第10卷第4期Vol.10No.42017年2月February2017沟槽MOS势垒肖特基二极管器件刻蚀工艺优化研究徐晨余*（上海交通大学微电子学院，上海200240）摘要：主要阐述了沟槽MOS势垒肖特基（trenchMOSbarrierSchottky，TMBS）二极
上海交通大学硕士学位论文基于射频CMOS工艺的肖特基二极管建模和特性研究姓名：王楠申请学位级别：硕士专业：微电子与固体电子学指导教师：汪辉20081201上海交通大学工学硕士学位论文摘要随着射频无线通讯产业的快速发展，人们对高性能低成本射频设计方案的需求也在飞速增长。
东南大学硕士学位论文砷化镓PIN二极管工艺研究姓名：杨立杰申请学位级别：硕士专业：电子与信息工程领域指导教师：黄庆安;陈堂胜20070420在大功率发射的电子系统中，为了防止高灵敏接收机前置低噪声放大器（LNA）被发射的泄漏功率烧毁，需要在前置低...
CMOS图像传感器的失效分析及工艺改进FailureAnalysisProcessOptimizationCMOSImageSensor指导教师：毛陆虹教授企业导师：阎高级工程师天津大学电子信息学院二零一四年十二月独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作和取得的研究...
PN结二极管工艺流程图.ppt,PN结二极管的主要内容：PN结二极管的（0）准备p-Si1、单晶硅片2、硅片表面的化学清洗PN结二极管的(1)氧化问题：1、为什么要双面氧化？2、氧化层的厚度需要大于设计的厚度，为什么？PN结...
本论文致力于研究在CMOS工艺下的高性能ESD防护器件及全芯片防护设计，主要对SCR器件和电源轨间线间的ESD箝位电路进行优化设计，并将改进后的器件应用到某数据接口芯片的全芯片ESD防护网络中。论文主要工作分为两大板块：（1）对常规...
本科毕业设计（论文）LED芯片封装设计与制作—LED工艺的研究电子科学与技术（光电子技术、微电子技术方向）年级班别20073107009274学生姓名本文大致可划分为四大部分。
1、简述稳压二极管，英文名称Zenerdiode，又叫齐纳二极管。利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电…
论文在理解业界通用I／O电路设计标准以及二极管、MOSFET、SCR等基本ESD防护单元工作原理的基础上，设计了典型工艺下的I／O电路以及ESD防护方案，包括：高压0．5umBipolar－CMOS．DMOS（BCD）工艺下的
工厂布局规划管理是工厂生产过程组织的一项先行工作。布局合理与否，往往很大程度上事先就决定生产效率的高低。1、工厂布局设计的要求工厂布局的内容包括工厂总体平面布置（解决工厂各个组成部分，包括生产车间…
二极管伏安特性曲线实验的改进中文摘要本文指出了电子技术实验教材中所给出的测量二极管正向特性曲线的伏安法和二极管特曲线之间所存在的问题,并提出了更合理...
二极管伏安特性曲线实验的改进毕业论文.doc,PAGEPAGE1二极管伏安特性曲线实验的改进中文摘要本文指出了电子技术实验教材中所给出的测量二极管正向特性曲...
图8焊接炉3.1.2焊接生产工艺工具的选择毕业论文在生产每一种二极管时根据所生产的二极管与之对应的工具的型号都有相应的规定,如1N4007二极管,它所对应...
内容提示:Science&TechnologyVision科技视界科技·探索·争鸣极管的工艺设计理论赵永红(哈尔滨工大华生电子有限公司,黑龙江哈尔滨15008...
复位FPGA工艺改进故障树异常为研究接口模块复位异常导致系统无法启动故障,通过复位机理分析,建立复位二极管断裂故障树,分析故障原因并对分析结果进行试验和故障复现.结果表明...
二极管伏安特性曲线实验的改进二极管伏安特性曲线实验的改进中文摘要本文指出了电子技术实验教材中所给出的测量二极管正向特性曲线的伏安法和二极管特曲线之...
二极管伏安特性曲线实验的改进毕业论文搜索二伏摘材测二伏二,。伏测二伏讨析。二,,测,。。键:二;伏;伏;;摘...1...11.二...2二...32.1...32.2...42.3...4...
1.2本论文要达到的目的本论文是由于跟工作相关而写,在工作的过程中了解到二极管种类繁多,形状各异,最普通的二极管便是两端是铜引线,中间是硅片,外观用黑胶封装...
下载所得到的文件列表二极管伏安特性曲线实验的改进毕业论文.doc文档介绍:1二极管伏安特性曲线实验的改进中文摘要本文指出了电子技术实验教材中所给出的测...
10孙鹏飞;胡钦高;邓锋;李宁家;;现代快恢复二极管设计方法的研究[J];电子设计工程;2013年09期中国硕士学位论文全文数据库前4条1张晓勇;50A/1200VMPS二极管的设计与工艺...