对于Si或者SiC二极管，不管Rgate值如何变化，Eoff的值都不会变化，但是当使用SiC二极管时，其他的两个功率损耗分量会因Rgate值的变化而发生变化。对于任何Rgate值，二极管反向恢复损耗Err实际上已经几乎减小到0（94%）。
碳化硅半导体的介绍及发展前景.ppt.介绍碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成。.碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。.碳化硅又称碳硅石。.在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛...
越战时期美国国内的和平反战运动-研究.pdf,AbsU’acttotheof1970s，Americamid～1960sFromthebeginningmostwastheandthewarwhichlongesttheVietnamwagedonhadeffectAmerica．Itintheofgreatconsumedhistorytheandaffairsthemilitary
日本生食文化及其成因研究-日语毕业论文.doc2021年新安全生产法试题库及答案.doc主食业主要营销模式特点和案例介绍(下).doc主食业主要营销模式特点和案例介绍(中).doc抵御和防范非法宗教向校园渗透班会主题.pptx
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为了避免这种情况,提高ESD器件防护能力,可在NMOS栅极和地之间加一个电阻Rgate(图7)。由于栅漏间寄生电容的存在,ESD瞬态正电压加在PAD上时,图7中NMOS上的栅极也会耦合一个瞬态正电压,因此NMOS上的每一个“手指”会一齐导通,不用到达Vt1就能进入寄生横向晶体管骤回崩溃区(snapbackregion)。
2013年3月25日第30卷第2期TelecomPowerTechnologyMar．25，2013，Vol．30No．2收稿日期：2012－11－10作者简介：包尔恒（1971－），男，甘肃定西人，工程师，硕士，主要从事通信电源的研发工作。文章编号：1009－3664（2013）02－0034－04设计应用MOSFET驱动电路分析与设计包尔恒（深圳麦格米特电气股份有限公司...
第3卷第3期1993年6月《徽电子学》Mroelectro~c．sVo1．3．N3Jun．1993简单的晶闸管PSPICE模型张红庆路松峰———一———华中理工大学．湖北武汉．430074摘的简单计算机模型，对晶问管的太多数特性进行了模拟，论述jC149M1OSCR的具体
文中介绍了驱动电流、驱动功耗的计算方法;分析了MOSFET开关过程中电流电压的变化规律;最后对常用的驱动电路解决方案及其优缺点、设计中需要注意的问题等进行了分析总结。根据MOSFET门级驱动电路的特点及设计过程中需要考虑的影响因素,为可靠、高性能的MOSFET应用设计提供参考。
再谈图腾柱驱动电路之一、之二、之三汇总再谈图腾柱驱动电路之一、之二、之三汇总（注：根据davida的建议，觉得还是把这个三个帖子综合起来跟方便大家探讨。）一、驱动电路之一由于本人最近接触才saber，能力有限，本想，但实在是由于有关saber的基础东西还很多不会呢，所以只…
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[2]FENGJ,HEZ,ENY,etal.TheESDbehaviorofenhancementGaNHEMTpowerdevicewithp-GaNgatestructure[C].IEEEInternationalPowerElectronicsandApplicationConfere...
邮件到你的邮箱提醒,对于想要做essay文献综述、对寻找大量相关学术论文的学生相当给力哦!ResearchGatehttps://researchgate.netResearchGate号称学术...
ResearchGate号称是学术界的Facebook。在这个平台上你可以和其他研究者互动交流,发表自己的观点,提出自己的话题,创建讨论问题,甚至可以看见来自世界各地的不同领域的学者交流讨论,...
标签:学术交流,ResearchGate,国外科研网站我来推荐一个国外科研人员交流的好网站吧,叫RsearchGATE.先看一下网站自己的介绍:ResearchGATEistheleadingpr...
4人赞同了该文章“逻辑不对”“结构错误”“与选题无关”“格式混乱”当听到导师“噼里啪啦”一整套说辞下来之后...7.ResearchGatehttps://researchgate.net/ResearchGate...
如果只是单纯的看学术水平，文章量和被引指数也可以说明一定的问题，当然也要看是否全是由ｒｅｖｉｅｗ...
ResearchGATE提供的应用程序随时随地毫无时空的可以分享文件,资料等。在2009年ResearchGATE踏出了开放存取的第一步。藉由本站的开放存取自存档功能科研人员可以上载自己写作的论文以...
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