当前位置：学术参考网 > 电子物理基础论文半导体
半导体基础论文概述.doc,课程：半导体物理基础院系：物理与机电工程班级：11物理学（光电子技术）学号：2011042527姓名：徐展半导体硅材料和光电子材料的发展现状及趋势摘要：本文介绍了半导体硅材料和光电子材料的发展现状及未来发展...
图片1.3：金属、半导体和绝缘体之间的能隙比较。E_F（Fermi能）。图片1.3中的红色部分为价带，自由电子不可在价带中运动。白色部分为导带，自由电子通过跃迁进入导带之后便可以使半导体导电。
由于载流子在超晶格微结构半导体中的特殊运动，使得其出现许多新的物理特性并以此开发了新一代半导体技术。论文发表。当前，对超晶格微结构半导体材料的研究和应用依然在研究之中，它的发展将不断推动许多领域的提高和进步。
1）半导体物理基础-黄昆韩汝琦。这本书篇幅不大，语言浅显，强调物理图象和实际应用，很适合固体物理基础比较薄弱的读者，但是存在部分印刷错误，科学出版社最新的再版也没有更正，另外，与器件相关的部分内容比较陈旧。2）半导体物理学-叶良修。
电子学笔记——半导体物理基础（二）.我们可以借助Schrödinger方程来描述电子：.其中：为Hamilton算符，为电子能量，为波函数。.但是通过Schroedinger方程来描述电子是很困难的，尤其是在描述多个电子的时候，因为这时候要考虑各个电子之…
基础和核心知识点总结《微电子器件》学习的主要内容有三个：PN结、双极结型晶体管（BJT）、绝缘栅型场效应管（MOSFET）。半导体物理基础及基本方程本章关键在于复习上学期学习的半导体物理中几个非常重要的公式。泊松方程：电流输运方程：...
一种被称为“超注入”的物理效应构成了现代发光二极管(led)和激光的基础。几十年来，人们认为这种效应只发生在半导体异质结构中，即由两种或两种以上半导体材料组成的结构。莫斯科物理与技术研究所的研究人员发现，在由单一材料构成的均质结构中，可能存在超注入现象。