当前位置：学术参考网 > silvaco毕业论文
本科毕业论文(设计)题目：SilvacoTCAD基CMOS器件学院：物理科学学院专业：姓名：指导教师：2014青岛大学毕业论文(设计)任务书学生姓名:同组学生:指导教师:下发日期:2014MOS场效应晶体管的结构与性能模拟研摘要：本文主要介绍了...
Silvaco发展迅猛，至今已在全球设立有12公司。Silvaco公司能够提供给Foundry完整的解决方案和IC软件，这是市场上其他供应商无可比拟的。Silvaco能够提供TCAD，ModellingEDA前端和后端的支持，还能给IC设计师们提供完整的AnalogDesignFlow。
毕业论文SilvacoTCAD基CMOS器件.docx,青岛大学本科毕业论文（设计）PAGEPAGE35本科毕业论文(设计)题目：SilvacoTCAD基CMOS器件学院：物理科学学院专业：姓名：指导教师：2014年5月16日青岛大学毕业论文(设计...
毕业论文>半导体专业实验补充silvaco器件(毕业论文)(2)结构和参数:PN结穿通二极管的结构如图所示,两端高掺杂,n-为耐压层,低掺杂,具体参数:器件宽度4μm,器件长度20μm,耐压层厚…
本论文用SILVACOTCAD模拟SOILDMOS的工艺流程,对氧化层厚度、掺杂种类和剂量、注入条件、刻蚀深度和范围等工艺参数进行了模拟，以用于相关的器件设计,并得到主要的电学性能特性曲线。.文中在普通结构SOILDMOS器件的基础上进一步引入了沟槽结构SOILDMOS...
（毕业论文）基于SILVACOTCAD的高压SOILDMOS器件设计.doc,基于SILVACOTCAD的高压SOILDMOS器件设计[摘要]SOILDMOS器件是基于的一种新型功率。具有、寄生电容、抗辐照能力强、集成密度高优点，并且可以克服体硅材料的缺点...
20108850060基于SilvacoTCAD的4H-SiC功率BJT器件[摘要]碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的代表,由于具有宽禁带、高击穿电场、高热导率等优异特性,使其在高温、大功率、高频、抗辐射等领域应用前景广阔,其研究广为关注。
（毕业论文）基于SilvacoTCAD的4H-SiC功率BJT器件.doc,基于SilvacoTCAD的4H-SiC功率BJT器件[摘要]碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的代表,由于具有宽禁带、高击穿电场、高热导率等优异特性,使其在高温、大功率、高频、抗辐射等领域...
毕业论文SilvacoTCAD基CMOS器件.docx,本科毕业论文(设计)题目：SilvacoTCAD基CMOS器件学院：物理科学学院专业：姓名：指导教师：2014年5月16日青岛大学毕业论文(设计)任务书院系:物理科学学院专业:微电子学班...
半导体专业实验补充silvaco器件(毕业论文).doc,实验2PN结二极管特性1、实验内容（1）PN结穿通二极管正向I-V特性、反向击穿特性、反向恢复特性等。（2）结构和参数：PN结穿通二极管的结构如图1所示，两端高掺杂，n-为耐压层，低...
半导体专业实验补充silvaco器件(毕业论文),半导体器件,半导体器件物理,半导体器件基础,半导体分立器件,半导体器件物理基础,半导体元器件,功率半导体器件,半...
本科毕业论文(设计)题目:SilvacoTCAD基CMOS器件学院:物理科学学院专业:姓名:指导教师:2014青岛大学毕业论文(设计)任务书学生姓名:同组学生:指导...
SilvacoTCAD基CMOS器件本科毕业论文毕业设计论文.doc,PAGE内部资料内部资料本科毕业论文(设计)题目:SilvacoTCAD基CMOS器件学院:物理科学学院专业:姓名:指导教师...
本题目:SilvacoTCA学院:物理科学学院专业:姓名:指导教师:科毕业论文(设D基CMOS器件院2014年5月16日设计)青岛大学本科毕业论文(设计...
半导体专业实验补充silvaco器件毕业论文.doc,半导体专业实验补充silvaco器件(毕业论文)实验2PN结二极管特性1、实验内容(1)PN结穿通二极管正向I...
内容提示:基于SilvacoTCAD的4H-SiC功率BJT器件[摘要]碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的代表,由于具有宽禁带、高击穿电场、高热导率等优异特性,使...
半导体专业实验补充silvaco器件(毕业论文).doc,实验2PN结二极管特性1、实验内容(1)PN结穿通二极管正向I-V特性、反向击穿特性、反向恢复特性等。...
《SilvacoTCAD基CMOS器件毕业设计论文.docx》由会员分享,可免费在线阅读全文,更多与《SilvacoTCAD基CMOS器件毕业设计论文》相关文档资源请在帮帮文库(w...
《SilvacoTCAD基CMOS器件毕业设计论文.docx》由会员分享,可免费在线阅读全文,更多与《SilvacoTCAD基CMOS器件毕业设计论文》相关文档资源请在帮帮文库(w...
(毕业论文)基于SilvacoTCAD的4H-SiC功率BJT器件.docx基于SiIvacoTCAD的4H-SiC功率BJT器件[摘要]碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的代表,由于具有宽禁带、高击穿电场...