GAN的数据生成模型研究肖睿【摘要】:数据是信息社会的基础,目前数据产品的生产依然高度依赖人工要素,导致成本高昂且效率低下...
本论文从超宽带功率放大器的设计理论出发,深入探索了宽带功放的匹配网络设计方法,并使用CREE公司CGH40010F晶体管设计了三种超宽带功率放大器,这些宽带功放的工作效率都大于50...
10谢刚;高压AlGaN/GaNHEMTs的新结构与场优化技术[D];电子科技大学;2012年中国硕士学位论文全文数据库前10条1刘杰;一种GaN基场控能带新器件设计与工艺研究[D];电子科...
【摘要】:随着对雷达和通信系统等的多功能﹑快速反应﹑抗电子干扰﹑高可靠和机动性的进一步要求,小型化、高性能的功率放大器成为目前的研究趋势。以GaN为代表的第三代半导体...
因此,在高压高效的应用中耗尽型GaN器件被认为更具吸引力,本文基于耗尽型GaN器件,与传统的Cascode-drive驱动耗尽型器件方案对比,提出一种被称为Direct-drive的驱动方案。对于...
本工作着重解决传统硅基AlGaN/GaN异质结整流二极管开启电压高而反向耐压能力不足的问题,运用常规势垒晶圆片出的新型横向功率整流器,性能出色,实测开启电压0.3V,比传统SB...
首先,本论文从功率半导体器件理论角度入手,对GaN器件的物理特性进行深入研究,通过主要性能参数及其影响因素的对比,对GaN功率器件相比于传统Si器件应用于开关电源的优缺点进行...
【摘要】:GaN作为第三代宽禁带半导体材料的代表,以其禁带宽度大、电子饱和速率高、耐高温、抗辐照等特点成为研究的热点,尤其是在高温、大功率、微波领域有着很大的应用前景。...
第三代半导体材料GaNHEMT具有功率密度大、击穿电压高、电子饱和漂移速度高等特点,因此非常适合应用在高效率电子器件中。本文首先简要的介绍了GaNHEMT器件和功率放大器的设...