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目：基于CMOS工艺的高压MOSFET研究研究生：李红征微电子学与固体电子学随着集成电路制造工艺水平的提升，系统集成度越来越高，智能功率集成电路得到了日益广泛的应用，功率集成电路将工作电压高低不同的功率器件与低压逻辑控制电路集成在一个芯片上，具有开关特性好、功耗小等优点。
超结高压功率MOSFET器件研究,超结,VDMOS,LDMOS,功率器件,深槽工艺。功率半导体器件被广泛应用于电力、能源、消费类、航天等领域,特别是随着近年来节能减排、新能源的兴起,功率半导体器件受到了越...
通常是通过增艺步骤，或者是改变工艺流程对原有的器件进行小的改进。.例如将沟槽底部刻蚀成W形来降低栅漏电荷【6J，或者采用沟槽型的接触来降低导通电阻提高雪崩能量【_巧等。.下面针对3个研究内容做详细分析。.1．2．1降低MOSFET的FOM（优值）功率...
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功率MOSFET击穿特性研究.刘驰.【摘要】：击穿电压是功率半导体器件的重要参数之一。.功率半导体器件在不同的应用场合下,需要不同规格的击穿电压。.从100V左右的显示器驱动,几千伏的电气机车,到上万伏特的高压直流传输应用中,都可以发现功率半导体的...
功率MOSFET很好的学位论文。频道豆丁首页社区企业工具创业微案例会议热门频道工作总结作文股票医疗文档分类论文生活休闲外语心理学全部建筑频道建筑文本施组...
600V功率MOSFET器件的元胞结构研究结构,研究,胞,器件结构,600V,器件的,功率MOS,MOS器件,600V,MOS的国内图书分类号：TN386．1国际图书分类号：621．38西南交通大学研究生学位论文密…
功率MOSFET器件的SEB和SEGR效应分析研究.pdf,摘要摘要功率MOSFET器件在航空、航天等领域的电子学系统中，用作备用电源的功率开关、DC．DC电压变换器、信号发射机等多个部位的关键器件。但是功率MOSFET器件对单粒子效应却存在...
SGTMOSFET雪崩耐量论文总结.2016/6/2论文名称：①DesignofAvalancheCapabilityofPowerMOSFETsbyDeviceSimulation②Experimentalstudyandsimulationsontwodi?erentavalanchemodesintrenchpowerMOSFETs③Multi-CellE?ectsduringUnclampedInductiveSwitchingofPowerMOSFETs④Anewsimulationapproachtoinvestigate...
什么是powermosfet，powermosfet，中文是电力场效应晶体管的意思。电力场效应晶体管分为两种类型，结型和绝缘栅型，但通常所说的是绝缘栅型中的MOS型（MetalOxideSemiconductorFET），简称电力MOSFET（PowerMOSFET）。P-MOSFET...
摘要:本文针对碳化硅MOSFET宽温度范围的静态参数测量、开关暂态过程展开了研究和分析。基于B1505A测试平台,对碳化硅功率MOSFET在不同温度下的输出特性曲线、转移特性曲线、阈值电压...
论文服务:摘要:器件设计工艺、封装、宽禁带半导体材料和计算机辅助设计4大技术的发展进步使得功率MOSFET的性能指标不断达到新的高度。超级结技术使得高压功率MOSFET的导通...
本文以功率MOSFET安全可靠工作为目的,对功率MOSFET失效机理进行了分析,得出了解决方法,在此基础上设计了MOSFET并联使用的驱动电路。主要研究内容如下:阐述了功率MOSFET的结构...
在汽车电子的驱动负载的各种应用中,最常见的半导体元件就是功率MOSFET了。本文不准备写成一篇介绍功率MOSFET的技术大全,只是让读者去了解如何正确的理解功率MOSFET数据表中的常用主要...
本文简述了RF功率MOSFET器件的应用,分析了以LDMOSFET工艺为基础的RF功率MOSFET的功能特性、产品结构和制造工艺特点。文中结合6寸芯片生产线,设计了产品的制造工...
【摘要】:功率MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、安全工作区宽以及热稳定性好等特点,广泛地应用于开关电源、汽车电子、不间断电源和逆变器等领域。本文简要地分析了功率MO...
开展新型功率MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,简称MOSFET)器件设计,器件优化,器件建模分析和器件流片测试等一系列工作。通过采用新结构、新材...
内容提示:西安理工大学硕士学位论文功率MOSFET应用研究及主电路设计姓名:余娟申请学位级别:硕士专业:检测技术与自动化装置指导教师:孙强20050301摘要功...
TI的集成式NexFET™功率MOSFET采用小型封装,可提供各种N沟道和P沟道电源模块以及分立式电源解决方案。
根据栅极电压与栅极电容的乘积为栅极电荷Q则上式可转化为T=Q/I.本设计率MOSFET采用IR公司的IRF3710S功率MOSFET芯片,从其datasheet可以得到MOSFET的栅极电荷为26nC,导通/截止时...