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ASML公司光学光刻技术最新进展2002年9月微细技术M1CROFABRICA＇I、IoNT’ECHNoLOGYNo3Sep．2002文章编号：1003—8213（2002）03－0008—04ASML公司光学光刻技术最新进展张强，胡松，姚汉民，刘业异（中国科学院光电技术研究所，成都610209）摘要：荷…
基于DMD无掩模数字光刻技术的研究进展[J].激光与光电子学进展,2022,59(09):1激光与光电子学进展,2022,59(09):0922001,网络出版:2021-07-21
吴衍青研究员介绍了上海同步辐射光源（简称上海光源）以软X射线干涉光刻技术（简称XIL技术）为核心的极端制造技术的最新进展。.在微纳制造领域，XIL是一种于主流极端制造技术的独特并行制造技术。.它专注于制造严格周期的图案。.此外，还可以有效...
在光刻机设备的开发中，除了不断开发更短光源、增大数值孔径之外，人们还会采用多种分辨率增强技术，通过降低工艺因子k1增大工艺因子k2的方法改善光刻机的分辨率和焦深，在光源波长难以取得突破性进展的情况下进一步提升光刻机性能。
今年7月，在中国科学院官网上发布了一则研究进展，中科院苏州所联合国家纳米中心在《纳米快报》（NanoLetters）上发表了题为《超分辨率激光光刻技术5纳米间隙电极和阵列》（5nmNanogapElectrodesandArraysbyaSuper-resolutionLaserLithography）的研究论文，介绍了该团队研发的新型5纳米超高精度...
理化所无掩模光学投影超衍射纳米光刻技术研究取得新进展稿件来源：仿生智能界面科学中心发布时间：2021-05-26数十年来，光刻作为一种有效的图形转移技术，在实现功能性微纳米尺度结构方面一直扮演着重要角色，基于掩模的光刻技术在微…
极紫外光刻技术被认为是下一代最有潜力的光刻技术，对推动集成电路发展具有重要作用。极紫外光源是极紫外光刻技术的源头，其技术水平直接制约了光刻技术的发展。气体放电等离子体极紫外光源结构简单，转换效率高，适合大规模工业应用，具备良好的应用前景。
中科院激光光刻研究获进展，探索不用EUV的5nm.7月1日，中科院官网发布消息称，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员张子旸与国家纳米中心研究员刘前合作，在《纳米快报》（NanoLetters）上发表了题为“5nmNanogapElectrodesandArraysbyaSuper-resolution...
近日，微电子所集成电路先导工艺研发中心在极紫外光刻基板缺陷补偿方面取得新进展。与采用波长193nm的深紫外（DUV）光刻使用的掩模不同，极紫外（EUV）光刻的掩模采用反射式设计，其结构由大约由40层Mo和Si组成的多层膜构成。
数码新品汇2021年6月13日报道，近日，中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室，研究的光刻技术获得新进展的研究成果曝光，该论文长达23页，包括约19756个文字，1...
二、毕业实习论文光刻技术的现状与进展引言光刻技术从诞生以来,在半导体制造行业中,作为图形转移技术而广为应用。随着芯片集成度的不断提高、器件尺寸的...
上海光机所计算光刻技术研究取得进展近日,中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室提出一种基于虚拟边(VirtualEdge)与双采样率像素化掩模...
然而，何止光刻机？清华大学公布光刻机光源技术突破后，中国科研团队宣布新成果，可编程光量子芯片问世。根据媒体最新报道，近日由中国科研人员主导的国际团队在美国《科学进展》期刊...
数码新品汇2021年6月13日报道,近日,中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室,研究的光刻技术获得新进展的研究成果曝光,该论文长达23页,包括...
光刻技术在微电子设备上的应用及展望论文.doc,光刻技术在微电子设备上的应用及展望论文光刻技术的原理,就是用光学___的手段,在半导体中形成图像,进而用来制作...
光刻技术在微电子设备上的应用及展望的论文2018-12-02摘要:用光学复制的手段在半导体内形成相应的图像,其主要是为电路的制作和微电子设备服务的,这是光刻...
谢谢大家二〇一四年四月二十四日星期四DOC编号河南大学届本科毕业论文光刻技术历史与发展姓名:作者学号:所在学院:所学专业:电子信息科学与技术导师姓名:导师职...
(论文)准分子激光光刻技术及进展综述下载积分:3000内容提示:第18卷第1期2008年3月天津工程师范学院学报JOURNALOFTIANJINUNIVER...
《财经》新媒体近日的报道道出了事实真相:今年7月,中科院苏州所联合国家纳米中心在《纳米快报》上发表了题为《超分辨率激光光刻技术5纳米间隙电极和阵列》...