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传统上，通过化学办法分别向p型和n型半导体掺杂，即可形成连续的同质结。进一步研究表明，在n型半导体上外延生长p型半导体上可构建性能优异的异质结。然而，对于后者，为保证高质量的p-n结界，两种材料的晶格参数必须匹配。这种材料限制…
半导体根据掺杂分为p型与n型（也就是费米能级的位置），形成异质结后，若左边费米能级高于右边，电子将从左边流向右边，形成内建电场，与np异质结整流特性一致；反之，即与pn异质结一致。至于各自是p型或是n型，且导带、价带相互位置，影响的是能带
使用正交溶剂可以很方便的p型和n型材料双层异质结，基态电荷转移为P型和N型导电聚合物注入了能够自由移动的电子和空穴，形成了积累型的p-n异质结。测试得到在约2nm的界面处，p-n双层异质结的电导率高达2Scm...
作者：X-MOL2019-06-19近年来，p-n异型异质结的研究比较广泛，但相对这一异质结的同型异质结（n-n型和p-p型）研究较少。经过不断尝试，渤海大学化学化工学院常春课题组利用简单、低成本的溶剂热法+高温煅烧法原位了碘氧化铋基n-n同型异质结光催化剂（Bi7O9I3/Bi5O7I），并将…
文献解说《CdS/CsPbBr3异质结中的激子光伏效应》.2020年9月，华中科技大学翟天佑教授课题组发表在AFM上的一篇文章“ExcellentExcitonicPhotovoltaicEffectin2DCsPbBr3/CdSHeterostructures”，其中的激子光伏效应很有意思。.在介绍激子光…
受到n型氧化亚铜材料难以的限制,主要的研究工作聚焦在p型氧化亚铜与其它n型半导体材料所组成的异质结结构器件上。.但该体系中仍存在很多不足需要改进,本论文从不同的角度对氧化亚铜光-电、光-电化学器件进行了研究。.本论文以氧化亚铜为主要研究...
5.p型金刚石与n型ZnO复合异质结器件是一种理想的电注入器件,同时金刚石的高热导率可以为解决ZnO等宽禁带半导体的自加热问题提供一种可行的解决方法。但在金刚石薄膜生长过程中,氢等离子体会对ZnO基底产生极强的刻蚀作用。
引入n型掺杂剂Sb元素后，在保证钙钛矿薄膜高覆盖率的前提下可以连续调节钙钛矿的载流子类型、浓度和传输特性，由此使得掺杂的钙钛矿前后表面同时分别与FTO和spiro-MeOTAD形成高效整流型肖特基和p-n异质结界面。
图(a)、(b)、(c)分别表示形成异质结前n型和p型材料,n型和n型材料及p型和p型三对材料的能带图。试画出形成异质结后对应异质结的能带结构。
摘要:本文在好的n型ZnO纳米棒/p型金刚石异质结的基础上,对其进行伏安特性测试。主要研究了n型ZnO纳米棒/p型金刚石异质结整流特性曲线随温度的变化关系,...
首页会员发现等你来答登录p型半导体和n型半导体能否构成Z型异质结?关注问题写回答登录半导体微电子芯片设计半导体产业半导体行业p型半导体和n型半导体能否构成Z型...
本发明提供了一种p型二氧化钛/n型三氧化钨异质结催化剂、其方法及其在光化学中的应用,涉及催化技术领域,p型TiO2/n型WO3异质结催化剂包括:p型TiO2,以...
其中通过对半导体材料的p型和n型掺杂以形成的p-n结是许多器件的核心结构之一。然而,由于p型GaN空穴浓度低,电子迁移率小,低效率的GaN的PN结也成为阻碍这些器件的...
本课题定位于在p型衬底上n型半导体薄膜,并构成氧化锌异质p-n结。本文采用溶胶-凝胶法,通过掺杂Al元素n型ZnO薄膜,使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、四探针测试仪等...
其中通过对半导体材料的p型和n型掺杂以形成的p-n结是许多器件的核心结构之一。然而,由于p型GaN空穴浓度低,电子迁移率小,低效率的GaN的PN结也成为阻碍这些器件的...