1.4.2SnO薄膜的光电性能SnO的禁带宽度大概为3.6-4.0eV，它是一种间接带隙半导体材料。.对可见光的折射率为1.8-2.0，可见光的透射率在90%以上，所以它对可见光几乎不吸收。.透明导电的SnO薄膜的电子有效质量为0.1-0.2m，在室温条件下薄膜中载流子浓度为1015...
最近几年,科研人员投入了相当大的精力对各种类型ZnO和SnO_2纳米材料的、表征以及它们在纳米器件领域中的应用进行了深入研究。鉴于它们在未来功能器件中的重要性,ZnO和SnO_2这两种金属氧化物被确定为本人博士论文期间的研究内容。
Al,In掺杂SnO半导体材料能带结构的理论计算.基于密度泛函理论的第一性原理,采用平面波超软赝势方法建立了本征SnO,掺杂In,Al及In,Al共掺的SnO晶体的超晶胞模型,并计算了各类模型的能带结构和态密度.研究发现,少量Al和In替位原子的掺杂可使SnO半导体的禁带宽度变...
本论文中p型SnO部分主要研究了如何高性能的p型SnOTFTs,主要工作及成果如下：(1)使用射频磁控反应溅射方法成功出高性能的p型SnO薄膜。(2)利用X射线衍射(XRD)研究了退火处理和射频溅射功率对SnO薄膜的影响,发现真空400℃退火1小时之后,SnO薄膜的结晶性明显提高。
Tinoxide(SnO2)hasrecentlyemergedasapromisingelectrontransportlayerforperovskitesolarcells(PSCs)inlightofthematerial’sopticalandelectronicpropertiesanditslow-temperatureprocessing.However,SnO2filmsarepronetosurfacedefectformation,which…
层状叶状SnO2材料的及气敏性能SensorsandActuatorsB:Chemical(IF7.46)PubDate:2017-09-20,DOI:10.1016/j.snb.2017.09.115
该论文巧妙地设计了SnO2/BaTiO3负极材料，结合原位XRD和扫描电化学显微镜等先进技术对BaTiO3的铁电性和压电性形成的局部微电场对实现快速反应动力学和高效储钠进行深入探讨。
相关成果以题为“Universalpassivationstrategytoslot-dieprintedSnO2forhysteresisfreeefficientflexibleperovskitesolarmodule”发表在NatureCommunications上。武汉理工大学—澳大利亚Monash大合培养博士生卜童乐为论文第一作者。【图文简介】
内容提示:山东大学硕士学位论文SnO<,2>材料光致发光的特性研究姓名:王玉恒申请学位级别:硕士专业:微电子学与固体电子学指导教师:马瑾20050325山东大学硕士...
纳米SnO_2的与测试2.1引言2.2实验部分2.2.1实验药品和材料2.2.2实验设备和测试仪器2.2.3纳米SnO_2的2.2.4组装模拟电池2.3.1红外表征(FT-IR)与...
SnO纳米材料的晶面效应及层状化合物能带工程的理论研究-化学物理专业毕业论文.docx,谨以此文献给我的父亲母亲谨以此文献给我的父亲母亲万方数据摘要摘要...
摘要:通过测量原位霍尔效应和电阻率随温度的变化,SnO在高压下的电输运性质得到了研究。霍尔效应的实验结果很好的展现了SnO在高压下的载流子输运行为,表明SnO在1...
·掺杂SnO_2传感器的气敏机理第18-21页·本论文研究课题的选取第21-24页·本论文的主要研究内容和方法第24-25页第二章原位动态X射线光电子能谱分析系统第25-38...