摘要：对高频工况下氮化镓(GaN)器件的开关特性精确测量进行了研究,基于市面上两种不同类型的GaN器件,对其开关特性进行对比测试,分析高频工况下不同类型GaN器件的优势.首先,分析不同测量方式对电流测量波形的影响,选择适用于高频工况下的电流测量方式;其次,对高频驱动回路进行优化布局,减小...
GaN器件高频精确测试及开关特性对比研究高频、高效、高功率密度仍是电力电子器件发展的主流方向。相较于传统的硅器件，GaN器件以其高开关速度和低导通电阻，更适用于髙频、高效、高功率密度场合，受到国内外学者的广泛关注和研宄但由于工艺限制，目前商业化GaN器件耐压等级仅做…
基于Multisim的高频放大器的设计与分析.学校代码：11059号：0905076032HefeiUniversityBACHELORDISSERTATI论文题目：基于Multisim的高频放大器的设计与分析学位类别：年级专业(班级)：09通信工程（2）班作者姓名：导师姓名：顾涓涓完成时间：2013我们知道，无线...
要:高频功率放大器是发射机的重要组成部分,因而也是通信系统必丌可少的环节。介绍了高频功率放大器应用和基本原理,幵利用电子设计工具软件Multisim2001对丙类功率放大器电路从方案选择、单元电路设计、元器件参数选取等方面迚行具体设计分析,同时对电路迚行测试,通过结果分析...
本论文主要讲述了高频高精度的石英晶体正弦波振荡器的产生。介绍了该振荡器的基本工作原理、设计电路、性能和测试指标等。此外，还具体说明了电路设计的制作过程和元器件的检测、安装、焊接、调试等过程。阐述了技术指标要求测试方法和数据记录。
ganhemt器件等效电路宏模型与测试分析word格式.docx,摘要摘要GaNHEMT器件表现出良好的微波功率特性，在高频及大功率领域有广阔的前景。但由于GaNHEMT存在电流崩塌及自热等效应，标准的FET模型并不能很准确的模拟GaNHEMT的各种...
新余学院《高频无线话筒》毕业设计（论文）4．2设计要求设计一无线话筒采用晶体管或集成电路设计一无线话筒要求：1.额定电压3.0V，电流3~5mA；2.输出频率90MHz左右（或谐波在90MHz左右）；3.用FM收音机可以可靠收听；4.接收距离不得小于35.采用电抗管或...
什么是高频电路如何区分高频低频-很多领域涉及“高频低频”，它指频率（frequency）的高低，不过一般而言是指物理上的各种振荡，其中电学里面有很多振荡，可能是电流，质点（masspoint），电磁场等振动，“高低频”是对振动情况的描述，高频低频引起的结果也不一样。
GaN器件高频性能优越，而且具有优越的高功率特性，因此在高频高功率的应用领域，具有独特的优势。02.射频器件模型的种类射频器件模型种类可分为数学模型﹑物理模型与基于测试数据的神经网络模型，其优缺点如下表:
高频变压器磁饱和电流测试方法研究-河北科技大学硕士学位论文高频变压器磁饱和电流测试方法研究姓名：彭爱丽申请学位级别：硕士专业：测试计量技术及仪器指导教师：马洪涛20081201...