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SiC作为新一代半导体，应用前景宽广，其表面氢钝化工艺意义重大，近年来以引起国内外学者的普遍关注。1．2国内外发展现状及趋势在过去的20年中，国内外学者在SiC氢钝化方面做了大量的研究工作【引，本文经总结将钝化技术分为三类。
SiC探测器可以探测发热物体背景下的紫外信号，用6H-SiC研制的探测器的暗电流小于1Am-2，探测效率达到0.01-0.1fWHz1/2，入射光功率达到100kW/m特种半导体器件(SiC器件及MRAM)的研究已报道的最好的SiC功率MOSFET器件的性能数据器件阻断
SiC半导体表面处理技术研究.王海波.【摘要】：氢钝化技术是利用氢原子终结表面悬挂键的一种技术。.半导体经氢钝化处理后可以获得干净、平整、抗氧化能力强的表面，有利于高性能的MOS结构和欧姆接触。.由于SiC表面存在极性键，传统的湿法氢钝化...
SiC功率器件建模技术研究.【摘要】：随着第三代宽禁带半导体材料的深入研究和发展,碳化硅的各项优良性能得以发掘。.碳化硅功率器件,主要包括SiCJBS,SiCMOSFET等,相较于传统硅基器件具有更高的耐压等级,更高的工作温度以及更快的开关频率和更小的功率损耗...
SiC是一种宽禁带半导体，据称有200多种polytypes。其禁带宽度根据polytype的不同，可以从～2.4变化到～3.3eV。它的应用范围很广，比如高功率和高温半导体元件，微波器件，短波长发光元件…
国内碳化硅半导体领域科研专家盘点.导读：仪器信息网分析和统计了2018-2020年，三年来的碳化硅相关的学位论文，共计232篇。.第三代半导体材料又被称之为宽禁带半导体材料。.主要包括碳化硅（SiC）、氮化嫁（GaN）、金刚石等。.目前其主要在半导体照明...
我国SiC外延材料研发工作开发于“九五计划”，材料生长技术及器件研究均取得较大进展。主要研究单位有中科院半导体研究所、中电集团13所和55所、西安电子科技大学等，产业化公司主要是东莞天域和厦门瀚天天成[7]。
半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）推荐引用方式GB/T7714王晓峰.GaAs光阴极材料及SiC/SOI材料的生长与性能的研究[D].北京.中国科学院半导体研究所.2005.
引人注目的SiC材料、器件和市场,MESFET,SIC,晶体管,肖特基二极管,SiC。半导体器件的基础是高性能的材料。1950年代的晶体管主要采用Ge,随后转用Si;1960年代集成电路在直径2英寸的Si...
1.3.2尖晶石相氧化物半导体性质的研究现状第30-32页1.3.3含铁尖晶石相氧化物应用于侧向光伏效应研究中的优势第32-33页1.4本论文的主要研究内容第33-35页第2章尖晶石相半金属Fe3O4的外延生长及其侧向光伏性质的研究第35-67页2.1
[摘要]第三代半导体材料碳化硅(SiC)因其禁带宽度大、热稳定性强、热导率高、抗辐射能力强等优点,以耐高温、高压、高频著称,在功率半导体领域有着广泛的应用前景而成为半导体材料的技术研...
拥有美国和国际发明专利40多项,中国发明专利10多项,发表100余篇学术论文,是IEEE功率器件与电路技术委员会委员,功率半导体器件与电路国际会议(ISPSD)和SiC材料与...
内容提示:半导体SiC材料研究进展及其应用王辉琚伟伟刘香茹陈庆东河南洛阳尤景汉巩晓阳471003)(河南科技大学高新技术摘要:作为弟三代的丰导体材料,sic具...
SiC(碳化硅)作为第三代半导体,以耐高压、高温和高频,在高性能功率半导体上显出优势。据SiC厂商罗姆基于IHS的调查显示,2025年整个市场规模将达到约23亿美元。在应用中,在光伏和服务器...
大连理工大学硕士学位论文SiC半导体表面处理技术研究姓名:王海波申请学位级别:硕士专业:物理电子学指导教师:王德君20071220大连理工大学硕士学位论文氢...
论文查重开题分析单篇购买文献互助用户中心日本的SiC半导体研究信息来自维普期刊专业版喜欢0阅读量:23作者:吴琪乐展开摘要:SiC是一种...
1.5本论文主要研究内容第22-25页第2章4H-SiC肖特基像素探测器的设计和第25-37页...2.24H-SiC肖特基像素探测器的结构设计第27-32页2.2.1金属-半导体接触理论第...
导读:仪器信息网分析和统计了2018-2020年,三年来的碳化硅相关的学位论文,共计232篇。第三代半导体材料又被称之为宽禁带半导体材料。主要包括碳化硅(SiC)、氮化嫁(GaN)、金刚石等。...
2013年9月29日,碳化硅半导体国际学会“ICSCRM2013”召开,24个国家的半导体企业、科研院校等136家单位与会,人数达到794人次,为历年来之最。国际知名的半导体器...
半导体SiC材料研究进展及其应用引言作为第三代的半导体材料,具有带隙宽、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低、化学稳定性好等特点...