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3二维二硒化钨场效应晶体管电学性质的研究第37-44页3.1场效应晶体管简介第37-40页3.1.1场效应晶体管的结构第37-38页3.1.2场效应晶体管的工作原理第38-39页3.1.3场效应晶体管的性能参数第39-40页3.2二维二硒化钨
魏大程介绍说，共形六方氮化硼修饰后，二硒化钨场效应晶体管器件迁移率从2~21平方厘米每伏秒提高到56~121平方厘米每伏秒；界面热阻（WSe2/h-BN/SiO2）低于4.2×10-8平方米开尔文每瓦，比没有修饰的界面（WSe2/SiO2）降低了4.55×10-8平方
二维二硒化钨光电性能的研究.刘安琪.【摘要】：过渡金属二硫化物具有类似石墨烯的优异电学、光学性能,对其进行基础性能研究,为这类材料在诸多领域的应用奠定基础。.WSe2是一种典型的过渡金属二硫化物,本文以探究WSe2光电性能为目的,围绕WSe2二维材料的...
最后，对二硒化钨的后续及柔性电子应用，以及其在能谷电子学和自旋电子学等方向的潜力，做出了展望。3.图文导读图1WSe2的结构、性质和应用。介绍了基本设备，包括光电探测器、气体传感器和场效应晶体管。
二维二硒化钨光电性能的研究-过渡金属二硫化物具有类似石墨烯的优异电学、光学性能,对其进行基础性能研究,为这类材料在诸多领域的应用奠定基础。WSe2是一种典型的过渡金属二硫化物,本文以探究WSe2光电性能为目的,围绕WSe2二...
6月29日，南京大学物理学院教授缪峰团队在《自然—电子学》上发表文章，介绍其在可重构电子技术领域取得的重要进展。缪峰告诉《中国科学报》，他们利用二维层状半导体材料二硒化钨的双极性场效应特性和可变的漏端电压极性，设计出电场可调的二维同质结器件，从而在器件层面实现“可...
单层二硒化钨及其合金的与器件的研究-材料物理与化学专业论文.pdf.docx,万方数据万方数据摘要摘要摘要摘要具有优异的电子和光学性质的二维层状半导体材料为原子层厚度的电子器件和光电子器件的应用打开了一扇大门。单层的过渡金属硫属化物，例如MoS2，WS2，MoSe2和WSe2由于其…
缪峰告诉《中国科学报》，他们利用二维层状半导体材料二硒化钨的双极性场效应特性和可变的漏端电压极性，设计出电场可调的二维同质结器件...
研究团队利用二维层状半导体材料二硒化钨的双极性场效应特性和可变的漏端电压极性，设计出一种具有分立栅结构的电场可调的二维同质结器件，该可调同质结器件（ETH）总共会表现出23种电流开关状态，实现包括P型场效应晶体管、N型场效应晶体管、正
研究团队利用二维层状半导体材料二硒化钨的双极性场效应特性和可变的漏端电压极性，设计出一种具有分立栅结构的电场可调的二维同质结器件，该可调同质结器件（ETH）总共会表现出23种电流开关状态，实现包括P型场…