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二维层状原子晶体材料的物理性能，如带隙等，随厚度减小而变化，在光子和光电子器件的应用中具有广阔的前景。光电探测器作为重要的光电应用单元器件，引起了广泛的研究兴趣，近年来基于二维原子晶体材料的光电晶体管成为最主要的关注对象。
光电探测器作为重要的光电应用单元器件，引发学界广泛关注，近年来基于二维原子晶体材料的光电晶体管成为最主要的关注对象之一。除半金属的石墨烯之外，半导体二维原子晶体材料（如过渡金属硫属化合物、II-VI族、Ⅲ-VI族层状半导体等）是光电探测器沟道材料的优良候选者。
基于二维层状半导体的偏振光探测器.报告摘要：近年来，二维材料由于其独特的光电性能而受到了广泛的关注。.相比于零带隙的石墨烯，二维半导体材料如MoS2，WSe2等具有一定宽度的带隙，使其可以广泛应用于各种光电器件（包括存储器、探测器和晶体管等...
本文主要基于石墨烯和二硫化钼的特殊物理,研究其与砷化镓形成的异质结在光电探测器和太阳能电池方面的应用,具体做了以下几点研究：1、通过微机械剥离法和化学气相淀积法大面积单层石墨烯和二硫化钼,并利用微纳工艺二维原子材料与半导体器件。
二维异质结构建技术是其器件测试以及基础性能探索的基石。从层面深刻理解二维范德华异质结构建的关键要素（自由度）以及可能的有效调控策略对于二维原子晶体结构的精确和高性能功能器件的实现至关重要。
带隙二维半导体在宽波段光电探测中有良好的应用前景,然而器件性能通常受到高暗电流的限制.东南大学倪振华教授团队在论文“Bi2O2Se/BPvanderWaalsheterojunctionforhighperformancebroadbandphotodetector”中将黑磷(BP)和硒氧化铋(Bi2O2Se)两种窄带隙二维半导体构建范德华异质结,实现了高性能光电探测器.
二维材料是指仅有原子层厚度的晶体，例如石墨烯（Graphene)、单层过渡金属硫化物（Transitionmetaldichalcogenides:TMDCs)：二硫化钼、二硫化钨等。和传统的材料相比，二维材料独特的能带结构和单层或少层原子厚度特征而具有丰富的电学、光学、力学和热学性能，在光电子学领域具有重要的应用。
材料人邀请专栏科技顾问推出经典综述鉴赏专栏，不定期推出各领域经典综述，欢迎关注！自2004年单层石墨烯被发现以来，以其为代表的各类二维原子晶体材料由于具有丰富多样的物理、化学性质，并且在电子器件、光电器件、催化和能源领域表现出广阔的应用前景而受到研究人员的广泛关注。
二维材料的电子器件：从原子晶体到分子晶体.以石墨烯、硫化钼为代表的二维材料具有高迁移率等优异的物理性质，可以实现高性能的电子与光电器件，是未来电子学的重要发展方向。.在这个报告中，我将介绍我们研究组在二维原子晶体和分子晶体的...
二维原子晶体例如过渡金属硫族化物（TMDCs）由于其独特的光学和电学特性，近年来受到了广泛关注。TMDCs具有1T、2H以及3R等多种晶体相，由于其不同的堆垛结构和层间相互作用，分别在储氢催化、光电器件应用以及非线性光学等方向有广泛应用。