硕士博士毕业论文—液相法碳化硅晶体生长及其物性研究摘要第1-7页abstract第7-19页第1章绪论第19-41页1.1引言第19-21页1.2SiC晶体的性质
经过调试和晶体试样,达到了较为理想的工作状态,满足了SIC晶体...中国硕士学位论文全文数据库前10条1郑磊;SIC晶体生长系统关键技术研究...
毕业论文>碳化硅晶体生长过程中的扩径与缺陷控制研究中国期刊网qikanchina.net碳化硅晶体生长过程中的扩径与缺陷控制研究河北同光晶体有限公司，河北保定071000摘要:为了提高碳化硅晶体生产质量和降低后续碳化硅衬底时的晶体开裂...
1．3SiC晶体生长中的物理问题1．3．1SiC晶体的生长缺陷尽管从目前的形势来看，Si器件的特性已接近si材料和工艺的极限，但Si器件仍展示出良好的性能。
最新博士论文—《液相法碳化硅晶体生长及其物性研究》摘要第1-7页abstract第7-19页第1章绪论第19-41页1.1引言第19-21页1.2SiC晶体的性质
碳化硅外延材料生长及表征技术研究.pdf,--优秀硕士毕业论文，完美PDF格式，可在线免费浏览全文和下载,支持复制编辑,可为大学生本专业本院系本科专科大专和研究生学士硕士相关类学生提供毕业论文范文范例指导,也可为要代写发表职称论文的提供参考！
为此，在论文中，住友表示，尽管溶液生长法可以获得更高质量和更低成本的SiC晶体，但是没有PVT法那么实用。不过，住友的这项技术发展很快，2020年5月，他们就宣布成功开发了6英寸的SiC单晶衬底CrystEra，并在2020下半财年将其商业化。
【摘要】碳化硅(SiC)具有宽禁带、高硬度、高热导率、高击穿场强、高电子迁移率、强抗氧化性和化学稳定性等优异性能。一维SiC纳米材料除保留其本征性质外，还由于纳米尺寸效应、特定的形貌和内在的特殊晶体结构及缺陷，在力学、电学和光学等方面展现出更多特异性能。
SIC晶体生长系统关键技术研究,碳化硅,晶体生长,有限元,热场分布,PVT法。随着微电子技术的发展,传统基于Si和GaAs半导体材料器件由于本身结构和特性,在高温、高频、光电等方面越来越显示出其不...
博士毕业论文—《大容量SiCMOSFET串联关键技术研究》致谢第1-8页摘要第8-10页Abstract第10-16页第1章绪论第16-35页1.1研究背景第16-21页
SiC晶体材料的国内外研究现状国外研究现状SiC衬底材料近几年已取得突破性进展,美国Cree公司2～4inSiC单晶片已经商业化,并计划于2009～2010年开始供应6in(150...
结合输入功率、反射功率和温度的变化关系,研究发现:微波加热前期,煤炭颗粒的本征耦合热效应提供热量,温度升高;随着加热时间的延长,煤炭的本征耦合热效应强度逐渐...
硕士学位论文SiC晶体电光特性及飞秒激光改性研究RESEARCHONELECTRO-OPTICPROPERTIESANDFEMTOSECONDLASERMODIFICATIONOFSiCCRYSTAL高胜英哈尔滨...
【摘要】:碳化硅(SiC)晶体具有宽带隙(可见光到近红外光波段透过率高)、高杨氏模量和高硬度、以及高光损伤阈值等特性,使得的SiC晶体器件工作波长范围比晶体Si器件工作波长...
大学工学硕士学位论文SiC晶体具有宽带隙、高临界电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,在高温、高频、大功率及抗辐射等方有巨大的潜力,是重要的...
工学硕士学位论文PVT法生长大尺寸SiC晶体的数值模拟NUMERICALSIMULATIONPVTGROWTHLARGESILICONCARBIDECRYSTALS哈尔滨工业大学2010国内图书分类号:TB...
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就市场来说单晶硅肯定是远远大于SiC和GaN的，目前国内GaN衬底商用很少，基本上目前产业里GaN器件用得比较...
第2章6H-SiC电光特性研究第14-26页·引言第14页·6H-SiC晶体的电光系数第14-19页·6H-SiC晶体的折射率椭球第14-16页·6H-SiC晶体电光系数分离测量理论第16...
1刘军林;SiC单晶与晶体缺陷研究[D];西安交通大学;2006年中国硕士学位论文全文数据库前4条1龚甚其;缺陷对SiCPIN二极管特性影响的研究[D];西安电子科技大学;2009年2...