基于标准cmos工艺的非易失性存储器的研究.浙江大学硕士学位论文第一章绪论Flash、EPROM、EEPROM共同的特点是，～般都有一层浮栅，通过改变浮栅上的电荷量来控制阈值电压。.由于浮栅由一层绝缘的Si02包围，电荷很难从浮栅中逃出，所以即使掉电后，器件的...
基于NOR的非易失性存储器的设计毕业设计论文.doc,摘要基于浮栅概念的闪存由于其小的单元尺寸和良好的工作性能已经成为最通用的非易失性存储器。本文着重介绍了基于NOR的非易失性存储器的设计，分析了基于NOR的非易失存储器的工作原理和应用前景；设计了一个64位的该寄存器的电路图和…
SONOS结构非易失性存储器性能研究.【摘要】：SONOS存储器具有单元尺寸小、操作电压低、与CMOS丁艺兼容等特点,SONOS技术的不断改进推动了半导体存储器向微型化、高性能、大容量、低成本等方向发展。.然而,特征尺寸不断缩小、使用环境需求的不断扩大对SONOS...
1.本发明有关一种非易失性存储器装置的驱动方法，尤指一种能减小突波电流的非易失性存储器装置及其驱动方法。背景技术：2.nand闪存广泛地应用于固态硬盘、移动装置与掌上型游戏机，其具有抗震与传输速度高等等优点。nand闪存的物理结构依据储存容量由大至小可阶层式地区分为存储芯…
因此，开发新型非易失性器件，采用非冯·诺依曼结构，实现运算器和存储器合二为一（logicinmemory），是未来发展高性能、低功耗、即开即用型...
一非易失存储介质的机遇和挑战.1.1机遇（这部分就直接贴我的毕业论文）.近年来数据密集型应用发展迅速，其密集的I/O访问给页缓存系统造成了很大压力，内存系统需要提供足够的页面缓存空间来保证应用的服务质量，仅仅通过优化缓存替换算法已经不...
NVM特性NonVolatileMemory，非易失存储器，具有非易失、按字节存取、存储密度高、低能耗、读写性能接近DRAM，但读写速度不对称，读远快于写，寿命有限（需要像ssd一样考虑磨损均衡）。当电流关掉后,所存储的数据不会消失的计算机存储器。
若数据需要长期保存，则必须存储在非易失性的存储器里面。易失性存储器在掉点之后数据无法保存，将会丢失，而非易失性存储器在掉电之后仍然可以保存资料。SRAM：中文名为静态随机访问存储器，不需要进行刷新操作，只要不掉电数据就不会丢失。
编辑推荐：本文报道了一种新颖的二硫化钼非易失性存储器，它结合纳米石墨烯作为浮栅，在不施加额外栅电压的情况下，通过机械和光学激励实现多级存储状态触发。该器件为未来集传感和存储于一体的人机交互系统的发展…
非易失性存储器技术是在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的时候数据不会丢失的技术。非易失性存储器技术得到了快速发展，非易失性存储器主要分为块寻址和字节寻址两类。在很多的存储系统的写操作程序中，…