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本论文是电气自动化论文，笔者采用氧化物对二氧化锡基纳米材料进行掺杂，并研究其对油中溶解气体H2和CO的检测特性。
基于此,本论文的研究工作是利用热蒸发法铈和银掺杂的二氧化锡纳米带,设计制作单根铈和银掺杂的二氧化锡单根纳米带器件,并系统研究其气敏特性,发展对乙醇等特种挥发性物质高响应、高灵敏度的气敏器件,提升对特殊气体的探测、监测能力。
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银掺杂二氧化锡纳米线的及其光学性能研究.【摘要】：二氧化锡(SnO2)是一种宽带隙(Eg=3.62eV)n型半导体,在晶体管、光电转换器件和气敏传感器等领域具有重要的应用。.掺杂后的二氧化锡将具有更高的可见透射率、红外反射率和紫外吸收率。.论文选用具有...
掺铟二氧化锡薄膜（ITO）的及其性质研究.【摘要】：二氧化锡(SnO2)作为一种典型的n型且有较宽的直接带系的宽禁带金属氧化物半导体材料(Eg=3.6eV),具有稳定的物理化学性质,例如较好的导电性能、光学性能、热稳定性和抗腐蚀性,因此SnO2已被广泛应用于气...
在氧化的过程中掺杂,能使F原子更容易取代0原子,在较低温度(400℃)下得到了低电阻的掺氟二氧化锡(FTO)纳米颗粒,生产工艺简单,值得大力推广。用X射线衍射分析(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能量散射分析(EDS)和压片测电阻来对FTO纳米粉进行表征。
因此，本论文有助于合理设计高效稳定的SPE关键词：电解制氢；PEM电解池；析氧电极；氧化铱；二氧化锡；氧化钌工程硕士学位论文IIIAbstractsolidpolymerelectrolysis,whichmainlybasedprotonexchangemembrane(PEM),hashighefficiency,high
二氧化锡光学、气敏和磁学性质的研究.【摘要】：宽禁带半导体材料二氧化锡(SnO2),带宽高达3.6-3.8eV,四方晶系,金红石相结构,具有优异的光学、电学性能,在光学元件,光电转换,太阳能电池,气敏传感器领域都有非常广泛的应该用,在半导体材料中占据着非常重要的...
本文关键词：二氧化锡掺杂碳纳米管电极及应用更多相关文章：二氧化锡碳纳米管微生物电池【摘要】：采用化学气相沉积法,在碳毡基体上碳纳米管,将二氧化锡(SnO_2)溶胶负载在碳纳米管表面,然后煅烧处理,碳毡基载SnO_2掺杂碳纳米管复合电极,用扫描电镜(SEM)、X-射线衍…
一种氮掺杂碳/二氧化锡柔性复合薄膜及其方法和应用与流程
本文主要介绍了掺杂二氧化锡在气体传感器、化工催化、电池电极材料、涂料、压敏材料以及有机废水处理中的应用研究进展,总结了掺杂二氧化锡在不同领域应用的特...
金属掺杂对二氧化锡纳米结构和气敏性能的影响_电子/电路_工程科技_专业资料。二氧化锡是一种重要的n型直接带隙宽禁带氧化物半导体,室温下直接带隙宽度为3.6eV,激子能高...
F掺杂二氧化锡导电薄膜的及机理研究.doc,摘要本文以SnCl2·2H2O、NH4F为原料,采用溶胶-凝胶法FTO透明导电薄膜。通过对薄膜的各种工艺参数包括FTO...
室温直流磁控溅射沉积锑掺杂二氧化锡薄膜的和性质,万磊,胡可,本文用直流磁控溅射法在室温下了锑掺杂二氧化锡薄膜。X射线衍射谱表明薄膜由平均尺寸小于1...
氧化物掺杂二氧化锡基气体传感器的气体检测特性研究重庆大学硕士学位论文学术学位学生姓名电气工程学科门类重庆大学电气工程学院二O一四年四月StudyGas...
8郁卫飞;黄辉;聂福德;张启荣;李海波;李金山;;纳米复合含能材料研究[A];科技、工程与经济社会协调发展——中国科协第五届青年学术年会论文集[C];2004年9魏辉;汪尔康;;三联吡...
【摘要】:二氧化锡(SnO_2)是一种金红石结构的n型半导体材料,其晶体结构比较稳定,耐腐蚀性良好,具有较高的熔点,并且在掺杂后有较低的电阻率和良好烧结性能等优点,在光学、电极...
龙源期刊网qikan掺杂二氧化锡材料光电性能改性的研究作者:贾姝娟顾春禄来源:《中国科技博览》2013年第25期[摘要]二氧化锡材料以其宽带隙(3.6eV)...
RESS2010年第29卷第12期掺杂二氧化锡的应用研究进展李振昊,李文乐,孔繁华,阎立军,任春晓(中国石油天然气股份有限公司北京石油化工研究院,北京100195)摘要:二氧...
本论文采用简单的水热技术并辅以煅烧的方法了不同形貌结构的SnO_2气敏材料。为了提高SnO_2气敏性能,对这些材料通过金属元素掺杂、贵金属负载等方式以此提高气敏性能,...