2018年2月中国科技论文在线精品论文388图1WAT在芯片制造流程中的位置...将出现CP失效的晶圆的IDDS失效叠图，并将集中失效的9个位置与晶圆制程中各道工艺进行对比，发现其与WAT测试过的9个位置一致，如图2b所示，确定为WAT造成的芯片...
摘要：在集成电路产业中,良率提升意味着生产成本降低,利润率提高,是集成电路企业在市场中维持自身核心竞争力的关键因素.随着特征尺寸的不断下探,集成电路生产制造工艺愈发复杂,由此带来的良率损失问题也愈发严峻.如何利用集成电路生产测试中收集到的数据来提升良率,是集成电路企业关注的...
论文的主要研究内容如下:(1)分析了目前主流的两种可寻址WAT良率诊断方法:分析方法与基于决策树的良率诊断方法,并对这两种方法的局限性作了说明。.(2)提出了一种基于随机森林算法的良率诊断方法,该方法使用随机森林算法建立测试结构参数与良率之间的...
论文研究-WAT测试引起的晶圆低良率问题研究.pdf08-19WAT测试引起的晶圆低良率问题研究，周波，黄其煜，在55纳米采用后段铜互连制程工艺晶圆的量产过程中，部分产品在内层金属互连层进行晶圆可接受度测试会导致芯片测试时出现特定图形IC...
论文研究-WAT测试引起的晶圆低良率问题研究.pdfWAT测试引起的晶圆低良率问题研究，周波，黄其煜，在55纳米采用后段铜互连制程工艺晶圆的量产过程中，部分产品在内层金属互连层进行晶圆可接受度测试会导致芯片测试时出现特定图形
广立微（Semitronix）高性能WAT测试机拥有完全自主的知识产权，其性能达到或超过业界常用的WAT测试机。T4000的研发完成并成功产业化完善了公司集成电路成品率提升和工艺监控的产品生态链，增强了公司的技术实力和市场竞争力。
优秀硕士论文库—《DRAM器件制造的新工艺和电性测试参数的分析》中文摘要第1-4页ABSTRACT第4-7页第一章DRAM器件的基本介绍第7-11页·前言
之后据此提出了具有硝化和反硝化除磷双泥回流系统的Dephanox脱氮除磷工艺[7],反硝化聚磷原理及特点.论文网8200余万篇毕业论文、各种论文格式和论文范文以及9千多种期刊杂志的论文征稿及论文投稿信息，是论文写作、论文投稿和论文发表的论文参考网站，也是科研人员论文检测和发表论文的理…
半导体芯片作为高端制造的核心与瓶颈,在国家发展、经济可持续发展等一系列重大战略问题上的重要性日益突出。在半导体晶圆制造过程中,随着集成电路尺寸不断缩小、工艺日益复杂,晶圆允收测试(WaferAcceptanceTest,WAT)的参数数量逐渐增加,相应所耗费的时间成本也不断提升。
WAT工艺参数测试.doc,江苏信息职业技术学院毕业设计(论文)PAGE2PAGE\*MERGEFORMATPAGE\*MERGEFORMAT1毕业设计论文WAT工艺参数测试系电子信息工程...
(论文)21毕业设计论文WAT工艺参数测试电子信息工程系专业微电子技术姓名学号1003320指导教师电子信息工程系WAT工艺参数测试江苏信息职业技术学院毕业设计...
毕业设计论文WAT工艺参数测试系电子信息工程系专业微电子技术姓名钦班级微电学号100330指导教师席职称讲师设计时间01.9.19-.1.41摘要:。要晶圆的工艺参数测试方...
毕业设计论文WAT工艺参数测试系电子信息工程系专业微电子技术姓名钦班级微电学号1003320指导教师席职称讲师设计时间201.9.19-.1.4摘要:关键词...
WAT是在晶圆产品流片结束之后和品质检验之前,测量特定测试结构的电性参数。WAT的目的是通过测试晶圆上特定测试结构的电性参数,检测每片晶圆产品的工艺情况,评估半导体制造过程的质量和稳定性...
1、题目和正文:WAT的含义就是“晶圆可接受度测试”,那么“WAT测试”属于重复。2、摘要中,“55纳米采用后段铜互连制程工艺晶圆的量产过程”,语句混乱。3、摘...
所述多晶硅层两端表面的连接通孔;所述金属层位于所述连接通孔顶部,所述测试单元通过所述金属层依次串接;多个所述测试链通过所述金属层依次首尾相连,形成链式的WAT测试结构.本...
论文研究WAT测试引起的晶圆低良率问题研究.pdf上传者:wsrwsrriri2020-07-1817:52:48上传.PDF文件1.76MB下载6次WAT测试引起的晶圆低良率问题研究,周波,...