本论文针对TFET研究所存在的主要问题开展相应研究,主要的工作及成果如下:(1)考虑源耗尽宽度及沟道可动电荷的漏电流(IV)、端电容(CV)解析模型。建立了TFET器件解析模型,同时考虑了可动电荷及源耗尽区宽度的影响,模型能够给出器件输出及端电容特性,...
本文在L型TFET的基础上,通过对器件结构进行优化,以达到在不影响开启特性的前提下抑制双极效应的目的。.主要内容如下:首先,对L型TFET进行结构优化:(1)采用异质栅介质结构,使得栅在源区和靠近漏的沟道区具有不同的栅控能力,从而有效抑制反向双极电流。....
文档格式：.pdf文档页数：89页文档大小：2.8M文档热度：文档分类：论文--毕业论文系统标签：tunnelingtransistorsinvestigationstfetfieldbtbt
论文的核心部分是对隧穿场效应晶体管的模拟研究,包括对横向隧穿场效应晶体管和纵向隧穿场效应晶体管的模拟研究,作为MOSFET的潜在替代者,早期的TFET器件主要是一个栅控的p-i-n结,带带隧穿发生的方向平行于栅介质,这里我们称这种TFET器件为LTFET。
此外,论文也研究了TFET在动态存储器(DRAM)和数字标准单元电路方面的应用。具体研究内容如下:1.TGTFET将漏区设在沟道底部,源区放置在栅电极两侧。相比UTFET,TGTFET的纵向线隧穿面积加倍。同时T型栅的结构使器件源区顶部也产生线隧穿。
该论文展示了一个基于动态锁存器和混合TFET与FinFET器件的levelshifter电路设计。该电路结构可实现50mV到1.2V的电压转换，并在功耗延时及性能方面实现了明显的提升，显示了新器件TFET在低压电路设计中的优势。
“硅基TFET晶体管使用了硅体内的量子隧穿效应，而传统的浮栅晶体管的擦写操作则是使电子隧穿过绝缘介质。”论文第一作者王鹏飞教授解释说。“隧穿”是量子世界的常见现象，可以“魔术般”地通过固体，好像拥有了穿墙术。
本文以模拟和数字两种LDO，分别以三种不同的方式FinFET,TFET和hybridTFET-FinFET实现。针对频率响应，负载调整率和电源抑制比(PSRR)评估较低、中等、较高三种偏置电流条件下的...
直到十多年前才出现首篇关于TFET的论文。当时芯片制造商开始发现计算机的时钟频率失速，同时要应对更加密集、漏电更多的芯片的散热问题。乔治•阿彭策勒（JoergAppenzeller）和他IBM的同事们率先论证了低于MOSFET的每十进位60毫伏限制的电流摆幅是
后MOSFET时代，TFET是芯片的新选择？.我们所处的这个由永远在线的个人电脑、平板电脑和智能手机构成的世界的诞生，要归功于一个了不起的趋势：金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的不断微型化。.MOSFET是大多数集成电路的基础构件，在过去的半个...
InformationRecordingMaterials2014Vol.15No.5RECORDINGMEDIAMTJTFET中隧道电流的计算及研究进展(华南农业大学理学院应用物理系,广州510642)随着器...
职称张进成教授申请学位类别工学博士Ⅲ族氮化物增强型HEMT与TFET器件研究学校代码10701类分类号号TN4学号号1311110063密级级公开西安电子科...
论文摘要提出一种SOI基的新型隧穿场效应晶体管(TFET)探测器结构,将光电二极管与TFET结合,实现光信号的探测放大。光电二极管的正极与TFET的栅极互连,感光后光电...
这种独特的器件结构使TFET的静态功耗非常小,预示着TFET在低功耗器件领域有很大的应用市场。本文目标是完成基于TFET器件模型的单元特性工作。论文在比较了TFET和传统MOSFE...
【摘要】:TFET作为新型的低功耗器件,物理结构上采用源漏区非对称性掺杂,通过外加栅电压控制能带偏移,进而利用隧道击穿原理实现器件工作。与传统漂移扩散机制MOSFET器件相比,T...
AgatecontrolleddiodeorTunnelingFET(TFET)isformedandconnectsthesemi-floating-gatetothedrain.Asaresult,theTFETcannowbeusedtochargeordis...
关键词:测试计量技术仪器专业论文微波bjtfet器件噪声特性测量研究资源描述:摘要摘要文章主要研究了BJT/FET器件的本征噪声特性参数,它...
“硅基TFET晶体管使用了硅体内的量子隧穿效应,而传统的浮栅晶体管的擦写操作则是使电子隧穿过绝缘介质。”论文第一作者、复旦大学教授王鹏飞对记者解释说。“...